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张凯平
作品数:
22
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供职机构:
中国科学院微电子研究所
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
文化科学
一般工业技术
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合作作者
刘明
中国科学院微电子研究所
刘宇
中国科学院微电子研究所
赵盛杰
中国科学院微电子研究所
谢常青
中国科学院微电子研究所
胡媛
中国科学院微电子研究所
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一般工业技术
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文化科学
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机构
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中国科学院微...
作者
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张凯平
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刘明
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刘宇
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赵盛杰
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胡媛
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谢常青
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路程
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一种金属氧化物场效应晶体管及其制作方法
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种金属氧化物场效应晶体管的制作方法,包括:在衬底上由下至上依次形成有绝缘层、第一电极、牺牲层、第二电极、结构层,牺牲层的厚度按照沟道的预设长度来确定;刻蚀牺牲层的边缘,使得在牺牲层的边...
刘宇
刘明
胡媛
张凯平
张培文
路程
赵盛杰
刘琦
吕杭炳
谢常青
使用金属诱导自掩模刻蚀工艺制作石英表面抗反层的方法
本公开提供了一种使用金属诱导自掩模刻蚀工艺制作石英表面抗反层的方法,包括:步骤S100,利用包含氟基气体的混合气体反应离子刻蚀金属材料和石英基片,金属溅射到石英表面形成非挥发金属氟化物;步骤S200,刻蚀产物碳氟聚合物聚...
史丽娜
李龙杰
张凯平
牛洁斌
谢常青
刘明
文献传递
一种阻变存储器及其制作方法
本发明提供的一种阻变存储器及其制作方法,包括:提供一衬底,衬底的生长面包括多个台体;在衬底的生长面上形成下电极薄膜,下电极薄膜对应台体的顶面的区域高于多个台体之间的凹槽区域;在下电极薄膜背离衬底一侧形成绝缘层,绝缘层对应...
刘宇
刘明
胡媛
赵盛杰
路程
张培文
张凯平
文献传递
基于全电场控制磁畴壁运动的可重构PUF器件
本发明公开了基于全电场控制磁畴壁运动的可重构PUF器件,包括:压控层、上电极、下电极、反铁磁钉扎层以及磁隧道结MTJ;而MTJ包括:由下至上的铁磁参考层、势垒隧穿层以及铁磁自由层;在该器件中,通过在压控层通入电压控制磁各...
邢国忠
林淮
王迪
刘龙
张凯平
王冠亚
王艳
许晓欣
刘明
非易失性存储方法及装置
本公开提出了一种非易失性存储方法及装置;其中,该非易失性存储方法,包括:将易失性电阻转变器件作为非易失性存储的存储单元;以及控制并读取所述易失性电阻转变器件导电通路的断裂程度,由此实现非易失性存储。本公开采用易失性电阻转...
刘琦
赵晓龙
吴祖恒
刘宇
张凯平
路程
张培文
赵盛杰
姚志宏
余兆安
吕杭炳
刘明
文献传递
一种改善用于Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>介质上的光刻工艺的方法
本发明公开了一种改善Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>介质上的光刻工艺的方法,Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>介质层易被含有四甲基氢氧化铵的碱性显影液所腐蚀,从而影响器件的性能,...
张凯平
刘明
谢常青
龙世兵
陆丛研
胡媛
刘宇
赵盛杰
文献传递
一种金属氧化物场效应晶体管及其制作方法
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种金属氧化物场效应晶体管的制作方法,包括:在衬底上由下至上依次形成有绝缘层、第一电极、牺牲层、第二电极、结构层,牺牲层的厚度按照沟道的预设长度来确定;刻蚀牺牲层的边缘,使得在牺牲层的边...
刘宇
刘明
胡媛
张凯平
张培文
路程
赵盛杰
刘琦
吕杭炳
谢常青
文献传递
一种半导体器件及其制备方法
本发明涉及一种半导体器件及其制备方法,该制备方法包括:提供第一半导体结构,所述第一半导体结构包括位于表面的电解质层;在所述电解质层上形成绝缘保护层;通过干法刻蚀去除部分所述绝缘保护层,并形成暴露部分所述电解质层的暴露区域...
尚大山
徐晗
李悦
刘宇
张凯平
刘琦
使用金属诱导自掩模刻蚀工艺制作石英表面抗反层的方法
本公开提供了一种使用金属诱导自掩模刻蚀工艺制作石英表面抗反层的方法,包括:步骤S100,利用包含氟基气体的混合气体反应离子刻蚀金属材料和石英基片,金属溅射到石英表面形成非挥发金属氟化物;步骤S200,刻蚀产物碳氟聚合物聚...
史丽娜
李龙杰
张凯平
牛洁斌
谢常青
刘明
文献传递
一种阻变存储器及其制作方法
本发明提供的一种阻变存储器及其制作方法,包括:提供一衬底,衬底的生长面包括多个台体;在衬底的生长面上形成下电极薄膜,下电极薄膜对应台体的顶面的区域高于多个台体之间的凹槽区域;在下电极薄膜背离衬底一侧形成绝缘层,绝缘层对应...
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