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邓建华
作品数:
4
被引量:1
H指数:1
供职机构:
北京师范大学
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发文基金:
教育部科学技术研究重点项目
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
一般工业技术
理学
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合作作者
陈科帆
北京师范大学核科学与技术学院射...
程国安
北京师范大学核科学与技术学院射...
赵飞
北京师范大学核科学与技术学院射...
郑瑞廷
北京师范大学核科学与技术学院射...
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离子束辐照
机构
4篇
北京师范大学
作者
4篇
邓建华
3篇
赵飞
3篇
程国安
3篇
陈科帆
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郑瑞廷
传媒
1篇
中国科学:技...
年份
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2012
1篇
2011
1篇
2010
1篇
2009
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用于场电子发射器的碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列及其制备技术
本发明公开了一种可用于场电子发射器的碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列及其制备方法。其主要包括以下工艺:(1)以硅单晶片或玻璃片或陶瓷片等为基板;(2)利用磁过滤真空蒸气弧等离子沉积技术或磁控溅射技术在基板上进沉积催化剂薄...
程国安
赵飞
陈科帆
邓建华
文献传递
载能离子作用下碳纳米材料结构演变与场发射性能的研究
近些年来,低维纳米材料因其异于块材的优良性能而被广泛研究,也因此衍生出许多令人期待的应用前景。低维纳米材料场发射性能的研究将高性能场电子源器件的开发和应用提升到了新的高度。碳纳米管阵列因其良好的导电性和大的长径比成为到目...
邓建华
关键词:
碳纳米管阵列
场发射性能
化学气相沉积
用于场电子发射器的碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列及其制备技术
本发明公开了一种可用于场电子发射器的碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列及其制备方法。其主要包括以下工艺:(1)以硅单晶片或玻璃片或陶瓷片等为基板;(2)利用磁过滤真空蒸气弧等离子沉积技术或磁控溅射技术在基板上进沉积催化剂薄...
程国安
赵飞
陈科帆
邓建华
文献传递
Zn离子注入对多壁碳纳米管结构和场发射性能的影响
2010年
利用MEVVA离子源在多壁碳纳米管阵列中注入Zn元素,实现多壁碳纳米管阵列的Zn离子掺杂,分析Zn离子注入对多壁碳纳米管结构和场发射性能的影响.研究发现:Zn离子注入会使多壁碳纳米管顶端产生结构损伤,由多层石墨结构的碳纳米管转变为无定形碳纳米线,Zn与C形成C:Zn固溶复合结构.较低注入剂量下形成的C:Zn复合结构使有效功函数降低,场电子发射的开启电场和阈值电场分别由0.80和1.31V/μm降低到0.66和1.04V/μm,提高了多壁碳纳米管阵列的场发射性能.大注入剂量造成的严重结构损伤会降低场增强因子,使场发射性能下降.
陈科帆
邓建华
赵飞
程国安
郑瑞廷
关键词:
多壁碳纳米管
离子注入
场发射性能
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