您的位置： 专家智库 > >

夏志平

作品数：26 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇中文专利

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 16篇半导体
  • 13篇半导体器件
  • 11篇功率器件
  • 10篇沟槽
  • 6篇导体
  • 6篇淀积
  • 6篇叠层
  • 6篇栅极
  • 6篇屏蔽导体
  • 6篇隔离层
  • 6篇功率半导体
  • 6篇功率半导体器...
  • 6篇光刻
  • 4篇深槽
  • 3篇套刻
  • 3篇平坦化
  • 3篇自对准
  • 3篇线宽
  • 3篇接触孔
  • 3篇静电

机构

  • 26篇杭州士兰集成...
  • 8篇杭州士兰集昕...

作者

  • 26篇夏志平
  • 14篇杨彦涛
  • 6篇李云飞
  • 5篇王维建
  • 3篇王平
  • 3篇陈文伟
  • 3篇陈元金
  • 3篇赵金波
  • 3篇陈洪雷
  • 3篇邵凯
  • 3篇李庆华
  • 3篇周艳春

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 4篇2022
  • 6篇2021
  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
共 26 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
半导体器件及其隔离结构
本申请公开了一种半导体器件及其隔离结构，该隔离结构自半导体层的表面延伸至半导体层中，在与半导体层的表面平行的截面上，隔离结构的形状为多边形环，其中，多边形环中包括呈弧状凸起的外环顶角和呈弧状凸起的内环顶角，外环顶角处的弧...
夏志平田浩洋陈洪雷孙样慧温建功
文献传递
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在第一沟槽和第二沟槽的上部形成具有一定厚度第一介质层，使得沟槽栅极区域距离半导体衬底表面有一定距离，再淀积第一阻止层定义出接触孔在半导体...
杨彦涛夏志平陈元金陈文伟李庆华
文献传递
沟槽功率器件及制作方法
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过将第一沟槽和第二沟槽顶部的栅极材料层氧化形成第二氧化层，并在第一沟槽和第二沟槽中栅极材料层顶部侧面留有阻止层，在第二沟槽中栅极材料层顶部...
杨彦涛邵凯夏志平赵金波李云飞
文献传递
平面功率器件及其制造方法
本发明公开了一种平面功率器件及其制造方法。根据本发明的平面功率器件包括衬底；漂移区，位于所述衬底上；刻蚀阻挡区，位于所述漂移区上；以及接触场板，位于所述刻蚀阻挡区上，所述接触场板贯穿部分所述刻蚀阻挡区，其中，所述刻蚀阻挡...
夏志平叶青青陈洪雷赵志涌朱晓彤
文献传递
功率半导体器件及其制造方法
本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在多个沟槽的侧壁和底部上形成绝缘叠层，所述绝缘叠层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层围绕所述第二绝缘层；形成填充所述沟槽底部的隔离层；在所述隔离层上方形成填充所...
杨彦涛夏志平王维建
文献传递
沟槽功率器件
本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在半导体衬底中形成第一沟槽，并将第一阻止层、填充材料层设置于所述第一沟槽中，形成静电隔离结构，进而实现了静电隔离结构设置在半导体衬底中，避免了静电隔...
杨彦涛王平夏志平李云飞周艳春
功率半导体器件及其制造方法
本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在多个沟槽的侧壁和底部上形成绝缘叠层，所述绝缘叠层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层围绕所述第二绝缘层；在所述多个沟槽中填充屏蔽导体；在所述多个沟槽的上部形成位...
杨彦涛夏志平王维建
文献传递
平面功率器件
本实用新型公开了一种平面功率器件。根据本实用新型的平面功率器件包括衬底；漂移区，位于所述衬底上；刻蚀阻挡区，位于所述漂移区上；以及接触场板，位于所述刻蚀阻挡区上，所述接触场板贯穿部分所述刻蚀阻挡区，其中，所述刻蚀阻挡区包...
夏志平叶青青陈洪雷赵志涌朱晓彤
文献传递
生物传感器芯片的针尖结构
本实用新型提供一种生物传感器芯片的针尖结构，包括多个检测部件，每个所述检测部件包括探针信号传导层以及位于所述探针信号传导层上方的探针，每个所述检测部件还包括位于所述探针信号传导层与所述探针之间的探针应力缓冲导电层。通过在...
张意潇陈洪雷夏志平叶青青
文献传递
一种半导体器件的隔离结构及其制造方法
本申请提供一种半导体器件的隔离结构及其制造方法，该隔离结构包括：衬底，位于衬底中的深槽，位于深槽表面的第一氧化层及位于第一氧化层上的多晶硅，第一氧化层和多晶硅高出衬底，且多晶硅高出第一氧化层，位于高出第一氧化层的多晶硅的...
夏志平裴晓平陈洪雷孙样慧田浩洋
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0