沈国策
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- TSV垂直传输结构的射频特性研究被引量：4
- 2016年
- 作为微波、低频信号垂直传输通路,硅过孔(Through silicon via,TSV)技术是实现射频微系统三维集成的核心技术之一。本文设计并加工了背靠背形式的TSV测试芯片,并使用探针台测试其射频性能。为了提取单个TSV垂直过渡结构的参数,对测试结果进行剥离。首先分析建立带冗余结构的等效电路模型;然后用多线TRL(Through-reflect-line)方法求得冗余结构的参数,代入等效电路模型中求解单个TSV垂直传输结构的传输特性;最后得到的TSV传输特性与仿真结果吻合,验证了剥离结果的合理性。
- 杨驾鹏周骏沈国策吴璟沈亚蔡茂
- 关键词：去嵌入
- W波段硅基集成天线被引量：2
- 2021年
- 针对小型化和易集成的应用要求,基于硅基三维集成工艺设计了一款W波段硅基集成天线。天线为8×8阵列天线,采用硅基晶圆多层堆叠的方式,使馈电网络与辐射贴片单元分隔开,采用硅通孔技术进行层间互联,传递微波信号。天线在高阻硅基板上制造,中心频率为95.8 GHz,工作频段为90.3~98.6 GHz,峰值增益为10 dBi左右。
- 曹扬磊朱健侯芳沈国策焦宗磊
- 关键词：W波段
- GaN功率器件片内微流热管理技术研究进展被引量：2
- 2020年
- GaN器件大功率、高集成度的发展受限于热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和寿命衰减,使GaN器件的高功率性能优势远未得到发挥,片内微流热管理技术是解决热瓶颈的重要途径。针对上述问题,详细论述了GaN器件热瓶颈的基础问题和片内微流热管理的重要性,并对近年来国际正在开展的片内微流散热技术研究情况进行系统分析和评述,揭示了微流体与GaN器件片内近结集成的各类设计方法、工艺开发途径和面临的技术难点,阐述了GaN器件片内微流热管理技术的现状和发展方向。
- 顾鹏飞郭怀新沈国策韩潇
- 关键词：热积累热管理热流密度
- 3D集成工艺对微波集成电路性能的影响
- 本文着重阐述了MEMS工艺对TSV(Through Silicon Via)技术和平面传输线的影响。首先基于HFSS建立了TSV通孔以及微波传输线的理论模型。针对X波段(10GHz)，当硅衬底的高度一定时，分析了TSV通...
- 沈国策周骏吴璟孔月婵陈堂胜
- 关键词：MEMS工艺
