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孙福河

作品数：20 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 6篇电容
  • 6篇电容器
  • 6篇牺牲层
  • 6篇可变电容
  • 6篇可变电容器
  • 6篇MEMS器件
  • 6篇差分式
  • 4篇蒸发
  • 4篇蒸发系统
  • 4篇传动
  • 4篇传动装置
  • 3篇低噪
  • 3篇低噪声
  • 3篇动力机构
  • 3篇真空蒸发器
  • 3篇湿法腐蚀
  • 3篇热电堆
  • 3篇金属
  • 3篇刻蚀
  • 3篇刻蚀工艺

机构

  • 20篇杭州士兰集成...

作者

  • 20篇孙福河
  • 13篇刘琛
  • 7篇陈雪平
  • 7篇曹永辉
  • 5篇季锋
  • 3篇孙伟

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 8篇2015
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
倾斜角沉积蒸发传动装置
1、本外观设计产品的名称：倾斜角沉积蒸发传动装置。;2、本外观设计产品用途：用于倾斜角沉积蒸发系统（一种蒸发制备薄膜的设备，又称蒸发台）中对基片的承载和传动。;3、本外观设计产品的设计要点在于外观设计产品的形状。;4、最...
乐仲孙福河闻永祥曹永辉
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热电堆红外探测器及其制作方法
本发明提供一种热电堆红外探测器及其制作方法，该热电堆红外探测器包括：衬底，所述衬底内具有空腔；介质支撑膜，位于所述空腔上方并由所述衬底支撑；热电堆，位于所述空腔上方的介质支撑膜上；超材料结构，位于所述热电堆上方，所述超材...
孙福河闻永祥刘琛季锋陈雪平
文献传递
MEMS器件及其制造方法
公开了一种MEMS器件，其中，包括：衬底，衬底具有第一空腔；第一牺牲层，位于衬底上；第一振膜层，位于第一牺牲层上，第一振膜层的至少一部分由第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于第一振膜层上；背极板层，位于第二牺牲层上，所述背极...
孙福河刘琛周延青闻永祥
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沉积蒸发系统
本发明涉及一种沉积蒸发系统，用于对基片进行倾斜蒸发沉积，包括动力机构、沉积蒸发传动装置和真空蒸发器，所述动力机构与所述沉积蒸发传动装置相连接，用于驱动所述沉积蒸发传动装置转动；所述真空蒸发器位于所述沉积蒸发传动装置的下方...
乐仲孙福河闻永祥曹永辉
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单芯片三轴各向异性磁阻传感器
本实用新型提供了一种单芯片三轴各向异性磁阻传感器，在衬底中形成具有倾斜侧壁的凹槽，并在所述凹槽的侧壁上形成Z轴磁阻条和Z轴短路电极，在所述衬底的平面上形成X、Y轴磁阻条和X、Y轴短路电极，如此将X、Y、Z轴磁感测元件集成...
陈雪平闻永祥刘琛孙福河
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基片载具
1、本外观设计产品的名称：基片载具。;2、本外观设计产品用途：用于在倾斜角蒸发沉积系统（一种蒸发制备薄膜的设备，又称蒸发台）中安装基片并驱动基片转动。;3、本外观设计产品的设计要点在于外观设计产品的形状。;4、最能表明设...
乐仲孙福河闻永祥曹永辉
热电堆红外探测器
本实用新型提供一种热电堆红外探测器，该热电堆红外探测器包括：衬底，所述衬底内具有空腔；介质支撑膜，位于所述空腔上方并由所述衬底支撑；热电堆，位于所述空腔上方的介质支撑膜上；超材料结构，位于所述热电堆上方，所述超材料结构包...
孙福河闻永祥刘琛季锋陈雪平
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MEMS器件及其制造方法
公开了一种MEMS器件，其中，包括具有第一空腔的衬底；第一牺牲层，位于衬底上；第一背极板层，位于第一牺牲层上，第一背极板层的至少一部分由第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于第一背极板层上；振膜层，位于第二牺牲层上，振膜层的至...
孙福河闻永祥刘琛慕艾霖
空腔形成方法、热电堆红外探测器及其制作方法
本发明提供了一种空腔形成方法、热电堆红外探测器及其制作方法，所述空腔形成方法在硅衬底中形成N阱，在N阱包围的硅衬底中形成N型掺杂的网格结构，并进行电化学腐蚀形成多孔硅层，再通过外延工艺使多孔硅层发生重构形成封闭的空腔。本...
孙福河闻永祥季锋刘琛陈雪平孙伟
沉积蒸发系统及沉积蒸发传动装置
本实用新型涉及一种沉积蒸发系统以及沉积蒸发系统的传动装置，沉积蒸发系统用于对基片进行倾斜蒸发沉积，包括动力机构、沉积蒸发传动装置和真空蒸发器，所述动力机构与所述沉积蒸发传动装置相连接，用于驱动所述沉积蒸发传动装置转动；所...
乐仲孙福河闻永祥曹永辉
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