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李小峰

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇中间层
  • 3篇漂移
  • 3篇阻挡层
  • 3篇外延层
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体器件
  • 3篇保护层

机构

  • 3篇杭州士兰集成...

作者

  • 3篇蒋敏
  • 3篇王平
  • 3篇张佼佼
  • 3篇李小峰
  • 3篇杨彦涛

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
半导体器件及其制备方法
本发明揭示了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有至少一第一埋层窗口和至少一第二埋层窗口；阻挡层，位于所述第一埋层窗口上；保护层，位于所述阻挡层旁的所述衬底上；中间层，位于所述第一外延层上，所述保护层的上表面和所述阻挡...
杨彦涛李小峰王平张佼佼蒋敏
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半导体器件及其制备方法
本发明揭示了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有至少一第一埋层窗口和至少一第二埋层窗口；阻挡层，位于所述第一埋层窗口上；保护层，位于所述阻挡层旁的所述衬底上；中间层，位于所述第一外延层上，所述保护层的上表面和所述阻挡...
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半导体器件
本实用新型揭示了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有至少一第一埋层窗口和至少一第二埋层窗口；阻挡层，位于所述第一埋层窗口上；保护层，位于所述阻挡层旁的所述衬底上；中间层，位于所述第一外延层上，所述保护层的上表面和所述...
杨彦涛李小峰王平张佼佼蒋敏
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