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何金祥

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇双极
  • 6篇晶体管
  • 6篇互连
  • 6篇互连线
  • 6篇发射区
  • 6篇感应电
  • 6篇感应电荷
  • 4篇外延层
  • 3篇图形数据
  • 3篇温度测试
  • 3篇温度偏差
  • 3篇NPN晶体管
  • 3篇PNP晶体管
  • 2篇氧化层
  • 2篇生长介质
  • 2篇集电区
  • 1篇电极
  • 1篇电极结构
  • 1篇淀积
  • 1篇势垒

机构

  • 10篇杭州士兰集成...

作者

  • 10篇何金祥
  • 9篇李小锋
  • 6篇张佼佼
  • 6篇杨锐
  • 3篇蒋敏
  • 3篇苏兰娟
  • 3篇杨彦涛
  • 1篇梁勇
  • 1篇王平
  • 1篇吴志伟

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 6篇2014
  • 1篇2011
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种肖特基二极管的正面电极结构及其工艺制造方法
本发明公开了一种肖特基二极管的正面电极工艺方法及其电极结构，所述的方法包括常规的外延、氧化、一次光刻、硼注入、退火、二次光刻、二氧化硅腐蚀、势垒淀积、势垒合金、势垒腐蚀步骤外，本发明采用了清洗，依次真空蒸发接触层金属Ti...
吴志伟梁勇王平何金祥
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外延温度测试监控结构及形成方法
本发明提供的外延温度测试监控结构及形成方法，方法包括：在衬底上生长介质层；在介质层中形成包括具有大小相等、第一间距一定的第一开口的监控结构窗口；消耗掉暴露出的部分衬底后生长出氧化层，去除介质层和氧化层，形成具有大小相等、...
杨彦涛蒋敏何金祥李小锋王柁华苏兰娟
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双极PNP晶体管
本实用新型提供了一种双极PNP晶体管，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的深磷区、基区、集电区和发射区；形成于所述外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于所述第一层间介质层和电压调变介质层上...
李小锋张佼佼何金祥杨锐
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双极NPN晶体管及其制造方法
本发明提供了一种双极NPN晶体管及其制造方法，包括：衬底；形成于衬底上的外延层；形成于外延层中的集电区、淡基区、浓基区和发射区；形成于外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于第一层间介质层和电压调变介质层上的第一...
李小锋张佼佼何金祥杨锐
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外延温度测试监控结构
本实用新型提供的外延温度测试监控结构，包括:一半导体衬底；监控窗口，由所述半导体衬底的表面形成，所述监控窗口具有特征尺寸大小分别相等的第二开口和用于间隔所述第二开口的第二间距区，所述第二间距区与所述第二开口的表面具有台阶...
杨彦涛蒋敏何金祥李小锋王柁华苏兰娟
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双极PNP晶体管及其制造方法
本发明提供了一种双极PNP晶体管及其制造方法，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的深磷区、基区、集电区和发射区；形成于所述外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于所述第一层间介质层和电压调变...
李小锋张佼佼何金祥杨锐
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双极NPN晶体管
本实用新型提供了一种双极NPN晶体管，包括：衬底；形成于衬底上的外延层；形成于外延层中的集电区、淡基区、浓基区和发射区；形成于外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于第一层间介质层和电压调变介质层上的第一互连线；...
李小锋张佼佼何金祥杨锐
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双极PNP晶体管及其制造方法
本发明提供了一种双极PNP晶体管及其制造方法，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的深磷区、基区、集电区和发射区；形成于所述外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于所述第一层间介质层和电压调变...
李小锋张佼佼何金祥杨锐
外延温度测试监控结构及形成方法
本发明提供的外延温度测试监控结构及形成方法，方法包括：在衬底上生长介质层；在介质层中形成包括具有大小相等、第一间距一定的第一开口的监控结构窗口；消耗掉暴露出的部分衬底后生长出氧化层，去除介质层和氧化层，形成具有大小相等、...
杨彦涛蒋敏何金祥李小锋王柁华苏兰娟
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双极NPN晶体管及其制造方法
本发明提供了一种双极NPN晶体管及其制造方法，包括：衬底；形成于衬底上的外延层；形成于外延层中的集电区、淡基区、浓基区和发射区；形成于外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于第一层间介质层和电压调变介质层上的第一...
李小锋张佼佼何金祥杨锐
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