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陈文伟

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇淀积
  • 6篇套刻
  • 6篇接触孔
  • 6篇功率器件
  • 4篇光刻
  • 3篇电流
  • 3篇电流密度
  • 3篇电阻
  • 3篇氧化层
  • 3篇熔断
  • 3篇熔丝
  • 3篇线宽
  • 3篇沟槽
  • 3篇光刻设备
  • 3篇槽栅
  • 2篇导体
  • 2篇调结构
  • 2篇叠层
  • 2篇栅极
  • 2篇屏蔽导体

机构

  • 12篇杭州士兰集成...

作者

  • 12篇陈文伟
  • 12篇杨彦涛
  • 3篇韩健
  • 3篇陈元金
  • 3篇江宇雷
  • 3篇雷辉
  • 3篇刘慧勇
  • 3篇陈琛
  • 3篇李庆华
  • 3篇夏志平
  • 2篇王平
  • 1篇袁家贵
  • 1篇季锋

传媒

  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种修调电阻及其制造方法
本发明提供一种修调电阻，包括半导体衬底；介质层，形成于半导体衬底上；熔丝修调形状，由熔丝淀积形成于介质层上，熔丝修调形状有熔断区域和两端，熔断区域中有改变电流密度大小的修调结构和在熔丝修调形状的两端分别有连接垫；钝化层，...
杨彦涛陈文伟刘慧勇韩健江宇雷雷辉
文献传递
功率半导体器件及其制造方法
本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在多个沟槽底部下方的半导体衬底中形成掺杂区，在多个沟槽的侧壁和底部上形成绝缘叠层，所述绝缘叠层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层围绕所述第二绝缘层；在所述多个沟...
杨彦涛王平陈文伟
文献传递
槽栅功率器件
本实用新型揭示了一种槽栅功率器件。本实用新型提供的一种槽栅功率器件，通过将沟槽中的所述栅极材料层具有高于第二阻止层的一部分并将这一部分氧化形成第二氧化层，且所述第二氧化层覆盖部分第二阻止层，从而使整个槽栅结构被保护住，在...
杨彦涛闻永祥陈文伟陈琛彭博威
槽栅功率器件及制作方法
本发明揭示了一种槽栅功率器件及其制作方法。本发明提供的一种槽栅功率器件及制作方法，通过将沟槽中的所述栅极材料层具有高于第二阻止层的一部分并将这一部分氧化形成第二氧化层，且所述第二氧化层覆盖部分第二阻止层，从而使整个槽栅结...
杨彦涛闻永祥陈文伟陈琛彭博威
文献传递
一种修调电阻及其制造方法
本发明提供一种修调电阻，包括半导体衬底；介质层，形成于半导体衬底上；熔丝修调形状，由熔丝淀积形成于介质层上，熔丝修调形状有熔断区域和两端，熔断区域中有改变电流密度大小的修调结构和在熔丝修调形状的两端分别有连接垫；钝化层，...
杨彦涛陈文伟刘慧勇韩健江宇雷雷辉
文献传递
槽栅功率器件及制作方法
本发明揭示了一种槽栅功率器件及其制作方法。本发明提供的一种槽栅功率器件及制作方法，通过将沟槽中的所述栅极材料层具有高于第二阻止层的一部分并将这一部分氧化形成第二氧化层，且所述第二氧化层覆盖部分第二阻止层，从而使整个槽栅结...
杨彦涛闻永祥陈文伟陈琛彭博威
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层，使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离，再淀积第一阻止层定义出接触孔在半导体...
杨彦涛夏志平陈元金陈文伟李庆华
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外延工艺中图形漂移和畸变的研究
外延淀积工艺中发生的图形漂移和图形畸变会导致外延后加工层次无法和外延前留下的对位标记实现准确对位甚至无法对位的情况，本论文阐述了图形漂移和图形畸变的原理，采用横向外延生长技术，结合实际试验的结果，给出了一种图形漂移和图形...
杨彦涛陈文伟季锋袁家贵
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层，使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离，再淀积第一阻止层定义出接触孔在半导体...
杨彦涛夏志平陈元金陈文伟李庆华
功率半导体器件
本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的多个沟槽；位于多个沟槽底部下方的半导体衬底中的掺杂区；位于多个沟槽下部侧壁和底部的绝缘叠层；至少一部分位于多个沟槽中的屏蔽导体，屏蔽导体从多个沟槽上方延...
杨彦涛王平陈文伟
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