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王平

作品数：71 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 71篇中文专利

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 23篇外延层
  • 17篇二极管
  • 16篇半导体
  • 13篇光刻
  • 13篇半导体器件
  • 10篇功率半导体
  • 10篇功率半导体器...
  • 9篇导体
  • 9篇电压
  • 9篇沟槽
  • 8篇导电类型
  • 7篇淀积
  • 7篇栅极
  • 7篇屏蔽导体
  • 7篇管芯
  • 7篇光刻胶
  • 7篇二极管芯片
  • 7篇掺杂
  • 7篇衬底
  • 6篇电容

机构

  • 71篇杭州士兰集成...
  • 1篇杭州士兰集昕...

作者

  • 71篇王平
  • 20篇张常军
  • 20篇杨彦涛
  • 14篇周琼琼
  • 11篇王英杰
  • 9篇陈祖银
  • 8篇范伟宏
  • 6篇李志栓
  • 6篇刘琛
  • 5篇曹俊
  • 5篇赵金波
  • 5篇徐敏杰
  • 5篇崔建
  • 4篇吴贵阳
  • 4篇王明辉
  • 4篇崔健
  • 3篇刘旺
  • 3篇蒋敏
  • 3篇韩健
  • 3篇吴志伟

年份

  • 5篇2023
  • 1篇2019
  • 8篇2018
  • 4篇2017
  • 8篇2016
  • 11篇2015
  • 6篇2014
  • 13篇2013
  • 9篇2012
  • 5篇2011
  • 1篇2009
共 71 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种外延标记
本实用新型提供一种外延标记，包括：衬底；埋层光刻标记，形成在衬底上；第一消耗层，以埋层光刻标记为边界形成在衬底中；埋层氧化层，形成在第一消耗层上；第二消耗层，以埋层光刻标记为边界形成在衬底中且包围第一消耗层，其中，第一消...
杨彦涛王平苏兰娟钟荣祥袁志松
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双向对称ESD保护器件及其制造方法
本发明提供了一种双向对称ESD保护器件及其制造方法，该器件包括：第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底作为集电区；第二掺杂类型的埋层，位于所述半导体衬底的正面，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；第二掺杂类型的外延层，...
王平张常军周琼琼陈祖银
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形成第一沟槽，并将第一阻止层、填充材料层设置于所述第一沟槽中，形成静电隔离结构，进而实现了静电隔离结构设置在半导体衬底中，...
杨彦涛王平夏志平李云飞周艳春
高工作电压LED保护二极管及其结构和相应的制造方法
本发明提出一种高工作电压LED保护二极管，包括：PNP三极管、NPN三极管、P/N+反向二极管、P/N外延二极管和P/N+正向二极管模块；PNP三极管的发射极与P/N外延二极管的负极连接，PNP三极管的基极、P/N+反向...
王英杰王平韩健崔建徐敏杰
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低漏电的低压二极管芯片及其制备方法
本发明揭示了一种低漏电的低压二极管芯片，所述低漏电的低压二极管芯片包括：衬底；外延层，设置于所述衬底的上表面，所述外延层具有高压二极管区、三极管区以及用于隔绝所述高压二极管区和三极管区的隔离，所述高压二极管区具有第一极和...
张常军王平周琼琼刘旺李志栓
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高工作电压LED保护二极管及其结构
本实用新型提出一种高工作电压LED保护二极管，包括：PNP三极管、NPN三极管、P/N+反向二极管、P/N外延二极管和P/N+正向二极管模块；PNP三极管的发射极与P/N外延二极管的负极连接，PNP三极管的基极、P/N+...
王英杰王平韩健崔建徐敏杰
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一种在P+衬底上制备低压二极管芯片的方法及其结构
本发明公开了一种在P+衬底上制备低压二极管芯片的方法及结构，所述的方法包括如下步骤：在P+衬底上直接通过外延，形成P-外延层、通过注入硼，形成P+阱、P+阱退火、通过光刻和刻蚀形成N-分压环区域、N-分压环退火通过光刻和...
张常军王平周琼琼
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单向TVS器件结构
本实用新型提供了一种单向TVS器件结构，通过在凹槽内淀积第一氧化硅层、氮氧化硅层以及第二氧化硅层进行填充保护，避免传统的磷硅玻璃作填充时产生的厚度不均匀、空洞、易脱落等问题，其中第一氧化硅层和第二氧化硅层与其他膜层具有良...
张常军王平陈祖银周琼琼
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LED保护二极管的结构及其制造方法
本发明的一种LED保护二极管芯片制造方法及其LED保护二极管芯片的结构和具有保护二极管芯片的保护装置，其步骤包括在P+衬底上进行N型外延、对N型外延表面进行氧化、光刻刻蚀、P+窗口进行P+硼扩散等步骤。LED保护二极管芯...
王英杰王平崔建徐敏杰
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单芯片三轴各向异性磁阻传感器及其制造方法
本发明提供了一种单芯片三轴各向异性磁阻传感器及其制造方法，该传感器包括：基底，其表面位于X方向和Y方向确定的平面内，基底的表面具有内凹的沟槽；磁通量集中器，位于沟槽的侧壁上；第一介质层，填充沟槽并覆盖磁通量集中器以及基底...
闻永祥范伟宏王平刘琛季锋邹光祎
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