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张玉蒙

作品数：10 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 6篇漂移区
  • 5篇结终端
  • 5篇击穿电压
  • 4篇平面结
  • 4篇终端
  • 4篇功率半导体
  • 4篇功率半导体器...
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体器件
  • 3篇IGBT
  • 2篇导通
  • 2篇导通压降
  • 2篇栅电极
  • 2篇损耗
  • 2篇终端结构
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基二极管
  • 2篇肖特基结
  • 2篇劣化
  • 2篇开关损耗

机构

  • 10篇电子科技大学
  • 1篇光电子有限公...

作者

  • 10篇张玉蒙
  • 9篇李泽宏
  • 9篇张金平
  • 8篇张波
  • 8篇任敏
  • 6篇高巍
  • 2篇刘竞秀
  • 2篇廖航
  • 2篇谢驰

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种带埋层的新型结终端技术被引量：1
2016年
在高压功率器件领域,常规的场限环技术由于环的个数较多,占用芯片面积较大,导致终端的效率很低。为了改善这一缺点,提出了一种带P–埋层的新型高压终端技术,有效降低了主结边缘处的电场集中,提高了击穿电压。仿真结果表明,该结构的击穿电压达到3 439 V,终端的长度为1 000μm,较常规的场限环结构1 500μm(英飞凌公司3 300 V产品)节省了近30%的终端面积。
周嵘张玉蒙李泽宏熊景枝张金平
关键词：电场击穿电压终端技术场限环
一种平面栅IGBT及其制作方法
一种平面栅IGBT及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统平面栅IGBT器件结构的基础上，在器件JFET区表面的部分区域引入浮空p型区，所述浮空p型区与栅电极在垂直于MOS沟道长度方向形成间隔分布，器件正向...
张金平张玉蒙田丰境刘竞秀李泽宏任敏张波
文献传递
一种平面栅IGBT及其制作方法
一种平面栅IGBT及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统平面栅IGBT器件结构的基础上，在器件JFET区表面的部分区域引入浮空p型区，所述浮空p型区与栅电极在垂直于MOS沟道长度方向形成间隔分布，器件正向...
张金平张玉蒙田丰境刘竞秀李泽宏任敏张波
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一种沟槽型肖特基二极管
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种沟槽型肖特基二极管。本发明提出一种沟槽型肖特基二极管，通过在深槽内填充肖特基金属，增大肖特基结的有效面积，提高其电流能力；同时通过器件漂移区内的体电极结构引入横向电场以及适当增大漂移...
任敏张玉蒙谢驰李泽宏张金平高巍张波
文献传递
一种功率半导体器件终端结构
本发明属于半导体技术领域，涉及一种功率半导体器件终端结构。本发明的核心思想是将平面延伸的结终端扩展(JTE)型终端结构向体内折叠，充分利用体内漂移区厚度，从而缩小终端的横向面积。缓解了PN结终止端的电场集中，击穿点的位置...
任敏张玉蒙底聪廖航李沂蒙李泽宏张金平高巍张波
一种具有体内场板的折叠型终端
一种具有体内场板的折叠型终端，将场板结构和结终端扩展区向器件内部折叠，充分利用体内漂移区厚度，从而缩小终端的横向面积，缓解了PN结终止端的电场集中，击穿点的位置从原来的PN结的终止端转移到了体内，终端的耐压能达到平行平面...
任敏张玉蒙底聪熊景枝李泽宏张金平高巍张波
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FS结构的3300V IGBT终端设计
IGBT自诞生以来就以其优异的性能和广阔的应用前景激励着一代又一代工程师进行探索和研究。截至目前为止，高压IGBT的核心技术仍然掌握在国外少数几家公司手中。国内由于起步晚、工艺能力薄弱等原因一直处于追赶状态。对于高压IG...
张玉蒙
关键词：IGBT器件集成电路芯片设计
一种沟槽型肖特基二极管
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种沟槽型肖特基二极管。本发明提出一种沟槽型肖特基二极管，通过在深槽内填充肖特基金属，增大肖特基结的有效面积，提高其电流能力；同时通过器件漂移区内的体电极结构引入横向电场以及适当增大漂移...
任敏张玉蒙谢驰李泽宏张金平高巍张波
一种具有体内场板的折叠型终端
一种具有体内场板的折叠型终端，将场板结构和结终端扩展区向器件内部折叠，充分利用体内漂移区厚度，从而缩小终端的横向面积，缓解了PN结终止端的电场集中，击穿点的位置从原来的PN结的终止端转移到了体内，终端的耐压能达到平行平面...
任敏张玉蒙底聪熊景枝李泽宏张金平高巍张波
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一种功率半导体器件终端结构
本发明属于半导体技术领域，涉及一种功率半导体器件终端结构。本发明的核心思想是将平面延伸的结终端扩展(JTE)型终端结构向体内折叠，充分利用体内漂移区厚度，从而缩小终端的横向面积。缓解了PN结终止端的电场集中，击穿点的位置...
任敏张玉蒙底聪廖航李沂蒙李泽宏张金平高巍张波
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