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郭怀新

作品数:16 被引量:31H指数:3
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国防科技重点实验室基金陕西省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 16篇中文期刊文章

领域

  • 14篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇冶金工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇理学

主题

  • 5篇有限元
  • 5篇有限元分析
  • 4篇热管理
  • 4篇金刚石
  • 4篇刚石
  • 3篇导热
  • 3篇热阻
  • 3篇芯片
  • 2篇氮化镓
  • 2篇应力
  • 2篇应力集中
  • 2篇结温
  • 2篇界面热阻
  • 2篇可靠性
  • 2篇刻蚀
  • 2篇封装
  • 1篇氮化镓器件
  • 1篇导热率
  • 1篇等离子体化学...
  • 1篇多晶金刚石

机构

  • 16篇南京电子器件...
  • 2篇哈尔滨工业大...
  • 2篇南京大学
  • 2篇上海交通大学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇工业和信息化...

作者

  • 16篇郭怀新
  • 7篇陈堂胜
  • 5篇孔月婵
  • 4篇王子良
  • 3篇程凯
  • 2篇代兵
  • 2篇韩平
  • 2篇朱嘉琦
  • 2篇胡进
  • 2篇赵继文
  • 1篇张森
  • 1篇韩杰才
  • 1篇李忠辉
  • 1篇吴立枢
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  • 1篇邓涛
  • 1篇曹坤
  • 1篇尚文
  • 1篇张旭
  • 1篇刘康

