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陈雪平

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰微电子股份有限公司更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇感器
  • 6篇传感
  • 6篇传感器
  • 5篇单芯片
  • 5篇磁阻
  • 5篇磁阻传感器
  • 4篇淀积
  • 4篇刻蚀
  • 3篇湿法腐蚀
  • 3篇退火
  • 3篇热电堆
  • 3篇介质层
  • 3篇金属
  • 3篇刻蚀工艺
  • 3篇空腔
  • 3篇干法刻蚀
  • 3篇干法刻蚀工艺
  • 2篇电化学腐蚀
  • 2篇短路
  • 2篇网格

机构

  • 13篇杭州士兰集成...
  • 3篇杭州士兰微电...

作者

  • 13篇陈雪平
  • 9篇刘琛
  • 7篇孙福河
  • 5篇季锋
  • 5篇孙伟
  • 1篇李晓伟

传媒

  • 1篇中国集成电路

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 8篇2016
  • 2篇2015
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
热电堆红外探测器
本实用新型提供一种热电堆红外探测器，该热电堆红外探测器包括：衬底，所述衬底内具有空腔；介质支撑膜，位于所述空腔上方并由所述衬底支撑；热电堆，位于所述空腔上方的介质支撑膜上；超材料结构，位于所述热电堆上方，所述超材料结构包...
孙福河闻永祥刘琛季锋陈雪平
文献传递
MEMS磁传感器斜面Barber电极制作技术
2016年
本文介绍了一种在MEMS磁传感器中利用剥离工艺制作斜面barber电极的技术。通过研究曝光量、PEB温度和PEB时间对负胶倒角的影响得到最佳工艺条件,负胶形貌为倒梯形,等效倒角约69°。曝光量主要影响曝光区域链式反应的充分度;PEB温度和PEB时间主要影响链式反应后收缩应力的释放程度。优化后的工艺成功运用在MEMS磁传感器barber电极的制作中,平面和斜面barber电极无脱落异常。
方佼於广军闻永祥李晓伟陈雪平
关键词：倒角
具有斜面的衬底结构、磁阻传感器及其制作方法
本发明提供了一种具有斜面的衬底结构、磁阻传感器及其制作方法。所述具有斜面的衬底结构的制作方法，在衬底及凹槽表面和/或衬底及凸台表面淀积具有流动性的介质层，再对所述具有流动性的介质层进行退火回流，退火回流后的介质层将使斜面...
陈雪平闻永祥刘琛孙福河
文献传递
空腔形成方法、热电堆红外探测器及其制作方法
本发明提供了一种空腔形成方法、热电堆红外探测器及其制作方法，所述空腔形成方法在硅衬底中形成N阱，在N阱包围的硅衬底中形成N型掺杂的网格结构，并进行电化学腐蚀形成多孔硅层，再通过外延工艺使多孔硅层发生重构形成封闭的空腔。本...
孙福河闻永祥季锋刘琛陈雪平孙伟
单芯片三轴各向异性磁阻传感器
本实用新型提供了一种单芯片三轴各向异性磁阻传感器，在衬底中形成具有倾斜侧壁的凹槽，并在所述凹槽的侧壁上形成Z轴磁阻条和Z轴短路电极，在所述衬底的平面上形成X、Y轴磁阻条和X、Y轴短路电极，如此将X、Y、Z轴磁感测元件集成...
陈雪平闻永祥刘琛孙福河
文献传递
具有斜面的衬底结构、磁阻传感器
本实用新型提出了一种具有斜面的衬底结构以及包含该衬底结构的磁阻传感器，所述具有斜面的衬底结构包括衬底、形成于所述衬底上的凹槽和/或凸台以及经过退火回流的硼磷硅玻璃或磷硅玻璃，所述硼磷硅玻璃或磷硅玻璃覆盖所述衬底和凹槽表面...
陈雪平闻永祥刘琛孙福河
文献传递
单芯片三轴各向异性磁阻传感器制作方法
本发明提供了一种单芯片三轴各向异性磁阻传感器制作方法，在衬底中形成具有倾斜侧壁的凹槽，并在所述凹槽的侧壁上形成Z轴磁阻条和Z轴短路电极，在所述衬底的平面上形成X、Y轴磁阻条和X、Y轴短路电极，如此将X、Y、Z轴磁感测元件...
陈雪平闻永祥刘琛孙福河
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热电堆红外探测器及其制作方法
本发明提供一种热电堆红外探测器及其制作方法，该热电堆红外探测器包括：衬底，所述衬底内具有空腔；介质支撑膜，位于所述空腔上方并由所述衬底支撑；热电堆，位于所述空腔上方的介质支撑膜上；超材料结构，位于所述热电堆上方，所述超材...
孙福河闻永祥刘琛季锋陈雪平
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集成型磁开关及其制造方法
本发明提供了一种集成型磁开关及其制造方法，通过半导体工艺将磁电阻条制作于ASIC电路上，由此可以极大的减小所形成的集成型磁开关的体积。进一步的，采用剥离工艺形成第一金属层，从而有效地避开了连接孔刻蚀、连接金属淀积前的溅射...
陈雪平闻永祥刘琛孙伟
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空腔形成方法、热电堆红外探测器及其制作方法
本发明提供了一种空腔形成方法、热电堆红外探测器及其制作方法，所述空腔形成方法在硅衬底中形成N阱，在N阱包围的硅衬底中形成N型掺杂的网格结构，并进行电化学腐蚀形成多孔硅层，再通过外延工艺使多孔硅层发生重构形成封闭的空腔。本...
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