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Ku波段SiGe幅相多功能芯片设计被引量：5: 2017年; 幅相多功能芯片是相控阵雷达的关键部件。为了降低前端收发组件的尺寸和成本,本文采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计了一款Ku波段幅相多功能芯片,单片集成了接收通道和发射通道,芯片面积2.5 mm×4.5mm。研制的多功能芯片的接收通道含前端低噪声放大器、六位数控衰减器、驱动放大器、单刀双掷开关、六位数控移相器;发射通道含六位数控移相器、单刀双掷开关、驱动放大器、中功率放大器。此外,为了进一步提高芯片的集成度,采用片上集成的电源管理单元和数字逻辑单元实现电源电压变换、衰减器和移相器的逻辑控制以及收发通道切换等功能。实测结果表明:在f1~f2(1GHz带宽)频带内,实现了发射增益17dB,发射功率(Psat)21.7dBm;接收增益-3dB,接收输入功率(P-1)-8.5dBm,接收噪声系数6.5dB;5.625°移相步进,移相精度(RMS)4.5°;0.5dB衰减步进,衰减精度(0.3dB+7%AS)。; 李健康沈宏昌陈亮李晓鹏童伟曲俊达; 关键词：SIGE 异质结双极晶体管衰减器单刀双掷开关

5~6GHz自适应线性化偏置的InGaP/GaAs HBT功率放大器被引量：9: 2020年; 针对高质量无线局域网的传输需求,设计了一款工作在5~6 GHz的宽带磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器芯片。针对HBT晶体管自热效应产生的非线性和电流不稳定现象,采用自适应线性化偏置技术,有效地解决了上述问题。针对射频系统的功耗问题,设计了改进的射频功率检测电路,以实现射频系统的自动增益控制,降低功耗。通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路(MMIC)技术实现该功率放大器芯片。仿真结果表明,功放芯片的小信号增益达到32 dB;1 dB压缩点功率为28.5 dBm@5.5 GHz,功率附加效率PAE超过32%@5.5 GHz;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-32 dBc。; 堵沈琪陈亮李丹钱峰钱峰; 关键词：镓化合物异质结晶体管功率放大器

用于数字相控阵雷达收发组件的0.7~4.0GHz SOI CMOS有源下混频器: 2015年; 基于0.18μm SOI CMOS工艺设计了一款用于数字相控阵雷达的宽带有源下混频器。该混频器集成了射频、本振放大器、Gilbert混频电路、中频放大器以及ESD保护电路。该芯片可以直接差分输出,亦可经过片外balun合成单端信号后输出。射频和本振端口VSWR的测试结果在0.7~4.0GHz范围内均小于2,IF端口的VSWR测试结果在25 MHz^1GHz范围内小于2。当差分输出时,该混频器的功率转换增益为10dB,1dB压缩点输出功率为3.3dBm。电源电压为2.5V,静态电流为64mA,芯片面积仅为1.0mm×0.9mm。; 陈亮陈新宇张有涛杨磊; 关键词：有源混频器宽带

用于雷达T/R组件的SOI CMOS工艺射频芯片被引量：1: 2015年; 南京电子器件研究所国博电子有限公司基于0．18umSOICMOS工艺研制了多款用于相控阵雷达的射频芯片，包括1-1．7GHz有源下混频器、0．7～4GHz有源下混频器、X波段6位移相器和X波段5位衰减器，芯片照片见图1。下混频器集成了射频、本振放大器，混频器以及中频放大器；X波段移相器和衰减器均集成了驱动器和ESD保护电路。该系列芯片解决了高集成度、小尺寸以及低功耗雷达T瓜组件的关键问题。; 陈亮陈新宇张有涛杨磊; 关键词：射频芯片 T/R组件 CMOS工艺 ESD保护电路中频放大器

基于SiGe BiCMOS工艺的802.11ac系统射频前端芯片设计被引量：1: 2018年; 基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款工作在5.15～5.85GHz的用于802.11ac系统的高集成射频前端芯片。芯片集成低噪声放大器、开关、功率放大器以及电源管理电路、功能控制电路、静电放电(Electrostatic discharge,ESD)保护电路。芯片面积为1.56mm×1.56mm,封装采用尺寸为2.5mm×2.5mm×0.5mm的16管脚QFN封装形式。芯片电源电压为5V,控制电压为3.3V。测试结果表明,发射通路的直流电流为120mA,增益为29dB,输出P-1为27dBm,当输出功率为18dBm时误差向量幅度为-34dB;接收通路的直流电流为6mA,增益为12.5dB,噪声系数为2.4dB,输出P-1为10dBm。同时,芯片集成功率检测功能可用于实现发射系统的动态增益控制。ESD测试结果显示,各端口的ESD保护能力大于1 500V(HBM模式)。; 陈亮陈亮陈悦鹏

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陈亮