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胡媛

作品数：38 被引量：45H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 31篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 2篇机械工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 17篇存储器
  • 11篇纳米
  • 10篇浮栅
  • 9篇金属
  • 8篇纳米晶
  • 8篇硅衬底
  • 8篇衬底
  • 7篇刻蚀
  • 7篇光刻
  • 7篇非挥发性存储...
  • 6篇非易失存储器
  • 5篇载流子
  • 5篇微电子
  • 4篇氧化物
  • 4篇受性
  • 4篇退火
  • 4篇离子
  • 4篇耐受
  • 4篇耐受性
  • 4篇金属氧化物

机构

  • 38篇中国科学院微...
  • 2篇安徽大学
  • 1篇兰州大学

作者

  • 38篇胡媛
  • 37篇刘明
  • 21篇龙世兵
  • 18篇谢常青
  • 16篇刘宇
  • 15篇赵盛杰
  • 13篇张凯平
  • 11篇刘琦
  • 10篇张培文
  • 9篇管伟华
  • 9篇王琴
  • 7篇路程
  • 7篇李志刚
  • 6篇陈宝钦
  • 5篇郭婷婷
  • 4篇杨清华
  • 4篇李海亮
  • 4篇陆丛研
  • 3篇张森
  • 3篇牛洁斌

传媒

  • 3篇微纳电子技术
  • 2篇微电子学
  • 1篇光学学报

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 10篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
共 38 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
存储器及其制作方法
本发明公开了一种冠状势垒复合隧穿层的纳米晶浮栅非易失存储器，包括：硅衬底，在硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区，在源、漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的由高k材料介质/SiO<Sub>2</Sub>材料介质/高k材料介质组...
刘明王琴胡媛郭婷婷
文献传递
基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究被引量：11
2009年
随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。
李颖弢刘明龙世兵刘琦张森王艳左青云王琴胡媛刘肃
关键词：非挥发性存储器I-V特性
一种金属氧化物场效应晶体管及其制作方法
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属氧化物场效应晶体管的制作方法，包括：在衬底上由下至上依次形成有绝缘层、第一电极、牺牲层、第二电极、结构层，牺牲层的厚度按照沟道的预设长度来确定；刻蚀牺牲层的边缘，使得在牺牲层的边...
刘宇刘明胡媛张凯平张培文路程赵盛杰刘琦吕杭炳谢常青
文献传递
一种阻变存储器及其制作方法
本发明提供的一种阻变存储器及其制作方法，包括：提供一衬底，衬底的生长面包括多个台体；在衬底的生长面上形成下电极薄膜，下电极薄膜对应台体的顶面的区域高于多个台体之间的凹槽区域；在下电极薄膜背离衬底一侧形成绝缘层，绝缘层对应...
刘宇刘明胡媛赵盛杰路程张培文张凯平
文献传递
多功能离子束溅射与刻蚀及原位物性分析系统
本发明公开了一种多功能离子束溅射与刻蚀及原位物性分析系统，包括：离子束溅射与刻蚀室、物性分析室、样品交换真空腔室；一溅射沉积与刻蚀工件台，设置于溅射与刻蚀室的顶部正中位置；一刻蚀离子源，设置于溅射与刻蚀室的底部正中位置；...
龙世兵刘明谢常青陈宝钦徐连生胡媛
文献传递
存储器及其制作方法
本发明公开了一种冠状势垒复合隧穿层的纳米晶浮栅非易失存储器，包括：硅衬底，在硅衬底上重掺杂的源导电区和漏导电区，在源、漏导电区之间的载流子沟道上覆盖的由高k材料介质/SiO<Sub>2</Sub>材料介质/高k材料介质组...
刘明王琴胡媛郭婷婷
文献传递
一种金属氧化物场效应晶体管及其制作方法
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属氧化物场效应晶体管的制作方法，包括：在衬底上由下至上依次形成有绝缘层、第一电极、牺牲层、第二电极、结构层，牺牲层的厚度按照沟道的预设长度来确定；刻蚀牺牲层的边缘，使得在牺牲层的边...
刘宇刘明胡媛张凯平张培文路程赵盛杰刘琦吕杭炳谢常青
一种阻变存储器及其制作方法
本发明提供的一种阻变存储器及其制作方法，包括：提供一衬底，衬底的生长面包括多个台体；在衬底的生长面上形成下电极薄膜，下电极薄膜对应台体的顶面的区域高于多个台体之间的凹槽区域；在下电极薄膜背离衬底一侧形成绝缘层，绝缘层对应...
刘宇刘明胡媛赵盛杰路程张培文张凯平
文献传递
微纳光学结构制备技术及应用
＜正＞本文首先简要介绍了近年来国外微纳光学结构制备技术的一些重要进展。接着报道了我们所发展的基于电子束+X射线+接近式光学的混合光刻制作微纳光学结构技术。基于我们的微纳光学结构加工平台,建立了微纳光子学器件复杂图形微光刻...
谢常青朱效立牛洁斌李海亮刘明陈宝钦胡媛史丽娜
文献传递
一种不等高金属光栅及其制作方法
本发明公开了一种不等高金属光栅的制作方法，包括：在衬底上制作种子层；在所述种子层上涂覆光刻胶，制作等间距排列的第一光栅图形；通过电镀形成第一金属栅线；在所述第一光栅图形上涂覆光刻胶，制作等间距排列的第二光栅图形，所述第二...
张凯平刘宇张培文赵盛杰路程胡媛刘明
文献传递
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