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张继军

作品数:94 被引量:43H指数:3
供职机构:上海大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市教育委员会创新基金更多>>
相关领域:电子电信理学核科学技术化学工程更多>>

文献类型

  • 57篇专利
  • 30篇期刊文章
  • 7篇会议论文

领域

  • 27篇电子电信
  • 18篇理学
  • 4篇化学工程
  • 4篇核科学技术
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇冶金工程
  • 2篇机械工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇天文地球
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 30篇碲锌镉
  • 22篇晶体
  • 17篇碲锌镉晶体
  • 15篇电极
  • 14篇探测器
  • 12篇辐射探测器
  • 12篇CDZNTE
  • 11篇移动加热器法
  • 10篇CDMNTE
  • 9篇欧姆接触
  • 9篇金刚石薄膜
  • 9篇核辐射
  • 9篇半导体
  • 8篇溶剂
  • 8篇晶体管
  • 8篇红外透过率
  • 8篇场效应
  • 8篇场效应晶体管
  • 7篇升华
  • 6篇漏电

机构

  • 94篇上海大学
  • 2篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇沈阳工业大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 94篇张继军
  • 72篇王林军
  • 51篇闵嘉华
  • 46篇梁小燕
  • 31篇黄健
  • 24篇唐可
  • 15篇夏义本
  • 9篇沈悦
  • 8篇孙孝翔
  • 8篇刘伟伟
  • 7篇李辉
  • 7篇徐闰
  • 7篇王东
  • 6篇陈军
  • 6篇曾庆锴
  • 6篇滕家琪
  • 5篇张涛
  • 5篇陶骏
  • 5篇吴文其
  • 5篇张月璐

传媒

  • 10篇人工晶体学报
  • 5篇功能材料
  • 3篇红外与毫米波...
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇上海大学学报...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇计算机工程
  • 1篇材料导报
  • 1篇发光学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇Transa...
  • 1篇海洋技术学报

