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张佼佼

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 9篇发射区
  • 7篇外延层
  • 6篇双极
  • 6篇晶体管
  • 6篇互连
  • 6篇互连线
  • 6篇感应电
  • 6篇感应电荷
  • 4篇电路
  • 3篇电容
  • 3篇电容值
  • 3篇氧化硅
  • 3篇中间层
  • 3篇双极电路
  • 3篇特殊电路
  • 3篇漂移
  • 3篇阻挡层
  • 3篇二氧化硅
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体器件

机构

  • 14篇杭州士兰集成...

作者

  • 14篇张佼佼
  • 11篇李小锋
  • 8篇杨彦涛
  • 6篇何金祥
  • 6篇杨锐
  • 3篇蒋敏
  • 3篇王平
  • 3篇肖金平
  • 3篇王铎
  • 3篇李小峰
  • 2篇陈元金

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 5篇2014
  • 5篇2013
  • 1篇2011
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
双极PNP晶体管
本实用新型提供了一种双极PNP晶体管，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的深磷区、基区、集电区和发射区；形成于所述外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于所述第一层间介质层和电压调变介质层上...
李小锋张佼佼何金祥杨锐
文献传递
Bipolar电路的一种引线孔结构及制造方法
Bipolar电路的引线孔结构制造方法为：(1)在设有极区的硅基底上形成底层氧化硅薄膜层；(2)在底层氧化硅薄膜层上淀积形成顶层氧化硅薄膜层；(3)在顶层氧化硅薄膜层上淀积氮化硅薄膜层；(4)对氮化硅薄膜的预刻蚀区域进行...
李小锋陈元金杨彦涛张佼佼
一种双极电容结构
本实用新型提供一种双极电容结构，包括在提供的半导体衬底上淀积第一介质层，半导体衬底的外延层中形成有掺杂的深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离；将接触孔图形及电容窗口图形合并到同一掩膜版上进行刻蚀，在形成的各层次上的第...
张佼佼李小锋杨彦涛肖金平王铎
文献传递
双极NPN晶体管及其制造方法
本发明提供了一种双极NPN晶体管及其制造方法，包括：衬底；形成于衬底上的外延层；形成于外延层中的集电区、淡基区、浓基区和发射区；形成于外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于第一层间介质层和电压调变介质层上的第一...
李小锋张佼佼何金祥杨锐
文献传递
一种双极电路的制造方法
本发明提供一种双极电路的制造方法，包括在提供的半导体衬底上淀积第一介质层，半导体衬底的外延层中形成有掺杂的深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离；将接触孔图形及电容窗口图形合并到同一掩膜版上进行刻蚀，在形成的各层次上的...
张佼佼李小锋杨彦涛肖金平王铎
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半导体器件及其制备方法
本发明揭示了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有至少一第一埋层窗口和至少一第二埋层窗口；阻挡层，位于所述第一埋层窗口上；保护层，位于所述阻挡层旁的所述衬底上；中间层，位于所述第一外延层上，所述保护层的上表面和所述阻挡...
杨彦涛李小峰王平张佼佼蒋敏
文献传递
双极电路的一种引线孔结构及制造方法
双极电路的一种引线孔结构制造方法为：(1)在设有极区的硅基底上形成底层氧化硅薄膜层；(2)在底层氧化硅薄膜层上淀积形成顶层氧化硅薄膜层；(3)在顶层氧化硅薄膜层上淀积氮化硅薄膜层；(4)对氮化硅薄膜的预刻蚀区域进行光刻、...
李小锋陈元金杨彦涛张佼佼
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一种双极电路的制造方法
本发明提供一种双极电路的制造方法，包括在提供的半导体衬底上淀积第一介质层，半导体衬底的外延层中形成有掺杂的深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离；将接触孔图形及电容窗口图形合并到同一掩膜版上进行刻蚀，在形成的各层次上的...
张佼佼李小锋杨彦涛肖金平王铎
双极PNP晶体管及其制造方法
本发明提供了一种双极PNP晶体管及其制造方法，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的深磷区、基区、集电区和发射区；形成于所述外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于所述第一层间介质层和电压调变...
李小锋张佼佼何金祥杨锐
文献传递
双极NPN晶体管
本实用新型提供了一种双极NPN晶体管，包括：衬底；形成于衬底上的外延层；形成于外延层中的集电区、淡基区、浓基区和发射区；形成于外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于第一层间介质层和电压调变介质层上的第一互连线；...
李小锋张佼佼何金祥杨锐
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