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陈琛

作品数：30 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇中文专利

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 19篇半导体
  • 16篇半导体器件
  • 13篇功率半导体
  • 13篇功率半导体器...
  • 11篇导体
  • 10篇栅极
  • 9篇沟槽
  • 8篇电极
  • 8篇屏蔽导体
  • 6篇电荷
  • 6篇电荷平衡
  • 6篇屏蔽电极
  • 6篇接触孔
  • 6篇功率器件
  • 6篇光刻
  • 6篇槽栅
  • 5篇引出电极
  • 5篇源区
  • 3篇电子注入
  • 3篇多晶

机构

  • 30篇杭州士兰集成...

作者

  • 30篇陈琛
  • 24篇杨彦涛
  • 6篇韩健
  • 6篇王珏
  • 6篇黄示
  • 3篇王平
  • 3篇陈文伟
  • 3篇赵金波
  • 3篇向璐
  • 3篇陶玉美
  • 2篇邵凯

年份

  • 1篇2024
  • 6篇2023
  • 1篇2019
  • 9篇2018
  • 5篇2017
  • 8篇2016
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
功率半导体器件
公开了功率半导体器件。所述功率半导体器件包括位于沟槽中的分离栅结构。所述分离栅结构包括彼此隔开的第一栅极导体、第二栅极导体和第三栅极导体，所述第一栅极导体的第一部分位于所述沟槽的上部并且夹在所述第二栅极导体和所述第三栅极...
顾悦吉杨彦涛陈琛王珏
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沟槽功率器件
本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在半导体衬底中形成第一沟槽，并将第一阻止层、多晶硅材料层设置于所述第一沟槽中，进而实现了静电隔离结构设置在半导体衬底中，避免了静电隔离结构高于第二沟...
杨彦涛赵金波陈琛梅良波彭博威
文献传递
功率半导体器件
本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的多个沟槽；位于多个沟槽下部侧壁和底部的绝缘叠层；至少一部分位于多个沟槽中的屏蔽导体；在多个沟槽上部中位于屏蔽导体两侧的栅极导体；与源区和屏蔽导体电连接的...
杨彦涛向璐陈琛吕焕秀
文献传递
功率半导体器件
本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的多个沟槽，所述多个沟槽包括第一尺寸的第一沟槽和第二尺寸的第二沟槽，所述第一尺寸大于所述第二尺寸；位于第一沟槽中的分裂栅结构；位于第二沟槽中的栅极布线，所...
杨彦涛王平张邵华李敏陈琛
文献传递
功率半导体器件及其制造方法
本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在半导体衬底中形成多个沟槽，所述多个沟槽包括第一尺寸的第一沟槽和第二尺寸的第二沟槽，所述第一尺寸大于所述第二尺寸；在所述第一沟槽中形成分裂栅结构；在所述第二沟槽中形成栅...
杨彦涛王平张邵华李敏陈琛
半导体器件
公开了半导体器件。所述半导体器件的制造方法包括：在半导体衬底的第一表面形成阱区，半导体衬底和阱区分别为彼此相反的第一掺杂类型和第二掺杂类型；在阱区上形成栅介质层；在栅介质层上形成栅导体层；在阱区中形成第二掺杂类型的基区；...
顾悦吉王珏杨彦涛陈琛
文献传递
半导体器件及其制造方法
公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件的制造方法包括：在半导体衬底的第一表面形成阱区，半导体衬底和阱区分别为彼此相反的第一掺杂类型和第二掺杂类型；在阱区上形成栅介质层；在栅介质层上形成栅导体层；在阱区中形成第二掺杂...
顾悦吉王珏杨彦涛陈琛
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槽栅功率器件及制作方法
本发明揭示了一种槽栅功率器件及其制作方法。本发明提供的一种槽栅功率器件及制作方法，通过将沟槽中的所述栅极材料层具有高于第二阻止层的一部分并将这一部分氧化形成第二氧化层，且所述第二氧化层覆盖部分第二阻止层，从而使整个槽栅结...
杨彦涛闻永祥陈文伟陈琛彭博威
功率半导体器件
本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的多个沟槽，半导体衬底为第一掺杂类型，多个沟槽包括分别位于半导体衬底的第一区域至第三区域的第一至第三沟槽；位于第一沟槽和第二沟槽中的分裂栅结构；至少一部分...
杨彦涛顾悦吉陈琛陶玉美
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IGBT器件及其制作方法
本发明提供了一种IGBT器件及其制作方法，所述IGBT器件采用复合型栅极结构，所述复合型栅极结构包括形成于半导体衬底正面上的平面栅以及形成于半导体衬底正面内的沟槽栅，所述沟槽栅可以增加IGBT器件栅极的有效长度，因此可以...
韩健顾悦吉黄示陈琛
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