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薛晓勇
作品数:
56
被引量:5
H指数:1
供职机构:
复旦大学
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国家自然科学基金
国家高技术研究发展计划
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林殷茵
复旦大学信息科学与工程学院专用...
胡倍源
复旦大学
徐乐
复旦大学
张佶
复旦大学
吴雨欣
复旦大学
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一种非易失三态内容寻址存储器及其寻址方法
本发明涉及嵌入式控制领域,公开了一种非易失三态内容寻址存储器及其寻址方法,所述存储器包括:搜索线、匹配线、互补搜索线和多个存储单元,所述存储单元包括第一存储电阻和第二存储电阻,所述第一存储电阻的第一端与所述搜索线相连,所...
薛晓勇
林殷茵
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低功耗静态存储器SRAM
本发明属于存储器技术领域,提出一种减少漏电流的静态存储器SRAM系统,包括读写电路、ECC检错纠错电路、电压调节器、偏压管和存储单元阵列,电压调节器控制偏压管降低或增加存储单元阵列的电源电压;读写电路,用于当电源电压恢复...
林殷茵
薛晓勇
文献传递
一种动态调控的忆阻器编程方法和系统
本发明公开了一种动态调控的忆阻器编程方法和系统;该方法包括:根据不同应用场景,对忆阻器所存储的数据进行分析和分类,根据数据热度将数据分为热数据、温数据、冷数据,对于冷数据,由进行编程操作时限流需要高电流,对于热数据,限流...
薛晓勇
姜婧雯
黄晓丽
赵晨阳
方晋北
陈德扬
郭之望
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一种忆阻器阻态数目扩展的结构及相关方法
本发明涉及一种忆阻器阻态数目扩展的结构及相关方法,能够在忆阻器交叉阵列中实现阻态数目扩展的结构,包含交叉阵列单元、阻态扩展功能线群、输入线群、输出线群、单元连接线群;其中,阻态扩展功能线群通过多条末端为第一选通器的阻态扩...
刘文军
薛晓勇
张朕银
姜婧雯
周鹏
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一种超低功耗非挥发静态随机存取存储单元及其操作方法
本发明发球集成电路技术领域,具体为一种超低功耗非挥发静态随机存取存储单元。该存储单元采用二元或者二元以上的多元金属氧化物作为非挥发存储电阻,包括一个六管静态随机存取存储单元,两个互补的存储电阻,两个与存储电阻分别耦连的选...
林殷茵
薛晓勇
文献传递
一种基于电荷泵的神经元电路
本发明属于神经元器件技术领域,具体涉及一种基于电荷泵的神经元电路。本发明的神经元电路包括:积分重置电路、电压比较电路和脉冲输出电路;积分重置电路以外部电路的电流作为输入,首先把经过突触调制的电流脉冲信号转换成电压脉冲,再...
薛晓勇
赵晨阳
杨何勇
姜婧雯
田丰实
章志元
一种可用于训练的忆阻器阵列系统
本发明属于存储器技术领域,具体为一种可用于训练的忆阻器阵列系统。本发明系统包括:WL与BL寄存器,输入驱动,用于存储数据信息的忆阻器阵列,将忆阻器阵列输出的模拟信号转换为数字信号模数转换器,用于对ADC输出的数字信号进行...
薛晓勇
郭之望
姜婧雯
黄晓丽
赵晨阳
方晋北
陈德扬
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位线合并的增益单元eDRAM单元及存储器
本发明属于动态随机存储器(DRAM)技术领域,具体为一种位线合并的增益单元eDRAM单元及存储器。本发明提供的增益单元eDRAM单元包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线、等效寄生电容以及一条位线,使用该条位...
林殷茵
薛晓勇
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一种基于忆阻器的神经元电路
本发明属于神经元器件技术领域,具体为一种基于忆阻器的神经元电路。本发明的神经元电路包括:积分重置电路、电阻比较电路和脉冲输出电路;积分重置电路以外部电路的电流作为输入,通过忆阻器的复位或置位操作来实现对输入电流的积分,并...
薛晓勇
杨何勇
赵晨阳
姜婧雯
田丰实
章志元
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用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM
本发明属于嵌入式动态随机存储器技术领域,具体为一种用于可编程逻辑器件的增益单元eDRAM。本发明中的增益单元eDRAM,包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线、写位线、读位线以及等效寄生电容,所述等效寄生电容...
林殷茵
薛晓勇
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