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陈祖银

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇淀积
  • 4篇TVS
  • 2篇粘附
  • 2篇三极管
  • 2篇脱胶
  • 2篇外延层
  • 2篇吸潮
  • 2篇膜层
  • 2篇集电极
  • 2篇硅衬底
  • 2篇发射极
  • 2篇发射区
  • 2篇保护器件
  • 2篇ESD保护
  • 2篇ESD保护器...
  • 2篇衬底
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇掩蔽层
  • 1篇氧化硅

机构

  • 6篇杭州士兰集成...

作者

  • 6篇王平
  • 6篇张常军
  • 6篇周琼琼
  • 6篇陈祖银

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2015
共 9 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
双向对称ESD保护器件及其制造方法
本发明提供了一种双向对称ESD保护器件及其制造方法，该器件包括：第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底作为集电区；第二掺杂类型的埋层，位于所述半导体衬底的正面，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；第二掺杂类型的外延层，...
王平张常军周琼琼陈祖银
单向TVS器件结构及其制作方法
本发明提供了一种单向TVS器件结构及其制作方法，在凹槽内淀积第一氧化硅层、氮氧化硅层以及第二氧化硅层进行填充保护，避免传统的磷硅玻璃作填充时产生的厚度不均匀、空洞、易脱落等问题，其中第一氧化硅层和第二氧化硅层与其他膜层具...
张常军王平陈祖银周琼琼
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双向对称ESD保护器件
本实用新型提供了一种双向对称ESD保护器件，该器件包括：第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底作为集电区；第二掺杂类型的埋层，位于所述半导体衬底的正面，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；第二掺杂类型的外延层，覆盖在所...
王平张常军周琼琼陈祖银
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双向TVS器件结构
本实用新型提供了一种双向TVS器件结构，在凹槽内淀积第一氧化硅层、氮氧化硅层以及第二氧化硅层进行填充保护，避免传统的磷硅玻璃作填充时产生的厚度不均匀、空洞、易脱落等问题，其中第一氧化硅层和第二氧化硅层与其他膜层具有良好的...
张常军王平陈祖银周琼琼
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双向TVS器件结构及其制作方法
本发明提供了一种双向TVS器件结构及其制作方法，在凹槽内淀积第一氧化硅层、氮氧化硅层以及第二氧化硅层进行填充保护，避免传统的磷硅玻璃作填充时产生的厚度不均匀、空洞、易脱落等问题，其中第一氧化硅层和第二氧化硅层与其他膜层具...
张常军王平陈祖银周琼琼
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单向TVS器件结构
本实用新型提供了一种单向TVS器件结构，通过在凹槽内淀积第一氧化硅层、氮氧化硅层以及第二氧化硅层进行填充保护，避免传统的磷硅玻璃作填充时产生的厚度不均匀、空洞、易脱落等问题，其中第一氧化硅层和第二氧化硅层与其他膜层具有良...
张常军王平陈祖银周琼琼
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