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高巍

作品数：185 被引量：21H指数：3
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 173篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 71篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 74篇半导体
  • 55篇导通
  • 42篇电阻
  • 42篇漂移区
  • 36篇导通电阻
  • 33篇功率半导体
  • 32篇导电类型
  • 27篇功率半导体器...
  • 27篇半导体器件
  • 26篇电流
  • 24篇槽栅
  • 23篇功率器件
  • 21篇雪崩
  • 20篇终端结构
  • 19篇二极管
  • 18篇IGBT器件
  • 17篇损耗
  • 17篇击穿电压
  • 17篇VDMOS器...
  • 16篇电场

机构

  • 185篇电子科技大学

作者

  • 185篇高巍
  • 179篇张波
  • 174篇李泽宏
  • 173篇任敏
  • 169篇张金平
  • 22篇王志明
  • 21篇罗蕾
  • 20篇何文静
  • 18篇谢驰
  • 16篇李爽
  • 12篇杨洋
  • 12篇张建刚
  • 12篇曹晓峰
  • 10篇陈哲
  • 10篇姚鑫
  • 10篇王为
  • 9篇韩天宇
  • 8篇牛博
  • 8篇蔡果
  • 8篇李家驹

传媒

  • 5篇2014`全...
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇大功率变流技...
  • 1篇教育教学论坛
  • 1篇高教学刊

年份

  • 3篇2023
  • 9篇2022
  • 20篇2021
  • 36篇2020
  • 24篇2019
  • 37篇2018
  • 18篇2017
  • 16篇2016
  • 5篇2015
  • 17篇2014
共 185 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种屏蔽栅功率器件
本发明属于功率半导体技术领域，本发明针对常规的屏蔽栅功率器件的元胞密度和电流能力受到限制的问题，提供了一种屏蔽栅功率器件，通过在常规的屏蔽栅元胞结构之间设置一个或多个TMOS元胞结构，在相同的芯片面积下提高沟道密度，使该...
高巍何文静任敏蔡少峰李泽宏张金平张波
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一种具有多晶硅岛的金属氧化物半导体二极管
本发明设计功率半导体技术，特别涉及一种金属氧化物半导体二极管。本发明的有益效果为：在原专利提出的新型半导体二极管的基础上，在纵向方向添加了三个或三个以上的多晶硅岛，多晶硅岛中存储有负电荷，器件反向阻断时，高电位的N型区与...
李泽宏杨梦琦蒲小庆任敏张金平高巍张波
文献传递
一种基于P型外延的JCD集成器件及其制备方法
本发明涉及一种基于P型外延的JCD集成器件及其制备方法，属于功率半导体集成技术领域。本发明通过以下主要工艺步骤：制备衬底；形成N+埋层；生长P型外延层；形成穿通隔离区；制备场氧；N阱注入、推阱；P阱注入、推阱；JFET的...
李泽宏蒲小庆杨尚翰王志明任敏张金平高巍张波
文献传递
一种功率半导体器件的终端结构
本发明属于半导体功率器件制备技术领域，特别涉及一种功率半导体器件的场限环终端结构。本发明在传统场限环位置额外引入轻掺杂埋层，相对于传统场限环结构，本发明能够利用埋层与外延层相互耗尽，改变外延层中的电场分布，缓解曲面结位置...
任敏李佳驹苏志恒李泽宏高巍张金平张波
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一种具有内置镇流电阻的高压IGBT器件
本发明提供一种具有内置镇流电阻的高压IGBT器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体P<Sup>+</Sup>集电区、金属集电极、第二导电类型半导体缓冲层、第二导电类型半导体N<Sup>‑</Sup>漂移区、第一导电类型半...
李泽宏彭鑫吴玉舟殷鹏飞任敏高巍张金平张波
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一种沟槽结构的VDMOS
本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种沟槽结构的VDMOS器件。本发明主要在体内沟槽中有二氧化硅层包裹着的两个或两个以上的多晶硅岛，这些多晶硅岛中存储着负电荷。由于多晶硅岛被绝缘层包围，负电荷将固定在多晶硅岛内。每个多晶...
任敏李爽李家驹罗蕾李泽宏张金平高巍张波
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一种具有抗单粒子效应的VDMOS器件
本发明属于功率半导体器件技术领域，具体的说涉及一种具有抗单粒子效应的VDMOS器件。本发明的主要技术方案为采用的技术方案主要为在栅极下方的外延层中设置与源极相连的第二导电类型半导体柱，产生横向电场，改变空穴的流经路径，从...
任敏蔡果杨珏琳曹晓峰陈哲李爽李泽宏张金平高巍张波
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一种开启电压可调的平面型金属氧化物半导体二极管
本发明涉及半导体技术，特别涉及一种开启电压可调的平面型金属氧化物半导体二极管。本发明的二极管包括N型重掺杂单晶硅衬底、N‑外延层、阴极电极和阳极电极；N‑外延层上层两侧具有N型重掺杂区，N型重掺杂区下表面连接有P型埋层；...
任敏陈哲曹晓峰李爽李泽宏张金平高巍张波
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一种逆导型IGBT器件
本发明属于功率半导体器件技术领域，具体的说涉及一种逆导型IGBT器件。本发明相比于传统逆导型IGBT结构，在源极金属增加了发射极肖特基金属、在N型电场阻止层下设置N-区，分别改善了工作在续流二极管模式下的反向恢复特性与抑...
李泽宏郭绪阳张明陈文梅伍济陈钱任敏张金平高巍张波
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一种屏蔽栅MOSFET
一种屏蔽栅MOSFET，属于半导体功率器件技术领域。器件包括从下至上依次层叠设置的漏极、衬底、漂移区和金属化源极，在漂移区中设置有工作元胞区和泄流元胞区；泄流元胞区位于工作元胞旁侧，由于其不含有源极区，并且泄流元胞中屏蔽...
任敏杨梦琦马怡宁李泽宏高巍张金平张波
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