李辉
- 作品数：5 被引量：11H指数：2
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 温度梯度溶液生长法制备x=0.2的Cd_(1-x)Zn_xTe晶体及性能研究被引量：1
- 2012年
- 利用温度梯度溶液生长法(TGSG)在较低生长温度下制备了掺Al和掺In的x=0.2的Cd1-xZnxTe晶体,晶体起始生长温度约为1223K,温度梯度为20～30K/cm,坩埚的下降速度为1mm/h。采用红外显微镜、傅里叶红外光谱仪、扫描电镜能谱仪(SEM/EDS)和I-V测试分别研究了晶体中的Te夹杂相、红外透过率、Zn组分分布和电阻率。结果显示CdZnTe晶锭初始生长区、稳定生长区的Te夹杂相密度分别为8.3×103、9.2×103/cm-2,比垂直布里奇曼法生长的晶体低约1个数量级,红外透过率分别为61%、60%。Al掺杂CdZnTe晶体的电阻率为1.05×106Ω.cm,而In掺杂CdZnTe晶体的电阻率为7.85×109Ω.cm。晶锭初始生长区和稳定生长区的Zn组分径向分布均匀。
- 王东闵嘉华梁小燕孙孝翔刘伟伟李辉张继军王林军
- 关键词：碲锌镉红外透过率
- Pd掺杂SnO_2气敏薄膜XPS分析及其气敏性能研究被引量：5
- 2011年
- 分别在氧气和氩气气氛下,于纯SnO2气敏薄膜上溅射金属Pd制备了Pd掺杂SnO2气敏薄膜。利用XPS分析了溅射气氛和老化处理对该气敏薄膜表面元素含量变化的影响。结果表明:溅射气氛和老化处理对气敏薄膜的表面吸附氧含量和其他元素的含量均有很大影响,如氩气气氛下制备的Pd/SnO2气敏薄膜在老化前与400℃/2 h老化后的表面吸附氧原子的摩尔比为11.632 9:4.341 6。Pd掺杂SnO2气敏元件的灵敏度比未掺杂的元件灵敏度提高数十倍。最后对气敏元件的敏感机理进行了探讨。
- 高兆芬李辉徐甲强曾宇平
- 关键词：电导气敏二氧化锡
- 坩埚中自由空间量对Bridgman法生长的CdZnTe晶体缺陷的影响被引量：1
- 2012年
- 采用Bridgman法生长CdZnTe晶体.分别采用红外透过显微镜和正电子湮灭寿命谱仪研究了CdZnTe晶体中的Te夹杂相、Cd空位等缺陷与坩埚中的自由空间量大小的关系.结果表明:随着坩埚自由空间量的减小,晶体中Te夹杂相密度从6.67×104/cm2降低到2.36×103/cm2,且Te夹杂相尺寸减小;晶体的正电子平均寿命值随着坩埚自由空间量的减小从325.4 ps降低到323.4 ps,表明晶体的Cd空位浓度及微结构缺陷减少;晶体的红外透过率和电阻率则随着坩埚自由空间量的减小大幅提高,进一步表明坩埚中自由空间量的减小能够有效地降低晶体中的缺陷浓度.
- 李辉闵嘉华王林军夏义本张继军叶邦角
- 关键词：CDZNTE正电子寿命
- 用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳工艺研究被引量：4
- 2010年
- 采用原子力显微镜(AFM)、椭圆偏振光谱仪、Dage-Pc2400推理分析等测试方法研究了石英坩埚真空镀膜工艺获得的碳膜的表面状态、粗糙度,碳膜和石英坩埚的结合力,确定了用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳的最优工艺参数。研究表明,以乙醇为碳源,坩埚真空退火9 h后,碳源通入量为1.5 mL时,获得了厚度为0.7163μm,表面粗糙度为4.7 nm,结合力达8.11 kg的碳膜。采用此工艺镀膜的石英坩埚生长CdZnTe晶体后,碳膜附着完好,晶体表面平整光洁,位错密度降低。
- 陈军闵嘉华梁小燕张继军王东李辉
- 关键词：CDZNTE晶体粗糙度结合力位错密度
- SnO2(110)面气体吸附选择性的第一性原理研究
- 李辉徐甲强
