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郑涛

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

主题

  • 7篇基板
  • 7篇硅基
  • 7篇硅基板
  • 5篇电感
  • 5篇深坑
  • 3篇平面线圈
  • 2篇电感线圈
  • 2篇电感值
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇丝网印刷
  • 2篇丝网印刷工艺
  • 2篇填充金属
  • 2篇图形化
  • 2篇无源元件
  • 2篇介质层
  • 2篇集成无源元件
  • 2篇减薄
  • 1篇电极
  • 1篇电容
  • 1篇电阻

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇徐高卫
  • 8篇罗乐
  • 8篇郑涛
  • 3篇韩梅
  • 2篇顾杰斌
  • 1篇刘宇
  • 1篇周杨

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 6篇2015
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
集成无源元件转接板及其制备方法
本发明提供一种集成无源元件转接板及其制备方法，包括：1）提供硅基板；2）在硅基板的第一表面形成若干个第一盲孔及第二盲孔，第一盲孔的深度小于第二盲孔的深度；3）在硅基板的第一表面、第一盲孔表面及第二盲孔表面形成绝缘保护层；...
郑涛罗乐徐高卫顾杰斌
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一种深槽结构电容及其制造方法
本发明提供一种深槽结构电容及其制造方法，所述制造方法包括步骤：1）提供一衬底，于所述衬底中刻蚀出深槽结构；2）于所述深槽结构内表面及衬底表面形成第一金属层，作为电容的下电极；3）于所述第一金属层表面形成介质层；4）于所述...
郑涛罗乐徐高卫韩梅
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一种高品质因数电感制造方法
本发明涉及一种高品质因数电感制造方法，包括以下步骤：提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板正面的掩膜层上形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；旋涂聚合物形成隔离层，该隔离层覆盖所述深...
郑涛罗乐徐高卫刘宇
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一种高品质因数电容制造方法
本发明涉及一种高品质因数电容制造方法，该制造方法至少包括以下步骤：提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面的掩膜层上形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；使得该深坑结构底部剩余一层...
郑涛罗乐徐高卫
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集成无源元件转接板及其制备方法
本发明提供一种集成无源元件转接板及其制备方法，包括：1）提供硅基板；2）在硅基板的第一表面形成若干个第一盲孔及第二盲孔，第一盲孔的深度小于第二盲孔的深度；3）在硅基板的第一表面、第一盲孔表面及第二盲孔表面形成绝缘保护层；...
郑涛罗乐徐高卫顾杰斌
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一种高密度电感的制造方法
本发明提供一种高密度电感的制造方法，包括以下步骤：在硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形；在步骤C之后获得的结构上...
郑涛罗乐徐高卫韩梅
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一种高品质因数电感制造方法
本发明提供一种高品质因数电感制造方法，包括以下步骤：提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形；在步...
郑涛罗乐徐高卫韩梅
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一种高密度电感的制造方法
本发明涉及一种高密度电感的制造方法，包括以下步骤：在硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形；在步骤C之后获得的结构上...
郑涛罗乐徐高卫周杨
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