卓敏
- 作品数：10 被引量：18H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术机械工程理学更多>>
- 磁控溅射制备低应力金属膜的工艺研究
- 本文研究了在磁控溅射中溅射气压、溅射电压(溅射功率)与金属Au、Ta薄膜应力的关系,分析了相关的机理,给出了一种用磁控溅射法制备低应力Au、Ta薄膜的方法,就应力的产生因素作了一些探讨.
- 张龙朱健吴璟卓敏陈辰
- 关键词：MEMS磁控溅射薄膜应力
- 文献传递
- 用于微惯性器件的ICP刻蚀工艺技术
- 在微惯性器件加工中,ICP深硅刻蚀技术主要用于梳齿结构的释放.工艺试验中的梳齿结构的最细线条尺寸为2μm,刻蚀深度为40μm,刻蚀的深宽比为20∶1,接近刻蚀设备A601E的加工极限.为了提高刻蚀精度,减小根切和底切效应...
- 卓敏贾世星朱健张龙
- 关键词：ICP刻蚀根切分步工艺
- 文献传递
- Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3溅射靶材的烧制和性能分析
- 2008年
- 介绍了BST压电陶瓷靶的烧制方法,使用添加剂改善了Ba0.6Sr0.4TiO3靶材的结构和性能,解决了BST靶材热稳定性差的问题,同时优化了BST靶材的晶化效果,提高介电性能。实验通过XRD衍射和P-E试验分析了所制BST溅射靶的微结构和铁电特性。
- 张龙朱健卓敏
- 关键词：BST压电陶瓷
- 磁控溅射制备低应力金属膜的工艺研究
- 研究了在磁控溅射中溅射气压、溅射电压(溅射功率)与金属Au、Ta薄膜应力的关系,分析了相关的机理,给出了一种用磁控溅射法制备低应力Au、Ta薄膜的方法,就应力的产生因素作了一些探讨。
- 张龙朱健吴璟卓敏陈辰
- 关键词：MEMS磁控溅射压应力
- 文献传递
- 用于微惯性器件的ICP刻蚀工艺技术被引量：7
- 2006年
- 在微惯性器件加工中,ICP深硅刻蚀技术主要用于梳齿结构的释放.工艺试验中的梳齿结构的最细线条尺寸为2μm,刻蚀深度为40μm,刻蚀的深宽比为20∶1,接近刻蚀设备A601E的加工极限.为了提高刻蚀精度,减小根切和底切效应,本文介绍了一种实现微结构刻蚀的ICP分步工艺的新方法,采用不同的刻蚀工艺条件,初始阶段减小底切效应,减小线条损失,刻蚀的中间阶段保证刻蚀速度,刻蚀的最终阶段减小侧向刻蚀,提高结构释放的一致性.同时通过在刻蚀结构的背面生长200nm厚Al膜对等离子体的吸附作用减小了根切效应,提高了刻蚀的精度和结构释放的一致性.
- 卓敏贾世星朱健张龙
- 关键词：ICP刻蚀根切分步工艺
- 衬底同步加热溅射BST薄膜的研究
- 本文介绍了一种衬底同步加热射频磁控溅射制备BST(BaxSr1-xTiO3)薄膜的新方法,讨论了BST薄膜的晶化效果对介电常数的影响,分析了薄膜的居里温度和εr-V铁电性能.XRD测试结果表明制备的BST薄膜具有完整的钙...
- 张龙林立强朱健卓敏
- 关键词：射频磁控溅射钛酸锶钡薄膜居里温度
- 文献传递
- SiN纳米梁谐振器的制造工艺研究
- 纳米梁谐振器是某一维度上的特征尺度小于100nm纳米级谐振器。纳米梁谐振器以其超小的体积与质量，超低的功耗，超高的灵敏度，体现了NEMS器件的优越性。纳米梁谐振器有望广泛应用于单电子电量、单分子质量等物理量的检测。高灵敏...
- 卓敏朱健刘梅贾世星
- 关键词：干法刻蚀电子束光刻
- 文献传递
- 衬底同步加热溅射BST薄膜的研究被引量：3
- 2006年
- 介绍了一种衬底同步加热射频磁控溅射制备BST(BaxSr1-xTiO3)薄膜的新方法,讨论了BST薄膜的晶化效果对介电常数的影响,分析了薄膜的居里温度和εr-V铁电性能.XRD测试结果表明制备的BST薄膜具有完整的钙钛矿晶体结构,相对介电常数超过150,介质击穿强度大于1.3MV/cm.使用这种方法不需要专门的退火工艺,就可以制备晶体结构完整的高介电常数BST薄膜.
- 张龙林立强朱健卓敏
- 关键词：射频磁控溅射钛酸锶钡薄膜居里温度
- 相对介电常数大于100的BST(钛酸锶钡)薄膜被引量：1
- 2005年
- 张龙朱健林立强卓敏
- 关键词：相对介电常数BST薄膜磁控溅射
- 磁控溅射制备低应力金属膜的工艺研究被引量：7
- 2005年
- 研究了在磁控溅射中溅射气压、溅射电压(溅射功率)与金属Au、Ta薄膜应力的关系,分析了相关的机理,给出了一种用磁控溅射法制备低应力Au、Ta薄膜的方法,就应力的产生因素作了一些探讨。
- 张龙朱健吴璟卓敏陈辰
- 关键词：MEMS磁控溅射压应力
