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黄健

作品数:161 被引量:34H指数:3
供职机构:上海大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 128篇专利
  • 23篇期刊文章
  • 8篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 31篇电子电信
  • 15篇一般工业技术
  • 11篇理学
  • 9篇金属学及工艺
  • 4篇化学工程
  • 2篇机械工程
  • 2篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇文化科学
  • 1篇核科学技术

主题

  • 50篇探测器
  • 41篇金刚石薄膜
  • 27篇紫外光探测器
  • 27篇光探测
  • 27篇光探测器
  • 24篇溅射
  • 19篇光电
  • 17篇磁控
  • 16篇升华
  • 16篇碲锌镉
  • 14篇金刚石
  • 14篇光电探测
  • 14篇光电探测器
  • 14篇刚石
  • 14篇磁控溅射
  • 13篇电极
  • 13篇金属
  • 12篇辐射探测器
  • 11篇纳米金刚石薄...
  • 11篇晶体管

机构

  • 161篇上海大学
  • 2篇牡丹江师范学...
  • 2篇中国科学院
  • 1篇吉林大学
  • 1篇吉林农业大学
  • 1篇中国科学院长...
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇鞍钢股份有限...
  • 1篇上海空间电源...

作者

  • 161篇黄健
  • 130篇王林军
  • 70篇唐可
  • 42篇夏义本
  • 31篇张继军
  • 19篇徐闰
  • 16篇任兵
  • 12篇曾庆锴
  • 11篇赖建明
  • 11篇胡艳
  • 10篇沈悦
  • 10篇张磊
  • 10篇闵嘉华
  • 9篇陶骏
  • 9篇管玉兰
  • 9篇顾峰
  • 8篇侯雪玲
  • 8篇胡广
  • 8篇祝雪丰
  • 7篇曾智

传媒

  • 3篇上海金属
  • 3篇红外与毫米波...
  • 3篇液晶与显示
  • 2篇电子器件
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇新型炭材料
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇发光学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇教育教学论坛
  • 1篇中文科技期刊...
  • 1篇中国金属学会...

