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徐乐

作品数:10 被引量:1H指数:1
供职机构:复旦大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 10篇存储器
  • 6篇相变存储
  • 5篇电路
  • 5篇电路技术
  • 5篇相变
  • 5篇相变存储器
  • 5篇集成电路
  • 5篇集成电路技术
  • 4篇微电子
  • 4篇工艺波动
  • 3篇电阻
  • 3篇动态存储器
  • 3篇多值
  • 2篇读操作
  • 2篇小尺寸
  • 2篇灵敏放大器
  • 2篇功耗
  • 1篇读取速度
  • 1篇选择器
  • 1篇氧化物

机构

  • 10篇复旦大学

作者

  • 10篇林殷茵
  • 10篇徐乐
  • 9篇张佶
  • 8篇吴雨欣
  • 8篇薛晓勇
  • 8篇胡倍源
  • 7篇廖启宏
  • 1篇金钢
  • 1篇廖高宏
  • 1篇解玉凤

传媒

  • 1篇复旦学报(自...

年份

  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 5篇2009
  • 1篇2008
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种相变存储器单元及其操作方法
本发明属于微电子技术领域,具体为一种高可靠性、高密度相变存储器单元及其存储操作方法,由两个相变存储单元和两个选通三极管来构成一个存储单元。两个相变存储单元和两个选通三极管共用同一条字线,而与不同的位线相连。其优点在于:在...
林殷茵徐乐张佶金钢
文献传递
一种不挥发动态存储器
本发明属于集成电路技术领域,具体为一种新型不挥发动态存储器及其存储操作方法。存储器包括数个存储单元,每个存储单元位于两条字线与一条位线的各个交叉区。每个存储单元包括一个相变存储单元和一个动态存储单元,其中相变存储单元由第...
林殷茵张佶薛晓勇吴雨欣廖启宏胡倍源徐乐
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2B2R结构下高可靠性多值存储方法被引量:1
2010年
设计了一种运用互补单元,三极管作为选通管的2B2R结构,并利用相变存储电阻存在三态稳定阻值的特性,采用全新的以比值定义状态的存储方法,实现了四态多值存储.本设计中的相变存储单元在没有造成面积上牺牲的情况下,达到了1T1R四态多值存储单元的存储密度,并且改善了工艺波动对数据读出的影响,结合了占用面积小、存储密度大和可靠性高这3个优点,使得相变存储器在高密度,高可靠性的应用场合有着良好的前景.
徐乐解玉凤林殷茵
关键词:相变存储器
一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案
本发明属于微电子技术领域,具体涉及一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案。具体针对相变存储器中存在的、工艺波动下的高可靠性存储与高密度存储之间的矛盾,提出了全新的“以比值为导向”的存储状态定义方法。以此方法为向导,在充...
林殷茵吴雨欣张佶薛晓勇徐乐胡倍源廖启宏
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一种新型的相变存储器的读操作方法
本发明属于集成电路技术领域,具体为一种新型相变存储器的读操作方法。每个相变存储器结构的位线在多路选择器进行选择,然后分成两路分别经过第一选通开关和第二选通开关连接到读出放大器的两端。读出放大器两端接到第三开关的两端。其优...
林殷茵廖启宏张佶薛晓勇吴雨欣胡倍源徐乐
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一种高密度多值相变存储器的存储方案
本发明属于微电子技术领域,具体涉及一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案。具体针对相变存储器中存在的、工艺波动下的高可靠性存储与高密度存储之间的矛盾,提出了全新的“以比值为导向”的存储状态定义方法。以此方法为向导,在充...
林殷茵吴雨欣张佶薛晓勇徐乐胡倍源廖启宏
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一种新型不挥发动态存储器及其存储操作方法
本发明属于集成电路技术领域,具体为一种新型双端口动态随机存储器及其存储操作方法,其特征在于包括数条字线,数条位线,以及数个存储单元,每个存储单元位于两条字线与两条位线的各个交叉区。每个存储单元包括一个相变存储单元、两个选...
林殷茵胡倍源张佶薛晓勇吴雨欣廖高宏徐乐
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一种电阻转换存储器及其存储操作方法
本发明属于集成电路技术领域,具体为一种电阻转换存储器及对这种存储器进行存储操作的方法。采用相变材料(如Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>)或者二元以上(包括二元)的多元金...
林殷茵薛晓勇张佶吴雨欣胡倍源廖启宏徐乐
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一种新型不挥发动态存储器及其存储操作方法
本发明属于集成电路技术领域,具体为一种新型不挥发动态存储器及其存储操作方法。存储器包括数个存储单元,每个存储单元位于两条字线与一条位线的各个交叉区。每个存储单元包括一个相变存储单元和一个动态存储单元,其中相变存储单元由第...
林殷茵张佶薛晓勇吴雨欣廖启宏胡倍源徐乐
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一种高读取速度、低操作干扰的相变存储单元存储器及其操作方法
本发明属于微电子技术领域,具体为一种高读取速度、低操作干扰的相变电阻存储单元结构存储器及其存储操作方法,其特征在于包括:数条字线,数条位线,以及数个存储单元,每个存储单元位于一条字线与两条位线的各个交叉区。每个存储单元包...
林殷茵徐乐张佶薛晓勇吴雨欣廖启宏胡倍源
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共1页<1>
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