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赵盛杰

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇金属
  • 6篇光刻
  • 5篇刻蚀
  • 5篇存储器
  • 4篇电极
  • 4篇氧化物
  • 4篇纳米
  • 4篇金属氧化物
  • 4篇光刻胶
  • 3篇电池
  • 3篇掩模
  • 3篇太阳能
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇图形化
  • 3篇退火
  • 3篇牺牲层
  • 3篇纳米级
  • 3篇干法刻蚀
  • 2篇电池正极
  • 2篇电学

机构

  • 21篇中国科学院微...

作者

  • 21篇赵盛杰
  • 20篇刘明
  • 15篇张培文
  • 15篇刘宇
  • 15篇胡媛
  • 15篇张凯平
  • 11篇谢常青
  • 10篇路程
  • 6篇刘琦
  • 5篇吕杭炳
  • 4篇龙世兵
  • 4篇陆丛研
  • 3篇李维龙
  • 3篇陈晨
  • 3篇李昊峰
  • 3篇贾锐
  • 3篇朱晨昕
  • 2篇张满红
  • 2篇余兆安
  • 2篇李海亮

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
非易失性存储方法及装置
本公开提出了一种非易失性存储方法及装置；其中，该非易失性存储方法，包括：将易失性电阻转变器件作为非易失性存储的存储单元；以及控制并读取所述易失性电阻转变器件导电通路的断裂程度，由此实现非易失性存储。本公开采用易失性电阻转...
刘琦赵晓龙吴祖恒刘宇张凯平路程张培文赵盛杰姚志宏余兆安吕杭炳刘明
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阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器自下而上依次包括下电极层、铁电材料层和上电极层，其中，所述铁电材料层包括经掺杂的HfO<Sub>2</Sub>铁电薄膜。
罗庆吕杭炳刘明许晓欣路程赵盛杰
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硅基纳米柱阵列异质结薄膜太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种硅基纳米柱阵列异质结薄膜太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池制造领域领域。所述方法包括在P型太阳能级硅衬底上制备金属纳米晶掩蔽层；以金属纳米晶掩蔽层作为掩蔽，采用干法刻蚀硅衬底，制备垂直的硅纳米柱阵列；...
陈晨贾锐朱晨昕李维龙李昊峰张培文赵盛杰刘明
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一种不等高金属光栅及其制作方法
本发明公开了一种不等高金属光栅的制作方法，包括：在衬底上制作种子层；在所述种子层上涂覆光刻胶，制作等间距排列的第一光栅图形；通过电镀形成第一金属栅线；在所述第一光栅图形上涂覆光刻胶，制作等间距排列的第二光栅图形，所述第二...
张凯平刘宇张培文赵盛杰路程胡媛刘明
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一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法
本发明涉及一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法，所述加工方法包括如下步骤：在真空环境下在衬底上生长一层敏感金属或金属氧化物材料；在所述敏感金属或金属氧化物材料上生长一层介质层；在所述介质层上生长派瑞林涂层；通过光...
张凯平胡媛刘宇陆丛研赵盛杰张培文谢常青刘明
一种金属氧化物场效应晶体管及其制作方法
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属氧化物场效应晶体管的制作方法，包括：在衬底上由下至上依次形成有绝缘层、第一电极、牺牲层、第二电极、结构层，牺牲层的厚度按照沟道的预设长度来确定；刻蚀牺牲层的边缘，使得在牺牲层的边...
刘宇刘明胡媛张凯平张培文路程赵盛杰刘琦吕杭炳谢常青
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一种制备双面PN结太阳能电池的方法
本发明公开了一种制备双面PN结太阳能电池的方法，包括：在晶硅基板的正反面制备绒面结构；将正反两面均有绒面结构的晶硅基板放置入扩散炉中进行扩散，形成双面PN结结构；在晶硅基板背面光刻并腐蚀，形成太阳能电池正极栅槽；在晶硅基...
贾锐朱晨昕陈晨李维龙张培文李昊峰赵盛杰刘明
一种金属氧化物场效应晶体管及其制作方法
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属氧化物场效应晶体管的制作方法，包括：在衬底上由下至上依次形成有绝缘层、第一电极、牺牲层、第二电极、结构层，牺牲层的厚度按照沟道的预设长度来确定；刻蚀牺牲层的边缘，使得在牺牲层的边...
刘宇刘明胡媛张凯平张培文路程赵盛杰刘琦吕杭炳谢常青
一种阻变存储器及其制作方法
本发明提供的一种阻变存储器及其制作方法，包括：提供一衬底，衬底的生长面包括多个台体；在衬底的生长面上形成下电极薄膜，下电极薄膜对应台体的顶面的区域高于多个台体之间的凹槽区域；在下电极薄膜背离衬底一侧形成绝缘层，绝缘层对应...
刘宇刘明胡媛赵盛杰路程张培文张凯平
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一种改善用于Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>介质上的光刻工艺的方法
本发明公开了一种改善Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>介质上的光刻工艺的方法，Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>介质层易被含有四甲基氢氧化铵的碱性显影液所腐蚀，从而影响器件的性能，...
张凯平刘明谢常青龙世兵陆丛研胡媛刘宇赵盛杰
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