吴璟
- 作品数：10 被引量：17H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 磁控溅射制备低应力金属膜的工艺研究
- 研究了在磁控溅射中溅射气压、溅射电压(溅射功率)与金属Au、Ta薄膜应力的关系,分析了相关的机理,给出了一种用磁控溅射法制备低应力Au、Ta薄膜的方法,就应力的产生因素作了一些探讨。
- 张龙朱健吴璟卓敏陈辰
- 关键词：MEMS磁控溅射压应力
- 文献传递
- MEMS层叠式毫米波天线设计被引量：1
- 2008年
- 为了提高天线带宽,改善天线性能,提出并设计了一种基于微机械工艺的层叠式口径耦合毫米波天线,该天线中心频点为35GHz,利用有限宽地共面波导—微带(FGCPW-MS)进行馈电。分析天线结构中的几个关键参数对天线带宽性能的影响,利用HFSS三维电磁场仿真软件进行天线模型仿真。结果表明,该天线带宽为11.8%,增益为7.8dB,天线辐射效率为71%。与传统微带天线相比,该天线在带宽、增益等方面均到改善,且易与其他有源元件进一步集成。
- 侯芳朱健郁元卫吴璟陈辰
- 关键词：微机械微带天线带宽
- SOI基双线振动式MEMS陀螺仪的工艺研究
- SOI-MEMS惯性器件是基于SOI(Silicon-on-insulator)衬底的MEMS惯性器件，具有寄生电容小、噪声低、信噪比高、灵敏度优越、体积小、易批量等优点，在国外已广泛应用并实现商用化，如美国AD公司、T...
- 吴璟刘梅贾世星朱健卓敏
- 关键词：陀螺仪单晶硅惯性器件压力传感器
- 文献传递
- 用于不同体态芯片互连的凸点制备及性能表征被引量：1
- 2021年
- 随着轻量化、小型化及模块功能多样化的发展,由二维平面到三维高度上的先进封装技术应运而生。微凸点作为实现芯片到圆片异构集成的关键结构,可有效缩短信号传输距离,提升芯片性能。利用电沉积法在Si基板上以Cu作支撑层、Ni作阻挡层淀积微米级别的Au/Sn凸点,所制得的多层凸点直径约60μm、高度约54μm,其高度可控、尺寸可调,并研究了Die内凸点高度的一致性,同时对凸点进行了剪切强度和推拉力测试。结果表明,Die内凸点高度均匀性≤2%,剪切力可达61.72 g以上,与化合物芯片(另一侧为Au)键合后推拉力可达7.5 kgf,可实现与化合物芯片的有效集成。
- 陈聪李杰姜理利吴璟张岩郁元卫黄旼黄旼
- 关键词：3D封装
- 基于外延层转移的GaAsPIN与Si异构集成技术
- 2014年
- 南京电子器件研究所采用外延层转移技术在国内率先开展了晶体管级异构集成方嘶的研究，并于2013年突破了超薄外延层的剥离技术、异质圆片的键合技术等异构集成关键技术，成功地将3um厚的76．2mm（3英寸）GaAs外延层薄膜完整地剥离并转移到Sj衬底上（如图1所示），
- 赵岩程伟吴立枢吴璟石归雄黄子乾
- 关键词：集成技术异构集成SI键合技术晶体管
- TSV垂直传输结构的射频特性研究被引量：4
- 2016年
- 作为微波、低频信号垂直传输通路,硅过孔(Through silicon via,TSV)技术是实现射频微系统三维集成的核心技术之一。本文设计并加工了背靠背形式的TSV测试芯片,并使用探针台测试其射频性能。为了提取单个TSV垂直过渡结构的参数,对测试结果进行剥离。首先分析建立带冗余结构的等效电路模型;然后用多线TRL(Through-reflect-line)方法求得冗余结构的参数,代入等效电路模型中求解单个TSV垂直传输结构的传输特性;最后得到的TSV传输特性与仿真结果吻合,验证了剥离结果的合理性。
- 杨驾鹏周骏沈国策吴璟沈亚蔡茂
- 关键词：去嵌入
- 基于MEMS圆片级封装/通孔互联技术的SIP技术被引量：4
- 2011年
- 随着科学技术的发展，3DSIP（System—in—package）技术已成为世界热点。基于MEMS圆片级封装WLP（Wafer—level packaging）的SIP技术是目前3DSIP最重要技术之一，
- 朱健吴璟贾世星姜国庆
- 关键词：圆片级封装IP技术MEMS互联技术通孔LEVEL
- 3D集成工艺对微波集成电路性能的影响
- 本文着重阐述了MEMS工艺对TSV(Through Silicon Via)技术和平面传输线的影响。首先基于HFSS建立了TSV通孔以及微波传输线的理论模型。针对X波段(10GHz)，当硅衬底的高度一定时，分析了TSV通...
- 沈国策周骏吴璟孔月婵陈堂胜
- 关键词：MEMS工艺
- 磁控溅射制备低应力金属膜的工艺研究被引量：7
- 2005年
- 研究了在磁控溅射中溅射气压、溅射电压(溅射功率)与金属Au、Ta薄膜应力的关系,分析了相关的机理,给出了一种用磁控溅射法制备低应力Au、Ta薄膜的方法,就应力的产生因素作了一些探讨。
- 张龙朱健吴璟卓敏陈辰
- 关键词：MEMS磁控溅射压应力
- 基于中间硅片厚度可控的三层阳极键合技术被引量：1
- 2008年
- 三层键合Glass-Silicon-Glass(GSG)结构在光MEMS、微惯性器件、微流体芯片、射频MEMS以及低成本圆片级封装技术领域里是一项重要技术。基于MEMS精密研磨抛光工艺和阳极键合,结合新型玻璃通孔的腐蚀工艺,开展了中间硅片厚度可控的三层阳极键合工艺研究,成功制备了带有通孔的GSG微流体器件。总厚度1360μm,中间硅片厚度60μm,通孔直径100μm,孔间距(圆孔的中心距离)200μm,孔内边缘圆滑无侧蚀。三层结构的键合几率为90%,为探索多层键合技术打下坚实基础。
- 吴璟巩全成贾世星王敏杰张勇朱健
