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韩梅

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇中文专利

领域

  • 1篇化学工程

主题

  • 7篇电感
  • 5篇湿法腐蚀
  • 5篇芯片
  • 5篇封装
  • 4篇芯片尺寸
  • 4篇芯片尺寸封装
  • 4篇尺寸封装
  • 3篇电感元件
  • 3篇子层
  • 3篇显影
  • 3篇金属互连
  • 3篇晶圆
  • 3篇刻蚀
  • 3篇互连
  • 3篇集成电感
  • 3篇封装器件
  • 3篇感器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇有机树脂

机构

  • 15篇中国科学院

作者

  • 15篇徐高卫
  • 15篇罗乐
  • 15篇韩梅
  • 11篇王双福
  • 3篇郑涛
  • 2篇叶交托
  • 1篇李珩
  • 1篇汤佳杰
  • 1篇王天喜
  • 1篇朱春生
  • 1篇宁文果
  • 1篇陈骁

年份

  • 1篇2017
  • 5篇2015
  • 4篇2014
  • 5篇2012
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种与RDL工艺兼容的电感元件及制造方法
本发明涉及一种与RDL工艺兼容的电感元件及制造方法，其特征在于在硅衬底上用薄膜金属淀积工艺同时形成第一层金属互连传输线及屏蔽层；旋涂光敏介质层，曝光显影，形成金属互连通孔，退火，等离子体干刻去除显影残余部分，电镀金属填满...
韩梅罗乐徐高卫王双福
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多层金属化薄膜叠加制作电感元件的方法
本发明涉及一种多层金属化薄膜叠加制作电感元件的方法，其特征在于在基板或衬底上溅射种子层，光刻形成掩膜，电镀金属形成第一层金属互连传输线及第一电感金属层，去除光刻胶及种子层；旋涂光敏介质层，曝光显影形成金属互连通孔及第二电...
韩梅罗乐徐高卫王双福
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一种高品质因数电感制造方法
本发明提供一种高品质因数电感制造方法，包括以下步骤：提供一硅基板，在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板反面形成腐蚀窗口；沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构；在所述硅基板正面的掩膜层上形成第一层金属图形；在步...
郑涛罗乐徐高卫韩梅
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基于聚酰亚胺和填充物腐蚀的湿度传感器结构改进及方法
本发明涉及一种基于聚酰亚胺和填充物腐蚀的湿度传感器结构改进及方法，其特征在于在电极板之间的聚酰亚胺层中填充材料后腐蚀制作出多孔薄膜，经光刻后a)沿电极板方向制作单个空腔；b)沿电极板方向制作多个空腔；c)垂直电极板方向制...
宁文果罗乐徐高卫李珩汤佳杰陈骁王天喜韩梅王双福朱春生叶交托
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一种可见光器件圆片级封装结构和方法
本发明提供一种可见光圆片级封装结构和方法，所述方法至少包括步骤：提供透明封装基板，在所述透明封装基板表面键合硅晶圆，所述硅晶圆中制造有暴露所述透明封装基板的腔体；在所述腔体中四周的底部和侧壁表面、以及硅晶圆的背面制备互连...
王双福罗乐徐高卫叶交托韩梅
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高Q电感及制备方法
本发明提供一种高Q电感及制备方法。首先，将半导体基底的一表面腐蚀成深坑状；接着，在所述半导体基底的另一表面形成支撑层；随后再在所述支撑层的表面相对于深坑的位置形成包含多层金属线圈的电感结构；最后，对已形成电感结构的基底结...
韩梅罗乐徐高卫
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低温下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺
本发明涉及一种低温条件下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺，其特征在于①首先进行载片与图像传感器器件晶圆之间的键合，以保护芯片晶圆有源面并为器件晶圆减薄提供支撑；②然后通过研磨方法使器件晶圆减薄至一定厚度；③再通过砷...
王双福罗乐徐高卫韩梅
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一种深槽结构电容及其制造方法
本发明提供一种深槽结构电容及其制造方法，所述制造方法包括步骤：1）提供一衬底，于所述衬底中刻蚀出深槽结构；2）于所述深槽结构内表面及衬底表面形成第一金属层，作为电容的下电极；3）于所述第一金属层表面形成介质层；4）于所述...
郑涛罗乐徐高卫韩梅
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电容电感复合结构及其制造方法
本发明提供一种电容电感复合结构的制造方法，至少包括以下步骤：S1：提供一基板，采用溅射法或蒸发法在所述基板上形成一金属层；S2：以所述金属层的一部分作为电容下极板制作电容，以所述金属层的另一部分作为电感的电镀种子层制作电...
韩梅罗乐徐高卫王双福
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低温下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺
本发明涉及一种低温条件下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺，其特征在于①首先进行载片与图像传感器器件晶圆之间的键合，以保护芯片晶圆有源面并为器件晶圆减薄提供支撑；②然后通过研磨方法使器件晶圆减薄至一定厚度；③再通过砷...
王双福罗乐徐高卫韩梅
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