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刘琛

作品数：80 被引量：4H指数：1
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 74篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 16篇外延层
  • 16篇感器
  • 16篇半导体
  • 16篇传感
  • 16篇传感器
  • 15篇MEMS器件
  • 14篇介质层
  • 14篇发射区
  • 14篇半导体器件
  • 11篇功率半导体
  • 11篇功率半导体器...
  • 11篇硅片
  • 10篇空腔
  • 9篇牺牲层
  • 9篇衬底
  • 8篇电化学腐蚀
  • 8篇微电子
  • 8篇微电子工艺
  • 8篇芯片
  • 8篇二极管

机构

  • 80篇杭州士兰集成...

作者

  • 80篇刘琛
  • 39篇季锋
  • 21篇刘慧勇
  • 13篇范伟宏
  • 12篇饶晓俊
  • 11篇孙福河
  • 9篇陈雪平
  • 9篇孙伟
  • 6篇王平
  • 6篇杨彦涛
  • 5篇季峰
  • 4篇张小丽
  • 3篇李立文
  • 3篇江宇雷
  • 3篇赵金波
  • 2篇吕艳欣
  • 2篇陈元金
  • 2篇李小锋
  • 1篇李志栓
  • 1篇赵学峰

传媒

  • 5篇中国集成电路
  • 1篇2014`全...

年份

  • 2篇2019
  • 9篇2018
  • 11篇2017
  • 12篇2016
  • 10篇2015
  • 21篇2014
  • 7篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 80 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
功率半导体器件
本实用新型提供了一种功率半导体器件，包括：N型掺杂的半导体衬底，该半导体衬底的晶向为<100>；位于半导体衬底正面上的纵向掺杂均匀的第一外延层，第一外延层的掺杂类型和掺杂浓度与半导体衬底相同，半导体衬底和第一...
顾悦吉闻永祥刘琛刘慧勇
文献传递
一种功率器件终端环的制造方法及其结构
本发明提出一种功率器件终端环的制造方法，包括如下步骤：在半导体衬底上由下至上依次形成功率器件的硅衬底和场氧化层；通过光刻工艺在场氧化层上的掩膜层中形成终端环光刻窗口；在终端环光刻窗口内干法蚀刻部分厚度的场氧化层，形成第一...
闻永祥顾悦吉刘琛刘慧勇
MEMS器件
一种MEMS器件包括：基底，具有第一空腔；第一牺牲层，位于基底上，具有第二空腔；振动隔膜层，振动隔膜层的至少一部分由第一牺牲层支撑，振动隔膜层包括位于第二空腔上方的振动隔膜，振动隔膜朝向第二空腔的表面具有向第二空腔突出的...
闻永祥刘琛季锋覃耀慰
文献传递
Bipolar电路的多层复合钝化层结构及其生成工艺方法
本发明提供了Bipolar电路的多层复合钝化膜结构包括淀积在硅基底表面的底层氧化硅薄膜层和淀积在该氧化硅薄膜层上的氮化硅薄膜层，所述的氧化硅薄膜层中掺有一定比例的磷烷，氧化硅薄膜层依次为不掺杂的二氧化硅层、掺杂的磷硅玻璃...
刘琛李小锋吕艳欣陈元金
文献传递
MEMS器件及其制造方法
公开了一种MEMS器件包括：基底，具有第一空腔；第一牺牲层，位于基底上，具有第二空腔；振动隔膜层，振动隔膜层的至少一部分由第一牺牲层支撑，振动隔膜层包括位于第二空腔上方的振动隔膜，振动隔膜朝向第二空腔的表面具有向第二空腔...
闻永祥刘琛季锋覃耀慰
文献传递
多孔硅腐蚀制造空腔薄膜方法
2019年
本文介绍了在具有N-网格结构的单晶硅上通过电化学腐蚀的方法,将硅片部分区域转化成多孔硅,通过常规单晶硅外延工艺,使多孔硅所在区域形成外延单晶硅下的空腔结构。该制造方法除电化学腐蚀工艺外,完全与CMOS工艺方法兼容,具有成本低,良率高,膜厚均匀等优势,是一种较为理想的空腔薄膜制作方法。
季锋刘琛孙伟闻永祥邹光祎
关键词：TMAH
MEMS器件
本申请公开了MEMS器件。所述MEMS器件包括：衬底；位于衬底上的MEMS传感器，所述MEMS传感器包括在衬底上形成的空腔以及位于空腔上的结构层；以及位于MEMS传感器上的晶体管，其中，所述晶体管的至少一部分形成在所述M...
孙伟闻永祥季锋刘琛
文献传递
热电堆红外探测器
本实用新型提供一种热电堆红外探测器，该热电堆红外探测器包括：衬底，所述衬底内具有空腔；介质支撑膜，位于所述空腔上方并由所述衬底支撑；热电堆，位于所述空腔上方的介质支撑膜上；超材料结构，位于所述热电堆上方，所述超材料结构包...
孙福河闻永祥刘琛季锋陈雪平
文献传递
半导体沟槽结构的形成方法
本发明提供了一种半导体沟槽结构的形成方法，所述半导体沟槽结构的形成方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上顺次形成第一介质层和第二介质层；去除部分第二介质层，形成第一窗口；执行氧化工艺，在所述第一窗口中形成鸟嘴结构...
杨彦涛季锋江宇雷赵金波刘琛桑雨果
文献传递
集成续流二极管的功率半导体器件及其形成方法
本发明提供了一种集成续流二极管的功率半导体器件及其形成方法，该器件包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，具有相对的正面和背面，作为IGBT器件的场截止区；位于半导体衬底正面上的外延层，外延层的背面与半导体衬底的正面贴合，外...
顾悦吉闻永祥刘琛刘慧勇
文献传递
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