年份

  • 6篇2023
  • 6篇2022
  • 5篇2021
  • 8篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 10篇2016
  • 10篇2015
  • 5篇2014
  • 6篇2013
  • 12篇2012
  • 10篇2011
  • 6篇2010
94 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
移动加热器法生长CdMnTe晶体的性能研究被引量:2
2014年
采用垂直布里奇曼法(VB)生长CdMnTe晶体,由于生长温度高、堆垛层错能低、热应力大等因素,晶体中存在大量孪晶、杂质、夹杂相等,限制其在核辐射探测器方面的应用。为了提高晶体的质量,本文采用移动加热器法(travelling heater method,THM)生长CdMnTe晶体,对该方法生长的晶体中Mn的轴向分布、杂质浓度、Te夹杂和电学性能进行测试分析,并与VB法生长的晶体作对比。结果表明THM法生长的CdMnTe晶体中Mn的轴向分布均匀,杂质浓度低于VB法制得的晶体,Te夹杂的尺寸5~25μm,浓度10^3cm^-3,电阻率为10^9-10^10Ω·cm,导电类型为弱n型,制备的探测器在室温下对蝴Am放射源有能谱响应。实验表明THM法生长的CMT晶体在晶体质量和电学性能方面明显优于VB法。
沈萍张继军王林军沈敏梁巍孟华
关键词:CDMNTE移动加热器法电学性能
一种基于THM生长碲锌镉晶体的籽晶溶接方法及装置
本发明涉及一种基于THM生长碲锌镉晶体的籽晶溶接方法及装置,装置包括生长坩埚、用于放置所述生长坩埚的绝热托架、置于所述生长坩埚底部的SiC导热棒以及用于监测碲锌镉单晶籽晶温度的热电偶,籽晶溶接方法包括如下步骤:S1、预处...
张继军卢伟徐哲人曹祥智刘昊祁永武
温度梯度溶液生长法制备x=0.2的Cd_(1-x)Zn_xTe晶体及性能研究被引量:1
2012年
利用温度梯度溶液生长法(TGSG)在较低生长温度下制备了掺Al和掺In的x=0.2的Cd1-xZnxTe晶体,晶体起始生长温度约为1223K,温度梯度为20~30K/cm,坩埚的下降速度为1mm/h。采用红外显微镜、傅里叶红外光谱仪、扫描电镜能谱仪(SEM/EDS)和I-V测试分别研究了晶体中的Te夹杂相、红外透过率、Zn组分分布和电阻率。结果显示CdZnTe晶锭初始生长区、稳定生长区的Te夹杂相密度分别为8.3×103、9.2×103/cm-2,比垂直布里奇曼法生长的晶体低约1个数量级,红外透过率分别为61%、60%。Al掺杂CdZnTe晶体的电阻率为1.05×106Ω.cm,而In掺杂CdZnTe晶体的电阻率为7.85×109Ω.cm。晶锭初始生长区和稳定生长区的Zn组分径向分布均匀。
王东闵嘉华梁小燕孙孝翔刘伟伟李辉张继军王林军
关键词:碲锌镉红外透过率
碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法
本发明公开了一种碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法,本发明器件具有高探测灵敏度和高探测效率,是一种具有吸收和倍增区分离的复合型碲锌镉‑硅探测器。本发明将CZT晶片与SiPM键合在一起,由CZT晶片作为探测核辐射的吸...
闵嘉华梁小燕陈军戴灵恩冯成杰张继军王林军沈悦
平面型核辐射探测器件的制备方法及可携带式核辐射探测装置
本发明公开了一种平面型核辐射探测器件的制备方法,具体为采用CdZnTe晶片制备方法或CdZnTe薄膜制备方法制备平面型核辐射探测器件。本发明还公开了一种可携带式核辐射探测装置,包括探测器感应装置1、前级放大电路2、后级主...
张月璐徐文强陶骏戴宣言徐闰张继军黄健王林军
文献传递
溶剂溶区移动法生长Cd0.9Zn0.1Te晶体工艺参数的优化研究
近二十年来,碲锌镉(Cd1-xZnxTe)晶体因其较大且可变的禁带宽度、高的平均原子序数、优异的载流子运输性能等优点被用来制备X射线探测器及 γ射线探测器,显示出广阔的前景。
凌云鹏闵嘉华梁小燕张继军杨柳青温旭亮张滢李明王林军
关键词:CDZNTE红外透过率
碲锌镉辐射敏感场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种碲锌镉辐射敏感场效应晶体管及其制备方法,在碲锌镉衬底上形成辐射敏感场效应晶体管,该器件的栅极绝缘层为高阻碲锌镉薄膜,加强了探测器对于高能射线的捕获能力和灵敏度。低阻碲锌镉衬底作为沟道层,与绝缘层晶格常数匹...
王处泽张继军闵嘉华薛瑶王林军梁小燕师好智黄健唐可凌立文
文献传递
垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体的径向溶质偏析之有限元分析法模拟被引量:3
2011年
运用有限元分析软件Comsol Multiphys-ics,结合晶体生长固液界面曲率分析法,模拟了垂直布里奇曼法生长Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体。研究了固液界面处曲率变化对于溶质径向偏析的影响,揭示了界面曲率与溶质偏析的内在关联性,并计算了数值。分析了3种晶体生长方式:(1)坩埚匀速生长;(2)两阶段坩埚变速生长;(3)坩埚回熔生长分别对于溶质偏析的影响。采用扫描电子显微镜SEM中的能谱仪EDX测量3种工艺的Zn组分分布:(1)模拟值比对实验结果发现可以运用固液界面的曲率平均值来推算溶质径向组分偏差的大小;(2)模拟推算的溶质径向偏差值更加接近于实验所得的溶质组分偏差最大值;(3)坩埚回熔生长法生长晶体的固液界面的波动性小,界面稳定性最好,溶质径向组分偏差也最小。
王焱闵嘉华梁小燕张继军
关键词:材料科学基础学科数值模拟曲率
一种使用等离子体处理凹槽栅的MIS结构增强型GaN p沟道器件及其制备
本发明涉及一种使用等离子体处理凹槽栅的MIS结构增强型GaN p沟道器件及其制备,该沟道器件包括衬底、设置于衬底上的外延结构层,以及与所述外延结构层配合的源极、漏极、栅极与薄膜介质层,所述外延结构层包括依次设置于衬底上的...
高啸天张继军梁小燕
自支撑CdZnTe薄膜的制备方法
本发明公开了一种自支撑CdZnTe薄膜的制备方法,采用近空间升华方法,通过对沉积后的薄膜进行后处理,来分离薄膜与衬底,获取连续平整的样品。本发明工艺以CdZnTe单晶切片为升华源,通过表面处理获得理想的欧姆电极接触。该方...
陶骏张月璐徐文强徐海涛徐闰张继军黄健王林军
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