杨富宝
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术更多>>
- 沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺被引量：1
- 2016年
- 深硅刻蚀工艺是制造沟槽肖特基器件的关键技术。Si深槽的深度影响肖特基反向击穿电压,深槽的垂直度影响多晶Si回填效果,侧壁平滑度及深槽底部长草现象对器件的耐压性能影响显著。采用SF6/O2常温刻蚀工艺刻蚀Si深槽。研究了工艺压力、线圈功率、SF6/O2比例以及下电极功率等参数对沟槽深度均匀性和垂直度的影响。得到了使Si深槽形貌为槽口宽度略大于槽底,侧壁光滑,且沟槽深度均匀性为2.3%左右的工艺条件。利用该刻蚀工艺可实现沟槽多晶Si无缝回填。该工艺条件成功应用于沟槽肖特基器件制作中,反向击穿电压达到58 V,反向电压通48 V,漏电流为11.2μA,良率达到97.55%。
- 李志栓汤光洪於广军杨新刚杨富宝
- 快速热退火对SPV法测试氧化硅片中铁的影响
- 2007年
- 研究了快速热退火(RTA)对表面光电压SPV法测试氧化硅片中铁的影响。结果表明,氧化硅片在1100℃的条件下RTA 3min后,SPV测出的铁含量大幅度地减小。由于RTA的均匀化作用,氧化硅片表层的铁浓度显著低于氧化刚结束时硅片表层的铁浓度。根据SPV测试理论,从硅片表面到少数载流子产生处这一区域的铁浓度最终决定了铁含量的测试结果,即硅片表层的铁含量代表了整个硅片的铁含量。因此,氧化硅片经RTA处理后,SPV测出的铁含量大幅度地减小。
- 杨富宝
- 关键词：快速热退火表面光电压少数载流子铁含量
- IC生产线上离子注入剂量测试方法
- 2010年
- 在IC生产线上，对离子注入剂量的监控非常重要。目前，离子注入剂量的测试方法有很多种，它们在测试原理、仪器价格、测试灵敏度、样品制备和操作方便性等方面存在较大差异。本文重点介绍了MOSC—V法、扩展电阻探针（SRP）法和热波（TW）法的测试原理和测试过程，并比较分析了上述各种测试方法的优缺点，从而给实际工作中选择合适的测试方法监控离子注入剂量提供参考。
- 杨富宝金红杰陈荣程宏亮
- 关键词：MOS扩展电阻探针
