闵嘉华
- 作品数：135 被引量：211H指数：9
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市教育委员会创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术一般工业技术更多>>
- 碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种碲锌镉/硅γ射线X射线探测器及其制备方法，本发明器件具有高探测灵敏度和高探测效率，是一种具有吸收和倍增区分离的复合型碲锌镉‑硅探测器。本发明将CZT晶片与SiPM键合在一起，由CZT晶片作为探测核辐射的吸...
- 闵嘉华梁小燕陈军戴灵恩冯成杰张继军王林军沈悦
- 溶剂溶区移动法生长Cd0.9Zn0.1Te晶体工艺参数的优化研究
- 近二十年来，碲锌镉(Cd1-xZnxTe)晶体因其较大且可变的禁带宽度、高的平均原子序数、优异的载流子运输性能等优点被用来制备X射线探测器及 γ射线探测器，显示出广阔的前景。
- 凌云鹏闵嘉华梁小燕张继军杨柳青温旭亮张滢李明王林军
- 关键词：CDZNTE红外透过率
- 碲锌镉辐射敏感场效应晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种碲锌镉辐射敏感场效应晶体管及其制备方法，在碲锌镉衬底上形成辐射敏感场效应晶体管，该器件的栅极绝缘层为高阻碲锌镉薄膜，加强了探测器对于高能射线的捕获能力和灵敏度。低阻碲锌镉衬底作为沟道层，与绝缘层晶格常数匹...
- 王处泽张继军闵嘉华薛瑶王林军梁小燕师好智黄健唐可凌立文
- 文献传递
- 垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体的径向溶质偏析之有限元分析法模拟被引量：3
- 2011年
- 运用有限元分析软件Comsol Multiphys-ics,结合晶体生长固液界面曲率分析法,模拟了垂直布里奇曼法生长Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体。研究了固液界面处曲率变化对于溶质径向偏析的影响,揭示了界面曲率与溶质偏析的内在关联性,并计算了数值。分析了3种晶体生长方式:(1)坩埚匀速生长;(2)两阶段坩埚变速生长;(3)坩埚回熔生长分别对于溶质偏析的影响。采用扫描电子显微镜SEM中的能谱仪EDX测量3种工艺的Zn组分分布:(1)模拟值比对实验结果发现可以运用固液界面的曲率平均值来推算溶质径向组分偏差的大小;(2)模拟推算的溶质径向偏差值更加接近于实验所得的溶质组分偏差最大值;(3)坩埚回熔生长法生长晶体的固液界面的波动性小,界面稳定性最好,溶质径向组分偏差也最小。
- 王焱闵嘉华梁小燕张继军
- 关键词：材料科学基础学科数值模拟曲率
- 热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究(英文)被引量：3
- 2007年
- 对电阻率为10^3-6Ω·cm的In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片在Te气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理，对电阻率为10^8-9Q·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理。结果表明，In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级。非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型，在热处理温度700℃，In分压6．1×10^-4Pa，退火时间达48h后，电阻率可以提高到2．6×10^9Ω·cm。
- 闵嘉华桑文斌刘洪涛钱永彪滕建勇樊建荣李万万张斌金玮
- 关键词：CDZNTE
- 硅片和化合物半导体晶片的低温键合方法
- 本发明公开了一种硅片和化合物半导体晶片的低温键合方法，使用新的物质石墨烯作为键合介质实现CdZnTe与硅的键合，包括如下步骤：准备硅片,对硅片进行标准湿式化学凊洗法(RCA清洗法)清洗；然后准备CdZnTe晶片，对CdZ...
- 闵嘉华秦美琪陈军戴灵恩赵树浩梁小燕张继军沈悦王林军赵岳
- 文献传递
- CdZnTe(111)B面Au/Zn电极的制备及其接触界面性能的研究
- 宽禁带半导体材料CdZnTe(CZT)因其高的平均原子序数、高电阻率、良好的载流子传输性能、以及室温下性能优良等优点，已经广泛运用于核医学成像、天体物理、安全检查等研究领域，是目前最有前途的室温x射线、γ射线探测器材料之...
- 杨柳青闵嘉华梁小燕刘兆鑫凌云鹏张继军张滢李明
- 关键词：CDZNTE电极制备
- Cd在Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体中的有效扩散系数与扩散激活能
- 2006年
- 为了计算Cd在Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体中的有效扩散系数DCd与扩散激活能QCd,利用Cd在CZT晶体中的扩散特性,设计了在不同Cd压下对CZT的退火实验,推导出了晶体电阻率与Cd有效扩散系数之间的函数关系,经过计算,首次获得了在1073K,973K和873K温度时Cd原子在CZT晶体中的有效扩散系数DCd,分别为1.464×10-10cm2/s,1.085×10-11cm2/s和4.167×10-13cm2/s。将扩散数据经过拟合后得到了Cd原子在CZT晶片中有效扩散系数的表达式:2.33×exp(–2.38eV/kT)(873K^1073K),其中扩散激活能QCd为2.38eV。
- 刘洪涛桑文斌李万万张斌闵嘉华詹峰曹泽淳
- 探测器用CdTe、ZnTe和CdZnTe原料的提纯方法及其装置
- 本发明涉及一种探测器用CdTe、ZnTe和CdZnTe原料的提纯方法及其装置。属于高纯原料气相提纯工艺技术领域。本方法采用准闭管气相输运提纯法，具体工艺程序如下：将Cd、Zn、Te合成的化合物多晶原料放入气相输运装置电阻...
- 闵嘉华桑文斌刘洪涛李万万詹峰
- 文献传递
- n掺杂CdMnTe晶体中Cd空位分布及电学性能研究
- 近年来，三元化合物半导体碲锰镉受到了广泛的关注和研究.CdMnTe晶体具有优异的光电性能，是最为理想的室温X射线、γ射线探测器材料之一.
- 温旭亮张继军王林军闵嘉华梁小燕黄健唐可毛祎斐凌云鹏杨柳青
- 关键词：点缺陷掺杂