年份

  • 1篇2024
  • 10篇2023
  • 4篇2022
  • 10篇2021
  • 10篇2020
  • 15篇2019
  • 5篇2018
  • 8篇2017
  • 14篇2016
  • 7篇2015
  • 10篇2014
  • 13篇2013
  • 14篇2012
  • 13篇2011
  • 9篇2010
  • 3篇2009
  • 12篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇1989
161 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于自支撑金刚石薄膜的晶体管和紫外探测器制备与性能研究
由于金刚石薄膜具有优异的力学、热学、光学、电学和化学稳定性,使得它成为一种理想的电子器件用宽禁带半导体材料,基于金刚石薄膜的器件尤其适用于在高温、高功率、强辐射和腐蚀性的苛刻环境下应用。CVD金刚石薄膜,尤其是具有光滑表...
黄健
关键词:肖特基势垒栅场效应晶体管ZNO薄膜紫外光探测器
文献传递
EA-HFCVD沉积纳米金刚石膜的光致发光分析(英文)
2007年
采用电子辅助-热丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)在硅片上沉积出晶粒尺寸为30nm的均匀金刚石膜。生长过程中,预先加6A偏流生长1h,然后在0.8kPa条件下,无偏流生长3h。光致发光谱中存在4个发光中心分别位于1.682eV,1,564eV,1,518eV和1.512eV的发光峰。1.682eV处发光峰源于衬底硅原子掺杂于膜中引起的缺陷;其他发光峰源于金刚石晶格振动声子。光致发光强度越大对应的缺陷密度越大,从而降低了场发射域值电场强度,其关键可能源于金刚石膜电导型晶界。
祝雪丰王林军胡广刘健敏黄健徐金勇夏义本
关键词:光致发光
采用氧化锌导电电极的碲锌镉辐射探测器及其制备方法
本发明公开了一种采用氧化锌导电电极的碲锌镉辐射探测器及其制备方法,该辐射探测器采用电极‑半导体‑电极三明治器件结构,即依次由氧化锌基导电氧化物薄膜电极、碲锌镉和氧化锌基导电氧化物薄膜电极三部分层叠组装的结构。本发明采用氧...
黄健李冰马云诚胡艳邹天宇唐可于舜杰黄浩斐王林军
文献传递
同质缓冲层对磁控溅射Ga2O3薄膜性能的影响
薄膜膜的结晶质量对光电器件的性能有着重要影响。然而,由于晶格失配和不同的热膨胀系数,难以通过直接沉积的方法在玻璃,蓝宝石,氧化铝和硅衬底上制备高质量的β-Ga2O3薄膜。为了改善膜结晶质量,引入了同质缓冲层来减小膜和基板...
陆元曦黄健杨瑾
关键词:氧化镓磁控溅射
纳米光学金刚石薄膜的分析与改进(英文)被引量:1
2007年
由于极其优良的热学和光学性能,纳米金刚石薄膜极有可能应用于背投电视的激光光学窗口。文章通过在热丝辅助化学气相沉积法中采用偏压增强成核(BEN-HFCVD) ,成功地在(100)硅衬底上制得了适于作为光学窗口的高质量的光学级纳米金刚石薄膜,采用的偏压为-30 V。通过表征制备的纳米金刚石薄膜,发现它具有光滑的表面,表面均方根粗糙度(RMS)约为10 nm,并且对自支撑纳米金刚石薄膜进行透射光谱分析得到其透射率达到了50 %。
胡广王林军祝雪丰刘建民黄健徐金勇夏义本
关键词:纳米金刚石光学性质表面粗糙度
一种基于InAs/InAsSb二类超晶格的中红外波段光电探测器
本发明公开了一种基于InAs/InAsSb二类超晶格的中红外波段光电探测器及其制备方法。本发明的光电探测器包括:依次层叠的衬底层、阴极接触层、集电层、InAs/InAsSb超晶格吸收层、电子阻挡层及阳极接触层;形成于阴极...
陈佰乐黄健
文献传递
一种硅基ZnS薄膜紫外可见光光电探测器的制备方法
本发明涉及的是一种硅基ZnS薄膜紫外可见光光电探测器的制造方法,属于无机非金属材料器件制造工艺领域。本发明是采用磁控溅射法,在p型Si衬底上制备n型ZnS薄膜,形成ZnS薄膜/Sipn结结构紫外可见光探测器,为制作高性能...
王林军杨惠敏黄健张磊任兵陶骏张凯勋
文献传递
一种氧化镓器件用欧姆接触复合电极及其制备方法
本发明公开了一种氧化镓器件用欧姆接触复合电极及其制备方法,实现与氧化镓材料形成欧姆接触的复合电极,与氧化镓材料形成欧姆接触的复合电极结构采用低阻复合中间层‑金属电极的组合形式,整体依次由氧化镓材料、低阻掺杂氧化镓中间层、...
王世琳王梦倩黄浩斐邓洁刘尊龚恒玥贺新柳唐可黄健王林军
一种(B、Ga)共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法
本发明涉及一种(B、Ga)共掺ZnO/ZnCdO/GaN结型结构的中子探测器的制备方法,属于辐射探测器器件制造工艺技术领域。本发明是在p型GaN衬底上采用射频磁控溅射法制备一层n型ZnCdO薄膜,再在其上制备表面均匀,结...
黄健杨瑾季欢欢陆元曦周家伟张磊胡艳王林军
文献传递
平面型核辐射探测器件的制备方法及可携带式核辐射探测装置
本发明公开了一种平面型核辐射探测器件的制备方法,具体为采用CdZnTe晶片制备方法或CdZnTe薄膜制备方法制备平面型核辐射探测器件。本发明还公开了一种可携带式核辐射探测装置,包括探测器感应装置1、前级放大电路2、后级主...
张月璐徐文强陶骏戴宣言徐闰张继军黄健王林军
文献传递
共17页<12345678910>
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