您的位置： 专家智库 > >

王双福

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇中文专利

领域

  • 1篇化学工程

主题

  • 11篇封装
  • 8篇圆片
  • 8篇感器
  • 8篇传感
  • 8篇传感器
  • 7篇图像
  • 7篇图像传感器
  • 6篇湿法腐蚀
  • 6篇芯片
  • 5篇圆片级
  • 5篇芯片尺寸
  • 5篇芯片尺寸封装
  • 5篇晶圆
  • 5篇尺寸封装
  • 4篇粘接
  • 4篇粘接剂
  • 4篇树脂
  • 4篇金属互连
  • 4篇互连
  • 4篇封装器件

机构

  • 19篇中国科学院

作者

  • 19篇徐高卫
  • 19篇罗乐
  • 19篇王双福
  • 11篇韩梅
  • 10篇叶交托
  • 2篇朱春生
  • 1篇李珩
  • 1篇汤佳杰
  • 1篇王天喜
  • 1篇宁文果
  • 1篇陈骁

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 7篇2014
  • 2篇2013
  • 6篇2012
共 19 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
低温下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺
本发明涉及一种低温条件下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺，其特征在于①首先进行载片与图像传感器器件晶圆之间的键合，以保护芯片晶圆有源面并为器件晶圆减薄提供支撑；②然后通过研磨方法使器件晶圆减薄至一定厚度；③再通过砷...
王双福罗乐徐高卫韩梅
文献传递
一种增强焊球与UBM粘附性的方法及封装结构
本发明提供一种增强焊球与UBM粘附性的方法，其主要步骤为：首先对焊盘表面进行处理并溅射粘附层和种子层，之后电镀金属铜，电镀完成之后在铜UBM上制作凹坑，可通过腐蚀或激光打孔的方法来实现；最后制作焊球并回流。通过以上步骤，...
朱春生罗乐徐高卫王双福叶交托
文献传递
一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构
本发明提供一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构，该封装方法包括：在一传感晶片的有源面形成第一钝化层；在第一钝化层上沉积至少1个金属煽出电极；将传感晶片的有源面与一透明基板键合；在传感晶片的背面沉积第二钝化层，并在第二...
叶交托罗乐徐高卫王双福
文献传递
一种可见光器件圆片级封装结构和方法
本发明提供一种可见光圆片级封装结构和方法，所述方法至少包括步骤：提供透明封装基板，在所述透明封装基板表面键合硅晶圆，所述硅晶圆中制造有暴露所述透明封装基板的腔体；在所述腔体中四周的底部和侧壁表面、以及硅晶圆的背面制备互连...
王双福罗乐徐高卫叶交托韩梅
文献传递
一种与RDL工艺兼容的电感元件及制造方法
本发明涉及一种与RDL工艺兼容的电感元件及制造方法，其特征在于在硅衬底上用薄膜金属淀积工艺同时形成第一层金属互连传输线及屏蔽层；旋涂光敏介质层，曝光显影，形成金属互连通孔，退火，等离子体干刻去除显影残余部分，电镀金属填满...
韩梅罗乐徐高卫王双福
文献传递
利用TSV技术实现GaAs图像传感器的圆片级封装方法
本发明涉及一种利用硅通孔(TSV)技术实现砷化镓(GaAs)图像传感器圆片级封装的方法。其特征在于其步骤包括：机械加工与湿法腐蚀配合使用加工出凹槽；在凹槽中制作一树脂绝缘层；然后用激光方法在树脂上制作通孔；槽内和通孔内电...
叶交托罗乐徐高卫王双福
文献传递
电容电感复合结构及其制造方法
本发明提供一种电容电感复合结构的制造方法，至少包括以下步骤：S1：提供一基板，采用溅射法或蒸发法在所述基板上形成一金属层；S2：以所述金属层的一部分作为电容下极板制作电容，以所述金属层的另一部分作为电感的电镀种子层制作电...
韩梅罗乐徐高卫王双福
文献传递
砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装方法及其结构
本发明提供一种砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装方法及其结构，该方法包括以下步骤：提供一预设若干焊盘(22)的基于砷化镓衬底材料的图像传感器晶圆(20)，与一透明载片(10)利用干膜(12)进行键合；直接在砷化镓图像传感...
王双福罗乐徐高卫叶交托
文献传递
低温下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺
本发明涉及一种低温条件下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺，其特征在于①首先进行载片与图像传感器器件晶圆之间的键合，以保护芯片晶圆有源面并为器件晶圆减薄提供支撑；②然后通过研磨方法使器件晶圆减薄至一定厚度；③再通过砷...
王双福罗乐徐高卫韩梅
文献传递
图像传感器圆片级封装方法及其结构
本发明涉及一种图像传感器圆片级封装方法及其结构。包括以下步骤：提供一包含若干芯片的图像传感器晶片(1)，与一透明基板(5)键合；之后对图像传感器晶片(1)进行背减薄；在图像传感器晶片背部、与所述焊盘电极(4)对应的位置打...
叶交托罗乐徐高卫王双福
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0