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任敏

作品数：490 被引量：21H指数：3
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术天文地球更多>>

合作作者

文献类型

  • 475篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 3篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 138篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇文化科学
  • 1篇哲学宗教
  • 1篇天文地球
  • 1篇历史地理

主题

  • 242篇半导体
  • 126篇导通
  • 101篇功率半导体
  • 100篇导电类型
  • 92篇半导体器件
  • 90篇功率半导体器...
  • 79篇功率器件
  • 72篇漂移区
  • 69篇电阻
  • 66篇二极管
  • 66篇槽栅
  • 65篇导通压降
  • 56篇损耗
  • 54篇VDMOS器...
  • 54篇掺杂
  • 48篇IGBT器件
  • 47篇导通电阻
  • 47篇晶体管
  • 46篇半导体功率器...
  • 44篇电流

机构

  • 490篇电子科技大学
  • 15篇电子科技大学...
  • 10篇东莞电子科技...
  • 6篇微电子有限公...
  • 2篇济南市半导体...
  • 2篇华润微电子(...

作者

  • 490篇任敏
  • 441篇李泽宏
  • 396篇张波
  • 316篇张金平
  • 176篇高巍
  • 94篇刘竞秀
  • 60篇谢驰
  • 52篇罗蕾
  • 39篇李爽
  • 35篇曹晓峰
  • 33篇陈哲
  • 30篇何文静
  • 28篇陈文梅
  • 27篇赵倩
  • 23篇苏志恒
  • 22篇王志明
  • 17篇李家驹
  • 16篇廖航
  • 14篇李巍
  • 14篇吴明进

传媒

  • 2篇电气电子教学...
  • 2篇教育教学论坛
  • 1篇半导体技术
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇电子与封装
  • 1篇实验科学与技...
  • 1篇高教学刊
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 8篇2024
  • 13篇2023
  • 30篇2022
  • 30篇2021
  • 67篇2020
  • 57篇2019
  • 66篇2018
  • 57篇2017
  • 60篇2016
  • 18篇2015
  • 24篇2014
  • 21篇2013
  • 33篇2012
  • 6篇2011
共 490 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种双向MOS型器件及其制造方法
一种功率半导体器件及其制造方法，属于功率半导体器件技术领域。所述器件在有源区上层两端具有对称的平面栅MOS结构，在所述MOS结构之间具有U型复合漂移区，所述U型复合漂移区沿元胞中心左右对称。本发明通过形成的具有对称特性的...
张金平底聪廖航熊景枝刘竞秀李泽宏任敏张波
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一种双通道RC‑IGBT器件及其制备方法
一种双通道RC‑IGBT器件及其制备方法。本发明属于功率半导体器件技术领域，具体提供逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC‑IGBT)及其制备方法，用于获得更好的器件特性，提高RC‑IGBT的可靠性；本发明在传统RC‑IGBT器...
张金平熊景枝郭绪阳廖航刘竞秀李泽宏任敏张波
一种具有优化雪崩击穿电流路径的超结MOSFET器件
一种具有优化雪崩击穿电流路径的超结MOSFET器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在普通超结MOSFET器件的第二导电类型半导体掺杂柱区(8)中嵌入一个掺杂浓度更高的第二导电类型半导体掺杂岛区(7)，同时将金属化源极...
任敏李泽宏邓光敏张灵霞张金平张波
文献传递
多通道高速数据转发系统的设计与实现
近年来，信息采集存储技术已经广泛用于军事和民用领域。而随着科技的发展和时代的进步，这些领域对采集存储系统的要求越来越高，使得信息采集特别是高速数据采集技术仍是电子信息技术领域里研究的重点。在高速数据采集系统里，不仅需要高...
任敏
关键词：模数转换器模块化设计现场可编程门阵列
限制安全工作区的超结MOSFET SPICE模型建立方法
本发明公开一种具有安全工作区SOA限制的超结MOSFET SPICE模型建立方法，应用于电子元器件建模领域。常用功率MOSFET SPICE模型仅用反偏二极管实现对定值击穿的模拟，以限制器件的工作范围；本发明基于超结MO...
任敏雷清滢李东野马荣耀唐开锋丁继李泽宏张波
一种PWM波发生电路
本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种频率可调占空比可调的PWM波发生电路。本发明的PWM波发生电路，其特征在于，包括参考电流模块、参考电压模块、比较器CMP1、比较器CMP2、逻辑控制模块、PMOS管MP1、NMO...
李泽宏张建刚王为姚鑫汪榕任敏张金平高巍张波
文献传递
一种具有内置JFET结构的IGBT器件
一种具有内置JFET结构的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提供的IGBT器件结构通过在传统槽栅型IGBT的体区引入JEFT区，JFET区等效为可变电阻，在器件正向导通时存储空穴，正向阻断时为空穴提供快速泄...
李泽宏彭鑫赵倩杨洋张金平高巍任敏张波
文献传递
一种具有抗单粒子辐照能力的VDMOS器件
本发明提供了一种具有抗单粒子辐照能力的VDMOS器件，属于功率器件技术领域。本发明在传统VDMOS器件中形成具有不同禁带宽度的漂移区，单粒子辐照时，不同禁带宽度漂移区之间形成空穴的势阱，在势阱的作用下，改变了单粒子辐照产...
李泽宏林育赐谢驰罗蕾李佳驹任敏张波
文献传递
一种抗EMI超结器件
本发明涉及一种抗EMI超结器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的一种抗EMI超结器件，通过在漂移区内引入高K介质材料柱，从而与纵向相邻的半导体衬底、多晶硅调控栅形成MIS电容，并使多晶硅调控栅与外部电压调控模块相...
任敏郭乔雷清滢谢欣桐孙涵涵郝超越高巍张波
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一种功率器件的制作方法
一种功率器件的制作方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明利用LOCOS（局部氧化）工艺来生长场氧化层来制作功率器件（尤其是终端结构），利用硅与氮化硅同氧气的反应速度的差异来局部生长场氧化层，在场氧边缘处会形成一个鸟嘴状...
李泽宏杨文韬单亚东顾鸿鸣张金平任敏
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