张金平
- 作品数：536 被引量：61H指数：5
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- 带有P型埋层的双栅载流子储存性IGBT器件
- 本发明提供一种带有P型埋层的双栅载流子储存性IGBT器件，在传统CSTBT槽栅基础上增加控制栅和屏蔽栅并且在两个栅的底部增加一层P型埋层，器件工作时，控制栅用来控制器件开启接高电位，屏蔽栅用来降低器件电容，不接电位，P型...
- 李泽宏殷鹏飞彭鑫赵倩任敏张金平高巍张波
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- 一种横向MOSFET器件及其制备方法
- 一种横向MOSFET器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过挖槽填充将传统横向MOSFET器件结构中接触区及其下方部分区域替换为多晶硅区或肖特基接触金属区，用以形成具有整流特性的异质结或者肖特基接触，由于异质结或者肖...
- 张金平邹华赵阳罗君轶刘竞秀李泽宏张波
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- 2500V Planner NPT IGBT的设计
- 本文介绍了IGBT (insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极型晶体管)的结构和基本工作原理,讨论了IGBT在设计中需要考虑的相关参数,建立了2 500 V Planar NPT I...
- 肖璇李泽宏张金平任敏张波
- 关键词：绝缘栅双极型晶体管工艺参数
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- 一种集成异质结二极管的分离栅SiC MOSFET及其制作方法
- 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种集成异质结二极管的分离栅SiCMOSFET及其制作方法。本发明通过在SiC MOSFET的三维y方向上集成一个异质结二极管，可以在不增加SiC MOSFET元胞宽度的同时，有效的...
- 张金平吴庆霖陈伟张波
- 一种变禁带宽度的超结VDMOS器件
- 本发明提供一种变禁带宽度的超结VDMOS器件，包括金属化漏电极、第一导电类型半导体掺杂衬底、第一导电类型掺杂区、第二导电类型半导体掺杂柱区、多晶硅栅电极、栅介质层、金属化源电极；本发明在常规超结VDMOS器件的第二导电类...
- 李泽宏罗蕾谢驰李佳驹张金平任敏高巍张波
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- 一种屏蔽栅DMOS器件
- 一种屏蔽栅DMOS器件，属于功率半导体技术领域，本发明在控制栅电极和屏蔽栅电极之间设置一个额外的浮空栅电极，各电极之间由介质层相互隔离，由于引进了位置可调的浮空栅电极，器件的栅源电容得以减小，且栅源电容与栅漏电容的比值可...
- 高巍何文静任敏蔡少峰李泽宏张金平张波
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- 一种具有复合埋层结构的BCD器件
- 本发明提供一种具有复合埋层结构的BCD器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明BCD工艺用埋层结构采用了“顶部重掺杂埋层/中间轻掺杂埋层/底部重掺杂埋层”三层复合结构，然后在其上的外延层内部集成相互隔离的BJT区、CMO...
- 任敏宋炳炎何文静李泽宏高巍张金平张波
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- 一种超结功率器件终端结构及其制备方法
- 一种超结功率器件终端结构及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过在超结终端结构的外延层表面设置与外延层掺杂类型相反且直接与主结区相连的表面掺杂区，借此将主结边缘处的表面电场峰值引入终端结构体内，使得终端结构表...
- 任敏何文静宋炳炎李泽宏高巍张金平张波
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- 一种横向IGBT及其制作方法
- 本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向IGBT及其制作方法。本发明在传统横向IGBT的基础上在3维方向上引入的超结结构在不影响器件击穿电压的情况下降低了器件的导通电阻，引入的N型电荷存储层能够改善漂移区载流子浓度...
- 张金平王康赵阳刘竞秀李泽宏张波
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- NdCl3镀液浓度对电镀CoNdNiMnP永磁薄膜阵列磁性能的影响被引量：1
- 2004年
- 基于轻稀土元素-Nd与过渡金属元素-Co之间的铁磁耦合作用提高电镀CoNiMnP永磁薄膜阵列的磁性能,在电镀时引入稀土Nd元素进入CoNiMnP永磁薄膜阵列中,通过改变镀液中NdCl3的浓度而改变CoNdNiMnP薄膜中的Nd含量.对镀液中NdCl3浓度与薄膜磁性能的关系进行了分析与测试,结果表明:室温下,在电流密度为5mA/cm2时,具有垂直各向异性的CoNdNiMnP永磁薄膜阵列被成功地电镀得到.随着NdCl3浓度的增加,薄膜的磁性能提高,当NdCl3浓度增加到0.25×103g/cm3时,薄膜的磁性能达到最大值,继续增加镀液中NdCl3浓度,薄膜阵列的磁性能不再增加.
- 张勤勇蒋洪川张万里张金平杨仕清
- 关键词：电镀铁磁耦合
