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胡倍源

作品数：9 被引量：1H指数：1
供职机构：复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 9篇存储器
  • 5篇电路
  • 5篇电路技术
  • 5篇相变存储
  • 5篇集成电路
  • 5篇集成电路技术
  • 4篇相变
  • 4篇相变存储器
  • 3篇电阻
  • 3篇动态存储器
  • 3篇微电子
  • 3篇工艺波动
  • 2篇读操作
  • 2篇小尺寸
  • 2篇灵敏放大器
  • 2篇功耗
  • 2篇多值
  • 1篇导电
  • 1篇读取速度
  • 1篇选择器

机构

  • 9篇复旦大学

作者

  • 9篇林殷茵
  • 9篇胡倍源
  • 8篇吴雨欣
  • 8篇薛晓勇
  • 8篇张佶
  • 8篇徐乐
  • 7篇廖启宏
  • 1篇廖高宏
  • 1篇杨玲明
  • 1篇罗文进

传媒

  • 1篇复旦学报（自...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 5篇2009
  • 1篇2008
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种Cu_xSi_yO阻变存储器的温度特性与微观机制分析被引量：1
2012年
应用有效控制温度偏置的方法对基于0.13μm CMOS工艺的Ta/TaN/CuxSiyO/Cu结构的1Mbit阻变存储芯片进行开关性能和高低阻态导电性能的测试,介于-40～125℃温度区间的统计结果表明:set成功过程所需加载电场能量随偏置温度升高而升高,reset成功过程所需加载电场能量随偏置温度升高而降低;高阻态和低阻态随不同偏置温度呈现相似变化趋势——在-40～25℃间阻值均随偏置温度升高而升高,在25～125℃间均随偏置温度升高而呈下降趋势.针对以上现象提出了电学与热学结合的基于filament的微观模型,由铜空位构成的filament局部的反复形成与断裂对应于阻变存储器从高阻态到低阻态的重复转换,分析了电学和热学各自在CuxSiyO系列的阻变存储器开关和导电微观机制中所起作用.
罗文进胡倍源杨玲明林殷茵
关键词：导电热学
一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案。具体针对相变存储器中存在的、工艺波动下的高可靠性存储与高密度存储之间的矛盾，提出了全新的“以比值为导向”的存储状态定义方法。以此方法为向导，在充...
林殷茵吴雨欣张佶薛晓勇徐乐胡倍源廖启宏
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一种高密度多值相变存储器的存储方案
本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案。具体针对相变存储器中存在的、工艺波动下的高可靠性存储与高密度存储之间的矛盾，提出了全新的“以比值为导向”的存储状态定义方法。以此方法为向导，在充...
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一种新型的相变存储器的读操作方法
本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型相变存储器的读操作方法。每个相变存储器结构的位线在多路选择器进行选择，然后分成两路分别经过第一选通开关和第二选通开关连接到读出放大器的两端。读出放大器两端接到第三开关的两端。其优...
林殷茵廖启宏张佶薛晓勇吴雨欣胡倍源徐乐
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一种不挥发动态存储器
本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型不挥发动态存储器及其存储操作方法。存储器包括数个存储单元，每个存储单元位于两条字线与一条位线的各个交叉区。每个存储单元包括一个相变存储单元和一个动态存储单元，其中相变存储单元由第...
林殷茵张佶薛晓勇吴雨欣廖启宏胡倍源徐乐
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一种高读取速度、低操作干扰的相变存储单元存储器及其操作方法
本发明属于微电子技术领域，具体为一种高读取速度、低操作干扰的相变电阻存储单元结构存储器及其存储操作方法，其特征在于包括：数条字线，数条位线，以及数个存储单元，每个存储单元位于一条字线与两条位线的各个交叉区。每个存储单元包...
林殷茵徐乐张佶薛晓勇吴雨欣廖启宏胡倍源
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一种新型不挥发动态存储器及其存储操作方法
本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型双端口动态随机存储器及其存储操作方法，其特征在于包括数条字线，数条位线，以及数个存储单元，每个存储单元位于两条字线与两条位线的各个交叉区。每个存储单元包括一个相变存储单元、两个选...
林殷茵胡倍源张佶薛晓勇吴雨欣廖高宏徐乐
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一种新型不挥发动态存储器及其存储操作方法
本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型不挥发动态存储器及其存储操作方法。存储器包括数个存储单元，每个存储单元位于两条字线与一条位线的各个交叉区。每个存储单元包括一个相变存储单元和一个动态存储单元，其中相变存储单元由第...
林殷茵张佶薛晓勇吴雨欣廖启宏胡倍源徐乐
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一种电阻转换存储器及其存储操作方法
本发明属于集成电路技术领域，具体为一种电阻转换存储器及对这种存储器进行存储操作的方法。采用相变材料(如Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>)或者二元以上(包括二元)的多元金...
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