张龙
- 作品数：14 被引量：34H指数：4
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国防科技重点实验室基金江苏省自然科学基金微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程电气工程理学更多>>
- 驱动信号与微波信号物理隔离的RF MEMS开关的研究
- 针对MEMS开关在宽带应用时遇到的驱动信号与微波信号间的干扰问题,论述了驱动信号与微波信号物理隔离的多种开关的设计,分析了4种结构形式的MEMS开关,使用IntelliSuite○R软件进行开关机电耦合分析。在开关总的结...
- 朱健郁元卫陆乐贾世星张龙周百令
- 关键词：MEMS开关机电耦合电磁场
- 文献传递
- Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3溅射靶材的烧制和性能分析
- 2008年
- 介绍了BST压电陶瓷靶的烧制方法,使用添加剂改善了Ba0.6Sr0.4TiO3靶材的结构和性能,解决了BST靶材热稳定性差的问题,同时优化了BST靶材的晶化效果,提高介电性能。实验通过XRD衍射和P-E试验分析了所制BST溅射靶的微结构和铁电特性。
- 张龙朱健卓敏
- 关键词：BST压电陶瓷
- 双膜桥微波MEMS开关被引量：9
- 2003年
- 介绍了一种双膜桥微波MEMS开关 ,给出了开关的设计与优化方法 ,建立了开关的仿真模型 ,使用硅表面微机械工艺制造了双膜桥开关样品 ,其主要结构为硅衬底上制作CPW金属传输线电极和介质层 ,然后制作具有微电感结构的金属膜桥 ,提高了开关隔离度。利用HFSS软件仿真的结果表明 ,该开关在微波低频段 (3～ 6GHz)有着很好的隔离性能。研制的开关样品在片测试的电性能指标为 :插损小于 0 .3dB ,隔离度大于 4 0dB ,驱动电压小于 2 4V。
- 朱健郁元卫陆乐贾世星张龙
- 关键词：微机电系统射频开关高隔离度开关隔离度
- 磁控溅射制备低应力金属膜的工艺研究
- 本文研究了在磁控溅射中溅射气压、溅射电压(溅射功率)与金属Au、Ta薄膜应力的关系,分析了相关的机理,给出了一种用磁控溅射法制备低应力Au、Ta薄膜的方法,就应力的产生因素作了一些探讨.
- 张龙朱健吴璟卓敏陈辰
- 关键词：MEMS磁控溅射薄膜应力
- 文献传递
- 磁控溅射制备低应力金属膜的工艺研究
- 研究了在磁控溅射中溅射气压、溅射电压(溅射功率)与金属Au、Ta薄膜应力的关系,分析了相关的机理,给出了一种用磁控溅射法制备低应力Au、Ta薄膜的方法,就应力的产生因素作了一些探讨。
- 张龙朱健吴璟卓敏陈辰
- 关键词：MEMS磁控溅射压应力
- 文献传递
- 用于微惯性器件的ICP刻蚀工艺技术被引量：7
- 2006年
- 在微惯性器件加工中,ICP深硅刻蚀技术主要用于梳齿结构的释放.工艺试验中的梳齿结构的最细线条尺寸为2μm,刻蚀深度为40μm,刻蚀的深宽比为20∶1,接近刻蚀设备A601E的加工极限.为了提高刻蚀精度,减小根切和底切效应,本文介绍了一种实现微结构刻蚀的ICP分步工艺的新方法,采用不同的刻蚀工艺条件,初始阶段减小底切效应,减小线条损失,刻蚀的中间阶段保证刻蚀速度,刻蚀的最终阶段减小侧向刻蚀,提高结构释放的一致性.同时通过在刻蚀结构的背面生长200nm厚Al膜对等离子体的吸附作用减小了根切效应,提高了刻蚀的精度和结构释放的一致性.
- 卓敏贾世星朱健张龙
- 关键词：ICP刻蚀根切分步工艺
- 高电容密度硅基MIS芯片电容
- 2018年
- 制备了一种3D结构的硅基金属-绝缘层-半导体(MIS)芯片电容,通过深孔结构增大了电容的有效电极面积,从而极大程度地提升了电容密度,在耐压70V下其电容密度高达20nF/mm2,是传统平面MIS电容的50倍,在-55~150℃内其温度系数小于1%。
- 汤寅张龙杨党利谭德喜姚伟明王霄周剑明
- 用于微惯性器件的ICP刻蚀工艺技术
- 在微惯性器件加工中,ICP深硅刻蚀技术主要用于梳齿结构的释放.工艺试验中的梳齿结构的最细线条尺寸为2μm,刻蚀深度为40μm,刻蚀的深宽比为20∶1,接近刻蚀设备A601E的加工极限.为了提高刻蚀精度,减小根切和底切效应...
- 卓敏贾世星朱健张龙
- 关键词：ICP刻蚀根切分步工艺
- 文献传递
- 衬底同步加热溅射BST薄膜的研究
- 本文介绍了一种衬底同步加热射频磁控溅射制备BST(BaxSr1-xTiO3)薄膜的新方法,讨论了BST薄膜的晶化效果对介电常数的影响,分析了薄膜的居里温度和εr-V铁电性能.XRD测试结果表明制备的BST薄膜具有完整的钙...
- 张龙林立强朱健卓敏
- 关键词：射频磁控溅射钛酸锶钡薄膜居里温度
- 文献传递
- 驱动信号与微波信号物理隔离的RF MEMS开关的研究被引量：2
- 2005年
- 针对MEMS开关在宽带应用时遇到的驱动信号与微波信号间的干扰问题,论述了驱动信号与微波信号物理隔离的多种开关的设计,分析了4种结构形式的MEMS开关,使用IntelliSuite○R软件进行开关机电耦合分析。在开关总的结构尺寸确定的前提下,使用ADS/Momentum场分析软件,微调膜桥和梁的结构参数,通过通孔接地实现微带线与CPWG信号的连接,通过驱动电极的结构和连接方式及与微波信号线间隙的调整,实现了MEMS开关整体性能的优化。
- 朱健郁元卫陆乐贾世星张龙周百令
- 关键词：MEMS开关机电耦合电磁场
