吴雨欣
- 作品数：24 被引量：7H指数：2
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 一种消除过写、误写现象的电阻随机存储器
- 本发明提供一种消除过写、误写现象的电阻随机存储器(Resistance RandomAccess Memory，RRAM)的结构及实现方式，属于存储器技术领域。该电阻随机存储器包括存储阵列、行译码器、列译码器、列选通管、...
- 林殷茵吴雨欣张佶金钢
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- 一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案
- 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案。具体针对相变存储器中存在的、工艺波动下的高可靠性存储与高密度存储之间的矛盾，提出了全新的“以比值为导向”的存储状态定义方法。以此方法为向导，在充...
- 林殷茵吴雨欣张佶薛晓勇徐乐胡倍源廖启宏
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- 一种存储器
- 本发明属于存储器技术领域，具体提供一种具有冗余阵列的存储器。该存储器通过采用阻变存储器阵列替代现有技术的熔丝阵列，用来存储该存储器的基本存储阵列中的缺陷或失效存储单元的相关信息以提高存储器的可靠性。因此，该存储器具有面积...
- 林殷茵吴雨欣李萌
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- 一种消除过写、误写现象的电阻随机存储器
- 本发明提供一种消除过写、误写现象的电阻随机存储器(Resistance RandomAccess Memory，RRAM)的结构及实现方式，属于存储器技术领域。该电阻随机存储器包括存储阵列、行译码器、列译码器、列选通管、...
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- 一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法
- 本发明属存储器技术领域，涉及一种一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法。本发明提供的一次编程电阻随机存储单元使用二元或者二元以上的多元金属氧化物作并具有2T2R的结构特点，通过第一个存储电阻和第二个存储电阻的...
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- 一次可编程电阻型存储器测试方法
- 本发明属于存储器技术领域，涉及一种一次可编程电阻型存储器测试方法。本发明利用一次可编程电阻型存储器的存储介质具有多次擦写容限的能力，在测试过程中进行擦除操作验证、存储功能验证和可靠性作测试。利用该测试方法可以大大提高一次...
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- 基于0.13m标准逻辑工艺的1Mb阻变存储器设计与实现被引量：4
- 2011年
- 采用了SMIC 0.13μm标准CMOS工艺设计并实现了一个1 Mb容量的基于1T1R结构的阻变存储器。描述了整个芯片的基本存储单元、存储器架构以及特殊的电路设计技术,包括优化的存储器架构、用于降低reset功耗的多电压字线驱动、使电阻分布更紧凑的斜坡脉冲写驱动以及可验证的读取参考系统。芯片实现了22F2的存储单元特征尺寸,小于30μA的reset电流和2个数量级的可擦写次数的提高。
- 金钢吴雨欣张佶黄晓辉吴金刚林殷茵
- 一种带读电压偏置NMOS晶体管的电阻转换存储器
- 本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种带读电压偏置NMOS晶体管的电阻转换存储器。本发明通过在读电路模块和位线之间增加用于偏置存储阵列的预定读操作电压的NMOS晶体管，消除电路在读电路模块中由于工艺波动性等因素带来的...
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- 新型阻变存储器内的电压解决方案
- 2011年
- 相对于现在流行的FLASH型存储器,新型阻变存储器(resistive-RAM,RRAM)有很多优势,比如较高的存储密度和较快的读写速度。而针对RRAM的读写操作特性,提出了一种适用于新型阻变存储器的提供操作电压的电路。该方案解决了新型存储器需要外部提供高于电源电压的操作电压的问题,使得阻变存储器能应用于嵌入式设备。同时,对工艺波动和温度波动进行补偿,从而降低了阻变存储器的读写操作在较差的工艺和温度环境下的失败概率,具有很强的实际应用意义。该设计采用0.13μm标准CMOS 6层金属工艺在中芯国际(SMIC)流片实现,测试结果表明,采用此电路的RRAM能正确地进行数据编程和擦除等操作,测试结果达到设计要求。
- 廖启宏吴雨欣林殷茵
- 关键词：电荷泵压控振荡器温度
- 一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法
- 本发明属存储器技术领域，涉及一种一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法。本发明提供的一次编程电阻随机存储单元使用二元或者二元以上的多元金属氧化物作并具有2T2R的结构特点，通过第一个存储电阻和第二个存储电阻的...
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