传媒

  • 6篇固体电子学研...
  • 5篇电子元件与材...
  • 2篇电子与封装
  • 2篇中国材料进展
  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 3篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
微波等离子体化学气相沉积法合成高导热金刚石材料及器件应用进展被引量:5
2022年
随着第3代半导体的应用,电子器件向高功率、小型化发展,由此带来的“热”问题逐渐凸显,金刚石由于其超高的热导率及稳定的性质,被认为是最优的散热材料之一。简要介绍了微波等离子体化学气相沉积装备的原理及发展历程,对比分析了不同种类生长设备的差异,对单晶、多晶及纳米晶金刚石在器件散热应用中的现状进行总结,结合第3代半导体总结了金刚石增强散热产业化过程中将面临的性能与尺寸方面的瓶颈问题及金刚石材料“大、纯、快”的发展方向,并对散热应用的未来研究方向做出展望。
赵继文郝晓斌赵柯臣李一村张森刘康代兵郭怀新韩杰才朱嘉琦
关键词:金刚石微波等离子体化学气相沉积散热氮化镓器件
硅基氮化镓异质结材料与多晶金刚石集成生长研究被引量:3
2021年
在50.8 mm(2英寸)硅基氮化镓异质结半导体材料上采用低压等离子体化学气相沉积方法淀积100 nm厚度的氮化硅材料,然后采用微波等离子体化学气相沉积设备在氮化硅层上方实现多晶金刚石材料的外延生长。采用氮化硅作为过渡层和保护层有效调控了材料应力,保护了氮化镓基材料在多晶外延过程中被氢等离子体刻蚀,使得外延前后氮化物异质结材料特性未发生明显退化。透射电子显微镜测试结果显示,样品具有良好的界面且在金刚石的晶界上存在非金刚石相。本次研究成功实现了氮化镓金刚石的异质集成生长,这对采用金刚石解决氮化镓基HEMT器件的散热问题具有重要意义。
杨士奇任泽阳张金风何琦苏凯张进成郭怀新郝跃
关键词:金刚石氮化镓
TO型陶瓷外壳封接失效模式有限元分析被引量:3
2016年
针对TO型针封结构陶瓷外壳在封接过程中的开裂、变形等失效现象,采用ABAQUS有限元模拟软件,系统分析了包铜复合引线、氧化铝陶瓷环、柯伐过渡片及钢框架的应力分布规律。结果表明残余应力在陶瓷环上存在集中情况,且陶瓷内环受拉应力,极易导致瓷件微裂纹和开裂。进而解释了针封结构外壳在钎焊封接时易出现严重的因瓷件微裂纹或开裂引起的可靠性失效现象,并对类似针封结构外壳封接的可靠性评估和优化设计有一定的指导意义。
司建文郭怀新王子良
关键词:应力有限元
GaN功率器件芯片级热管理技术研究进展被引量:7
2018年
详细论述了GaN器件热瓶颈的原因,并对近年来国外正在开展的先进芯片级散热技术研究情况进行系统分析和评述。揭示了高导热材料及微流体与芯片近结集成的各类散热技术的热设计原理、工艺开发和面临的技术挑战,阐述了GaN器件芯片级热管理的技术现状和发展方向。
郭怀新孔月婵韩平陈堂胜
关键词:GAN器件金刚石微流体
GaN功率器件片内微流热管理技术研究进展被引量:2
2020年
GaN器件大功率、高集成度的发展受限于热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和寿命衰减,使GaN器件的高功率性能优势远未得到发挥,片内微流热管理技术是解决热瓶颈的重要途径。针对上述问题,详细论述了GaN器件热瓶颈的基础问题和片内微流热管理的重要性,并对近年来国际正在开展的片内微流散热技术研究情况进行系统分析和评述,揭示了微流体与GaN器件片内近结集成的各类设计方法、工艺开发途径和面临的技术难点,阐述了GaN器件片内微流热管理技术的现状和发展方向。
顾鹏飞郭怀新沈国策韩潇
关键词:热积累热管理热流密度
Al_2O_3/WCu封装的残余应力有限元分析被引量:5
2014年
采用ABAQUS有限元模拟软件,建立氧化铝陶瓷-钨铜金属功率集成电路外壳的三维计算模型,对其钎焊封装的残余应力进行模拟计算,并系统地分析了外壳设计因素和钎焊因素对封装的残余应力分布及大小的影响。结果表明,氧化铝陶瓷-钨铜金属外壳封装的残余应力存在应力集中现象,主要集中在封接区域;瓷框和底座的厚度比、封接宽度、瓷框倒角半径及钎焊降温速率等因素对其应力分布和大小都有一定的影响。研究结果对外壳封装的可靠性评估和优化设计有一定的指导意义。
郭怀新胡进曹坤程凯王子良张海亮
关键词:封装残余应力应力集中
基于金刚石钝化散热的栅区微纳尺度刻蚀研究
2022年
片内热积累效应严重制约GaN器件向高功率密度应用发展,金刚石钝化散热结构的GaN器件热管控技术已成为目前研究重点,而金刚石栅区高精度刻蚀和控制是实现该热管理技术应用的关键工艺难点。因此,本文采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,以氮化硅作为刻蚀掩膜,对纳米金刚石薄膜进行栅区微纳尺度刻蚀工艺研究,系统分析了刻蚀气体、组分占比、射频功率等工艺参数对刻蚀速率的影响。结果表明,ICP源功率与氧气流量对刻蚀速率有增强作用,Ar与CF_(4)的加入对刻蚀过程具有调控作用。最终提出了基于等离子体刻蚀技术的高精度微纳尺度金刚石钝化薄膜刻蚀方法,对金刚石集成GaN器件热管理和金刚石高精度刻蚀技术具有重要的指导意义。
李义壮郭怀新郭怀新孔月婵郁鑫鑫
关键词:金刚石薄膜ICP刻蚀刻蚀速率热管理
导热金刚石同大尺寸芯片的低温烧结银连接工艺被引量:1
2021年
通过高导热银浆实现了连接大面积(>100 mm^(2))半导体硅片和金刚石的低温低压烧结技术。通过对金刚石表面镀覆金属薄膜,增强同烧结银界面处固态原子扩散,开发了商用烧结银膏在200℃下低温烧结工艺,得到金刚石-硅的均匀连接界面,计算得到孔隙率约为9.88%,中间烧结银层等效热阻约为1.38×10^(-5)m^(2)·K/W。
赵柯臣赵继文代兵张旭郭怀新孙华锐朱嘉琦
关键词:金刚石
基于GaN功率器件的热仿真技术研究被引量:2
2017年
针对大功率器件散热瓶颈问题,基于GaN功率芯片,利用有限元分析方法开展了芯片近结区热特性模拟方法的研究。建立了芯片近结区散热能力仿真评估的三维理论模型,系统地研究了不同的初始条件、边界条件、晶格热效应及结构理论假设等因素对仿真精度的影响,分析了理论建模因素对计算结果的影响的原因。同时采用红外热成像仪对不同功率下的GaN芯片结温进行测试验证,模拟计算的结果和测试值的偏差在10%之内,表明合理建模的热仿真技术可有效评估器件散热能力。
郭怀新韩平陈堂胜
关键词:热仿真结温有限元分析
密封测试中盖板结构对器件应力影响的有限元分析
2015年
针对器件在密封检测过程中的失效现象,采用ABAQUS有限元模拟软件,建立失效器件外壳的密封试验三维仿真模型,分别对失效结构封装件和改进结构封装件进行密封测试环境下的应力计算分析。计算结果从理论上解释了失效结构在密封试验时易出现严重的因瓷件微裂纹或开裂引起的失效现象。盖板的结构直接影响外壳整体应力的形式,通过结构调整,封装件薄弱区(外壳瓷件区域)的拉应力仅为原结构的63.3%,表明通过盖板结构的改进可有效避免该类失效现象,对封装可靠性的设计有一定的指导意义。
赵博郭怀新程凯王子良
关键词:封装应力有限元可靠性
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