王东
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Na_(1.88)Bi_(1.88)S_4和Na_(1.36)Ca_(1.28)Bi_(1.36)S_4单晶制备与结构及其光学性能表征(英文)被引量：1
- 2018年
- 采用碘化钠为助熔剂,通过固相反应法制备了两种晶体质量较好的Na_(1.88)Bi_(1.88)S_4和Na_(1.36)Ca_(1.28)Bi_(1.36)S_4单晶。测试结果表明,它们属于氯化钠结构,面心立方,空间群为Fm-3m。形貌表征和物性测试结果表明,在碘化钠的作用下,化合物Na_(1.88)Bi_(1.88)S_4和Na_(1.36)Ca_(1.28)Bi_(1.36)S_4呈现双锥状形貌,沿(111)晶面择优取向生长,带隙分别为1.29和1.45 eV。通过光电器件性能测试,发现两种化合物均表现出良好的光电响应特性,说明它们可以作为一类潜在的、性能优良的光电开关材料。
- 王东王东赖晓芳黄荣铁施鹰施鹰黄富强
- 关键词：单晶生长半导体材料
- 温度梯度溶液生长法制备x=0.2的Cd_(1-x)Zn_xTe晶体及性能研究被引量：1
- 2012年
- 利用温度梯度溶液生长法(TGSG)在较低生长温度下制备了掺Al和掺In的x=0.2的Cd1-xZnxTe晶体,晶体起始生长温度约为1223K,温度梯度为20～30K/cm,坩埚的下降速度为1mm/h。采用红外显微镜、傅里叶红外光谱仪、扫描电镜能谱仪(SEM/EDS)和I-V测试分别研究了晶体中的Te夹杂相、红外透过率、Zn组分分布和电阻率。结果显示CdZnTe晶锭初始生长区、稳定生长区的Te夹杂相密度分别为8.3×103、9.2×103/cm-2,比垂直布里奇曼法生长的晶体低约1个数量级,红外透过率分别为61%、60%。Al掺杂CdZnTe晶体的电阻率为1.05×106Ω.cm,而In掺杂CdZnTe晶体的电阻率为7.85×109Ω.cm。晶锭初始生长区和稳定生长区的Zn组分径向分布均匀。
- 王东闵嘉华梁小燕孙孝翔刘伟伟李辉张继军王林军
- 关键词：碲锌镉红外透过率
- 溶液法制备CdZnTe晶体中Te夹杂相分析被引量：4
- 2013年
- 利用红外(infrared,IR)显微镜、腐蚀坑形貌及傅里叶红外(Fourier transform infrared,FTIR)光谱仪观察研究溶液法制备CdZnTe晶体中的Te夹杂相.讨论CdZnTe晶锭中Te夹杂相的分布和原因,及其对晶体中位错密度(etch pitdensity,EPD)和红外透过率的影响.实验结果表明:沿生长轴方向,Te夹杂相密度增大,相应的位错密度也增大;红外透过率随Te夹杂相密度的增大而减小,生长末端晶体的透过率低至45%.
- 王东闵嘉华梁小燕孙孝翔刘伟伟张继军王林军
- 关键词：碲锌镉位错红外透过率
- 用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳工艺研究被引量：4
- 2010年
- 采用原子力显微镜(AFM)、椭圆偏振光谱仪、Dage-Pc2400推理分析等测试方法研究了石英坩埚真空镀膜工艺获得的碳膜的表面状态、粗糙度,碳膜和石英坩埚的结合力,确定了用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳的最优工艺参数。研究表明,以乙醇为碳源,坩埚真空退火9 h后,碳源通入量为1.5 mL时,获得了厚度为0.7163μm,表面粗糙度为4.7 nm,结合力达8.11 kg的碳膜。采用此工艺镀膜的石英坩埚生长CdZnTe晶体后,碳膜附着完好,晶体表面平整光洁,位错密度降低。
- 陈军闵嘉华梁小燕张继军王东李辉
- 关键词：CDZNTE晶体粗糙度结合力位错密度
