陈科帆
- 作品数:9 被引量:4H指数:2
- 供职机构:中国科学院光电技术研究所更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域:一般工业技术自动化与计算机技术机械工程理学更多>>
- 用于场电子发射器的碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列及其制备技术
- 本发明公开了一种可用于场电子发射器的碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列及其制备方法。其主要包括以下工艺:(1)以硅单晶片或玻璃片或陶瓷片等为基板;(2)利用磁过滤真空蒸气弧等离子沉积技术或磁控溅射技术在基板上进沉积催化剂薄...
- 程国安赵飞陈科帆邓建华
- 文献传递
- 纳米柱阵列传感器的结构优化设计
- 当金属纳米粒子受到光波激发时,会在某一频率处出现集体振荡的现象,即局域表面等离子体共振(LSPR),表现出明显的消光特性,基于这种独特的光学特性,使得在生物传感和化学传感等方面具有重要的应用前景。纳米粒子阵列由于粒子间的...
- 倪祖高姚军周崇喜马文英陈科帆
- 一种新型弹性支撑结构的分立式微变形镜设计
- 变形镜是自适应光学系统中不可或缺的波前校正器,基于MEMS技术的微变形镜是目前一个非常有前途的发展方向,它具有驱动电压低、易于系统集成、成本低廉等优点。本文基于表面硅工艺设计了一种新型弹簧支撑静电吸引型12单元分立式微变...
- 汪为民庄须叶颜胜美陈科帆姚军
- 用于场电子发射器的碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列及其制备技术
- 本发明公开了一种可用于场电子发射器的碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列及其制备方法。其主要包括以下工艺:(1)以硅单晶片或玻璃片或陶瓷片等为基板;(2)利用磁过滤真空蒸气弧等离子沉积技术或磁控溅射技术在基板上进沉积催化剂薄...
- 程国安赵飞陈科帆邓建华
- 文献传递
- 一种基于静电排斥力的大冲程MEMS变形镜设计与测试
- 本文给出了一种基于静电排斥力的大冲程MEMS变形镜的结构设计和制造方案,通过对器件的测试对比了三种不同电极空间分布方式的变形镜的静态位移量.近年来,自适应光学中的MEMS变形镜广泛应用于天文学以及生物成像等技术.MEMS...
- 陈科帆姚军高福华汪为民倪祖高
- Zn离子注入对多壁碳纳米管结构和场发射性能的影响
- 2010年
- 利用MEVVA离子源在多壁碳纳米管阵列中注入Zn元素,实现多壁碳纳米管阵列的Zn离子掺杂,分析Zn离子注入对多壁碳纳米管结构和场发射性能的影响.研究发现:Zn离子注入会使多壁碳纳米管顶端产生结构损伤,由多层石墨结构的碳纳米管转变为无定形碳纳米线,Zn与C形成C:Zn固溶复合结构.较低注入剂量下形成的C:Zn复合结构使有效功函数降低,场电子发射的开启电场和阈值电场分别由0.80和1.31V/μm降低到0.66和1.04V/μm,提高了多壁碳纳米管阵列的场发射性能.大注入剂量造成的严重结构损伤会降低场增强因子,使场发射性能下降.
- 陈科帆邓建华赵飞程国安郑瑞廷
- 关键词:多壁碳纳米管离子注入场发射性能
- 碳纳米管阵列的结构调控及场发射性能研究
- 碳纳米管具有独特的电学、磁学性能,可以应用到下一代分子电子器件中。碳纳米管发射电子所需要的电场较低,是一种理想的场发射阴极材料,可用于制备平面显示器和纳米晶体管;碳纳米管有较大的比表面积,表现出独特的表面效应,可作为吸波...
- 陈科帆
- 关键词:碳纳米管离子注入场电子发射
- 基于静电排斥力的大冲程MEMS变形镜被引量:2
- 2011年
- 设计并制造了一种基于静电排斥力的大冲程MEMS变形镜,此变形镜采用了三个多晶硅结构层和一个金属反射层的设计。利用表面硅工艺完成了变形镜的加工,结合有限元分析软件和白光干涉仪对三种不同驱动器电极空间分布方式的静电排斥型变形镜进行了分析和研究。测试结果表明,静电排斥型变形镜在200V下能实现1.7μm以上的位移,冲程较传统静电吸引型变形镜有显著提高。在相同电压下,第三层多晶硅作为边缘电极时的变形镜获得的位移最大,在210V下达到2.42μm。
- 陈科帆姚军高福华汪为民倪祖高
- 关键词:变形镜自适应光学冲程
- 纳米柱阵列传感器的结构优化设计被引量:2
- 2010年
- 采用时域有限差分法(FDTD)对Ag纳米柱粒子构成的三角、方形和六角三种有限阵列排布方式下的局部表面等离子体共振(LSPR)传感特性进行了研究,讨论了三种阵列排布方式下栅格间距的变化对其消光特性、折射率灵敏度(RIS)和品质因素(FOM)的影响。栅格间距的变化使粒子间的电磁耦合发生了变化,进而改变了消光谱线,相应的折射率灵敏度和谱线的半高全宽也都发生变化。仿真结果表明,三角、方形和六角阵列的栅格间距分别为550,475和550nm时,品质因数分别取得极大值10.35,8.92和7.38RIU-1,较单个银粒子的2.76RIU-1分别提高了3.75,3.2和2.67倍。最优时,阵列结构的RIS均比单个的要高,分别为单个的1.2,1.16和1.18倍,且半高全宽(FWHM)均比单个的要窄,分别为单个的0.32,0.36和0.44倍。因此,阵列结构能够获得比单个结构更佳的传感灵敏度,且三角阵列结构比方形阵列和六角阵列的传感灵敏度要高。因此,三角阵列结构更能提高传感灵敏度,这对于纳米粒子的传感特性研究具有一定的指导意义。
- 倪祖高马文英姚军陈科帆
- 关键词:品质因素