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赵学峰

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 5篇半导体
  • 4篇刻蚀
  • 4篇光刻
  • 4篇半导体器件
  • 4篇掺杂
  • 3篇导通
  • 3篇导通电阻
  • 3篇电阻
  • 3篇接触区
  • 2篇研磨工艺
  • 2篇源区
  • 2篇遮蔽
  • 2篇隧道式
  • 2篇台阶面
  • 2篇碳化硅
  • 2篇外延层
  • 2篇磨工
  • 2篇耐压
  • 2篇晶向
  • 2篇胶层

机构

  • 9篇杭州士兰集成...

作者

  • 9篇赵学峰
  • 5篇杨彦涛
  • 4篇肖金平
  • 3篇李志栓
  • 3篇崔小锋
  • 3篇李立文
  • 2篇江宇雷
  • 2篇袁家贵
  • 2篇赵金波
  • 2篇汤光洪
  • 1篇刘琛
  • 1篇宋金伟

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2014
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
半导体结构
本实用新型揭示了一种半导体结构。本实用新型提供的半导体结构，包括：前端结构，所述前端结构具有前端标记；位于所述前端结构上的介质层；位于所述介质层中的通孔，所述通孔暴露出所述前端标记。由此对厚介质层露出前端标记，实现正常光...
赵学峰李立文宋金伟李志栓刘琛崔小锋
文献传递
一种碳化硅VDMOS器件及其制备方法
公开了一种碳化硅VDMOS器件及其制备方法，包括：衬底，具有第一掺杂类型；外延层，具有第一掺杂类型，位于所述衬底上；体区，具有第二掺杂类型，位于所述外延层中，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型相反；源区，具有第一掺杂类型...
郭欣闻永祥吴晶赵学峰肖金平郭广兴杨彦涛
一种碳化硅VDMOS器件及其制备方法
公开了一种碳化硅VDMOS器件及其制备方法，包括：衬底，具有第一掺杂类型；外延层，具有第一掺杂类型，位于所述衬底上；体区，具有第二掺杂类型，位于所述外延层中，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型相反；源区，具有第一掺杂类型...
郭欣闻永祥吴晶赵学峰肖金平郭广兴杨彦涛
阶梯结构的制造方法
本发明揭示了一种阶梯结构的制造方法。本发明提供的一种阶梯结构的制造方法，包括提供一前端结构；刻蚀所述前端结构形成两个台阶；在所述两个台阶上形成遮蔽层；在所述遮蔽层上形成光刻胶层，并在光刻胶层中形成位于一个台阶上方的开口；...
赵学峰李立文李志栓汤光洪
文献传递
半导体器件及其制造方法
公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：碳化硅衬底，具有第一掺杂类型；位于碳化硅衬底上的外延层，具有第一掺杂类型；位于外延层中的掺杂柱区，具有第二掺杂类型，第一掺杂类型和第二掺杂类型相反；其中，掺杂柱区通过沿...
郭欣吴晶赵学峰肖金平郭广兴丁伯继江永兵
半导体器件及其制造方法
公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有第一掺杂类型；位于碳化硅衬底上的外延层，所述外延层具有第一掺杂类型；位于所述外延层中的掺杂柱区，所述掺杂柱区具有第二掺杂类型，所述第一掺杂...
郭欣吴晶赵学峰肖金平杨彦涛郭广兴江永兵
阶梯结构的制造方法
本发明揭示了一种阶梯结构的制造方法。本发明提供的一种阶梯结构的制造方法，包括提供一前端结构；刻蚀所述前端结构形成两个台阶；在所述两个台阶上形成遮蔽层；在所述遮蔽层上形成光刻胶层，并在光刻胶层中形成位于一个台阶上方的开口；...
赵学峰李立文李志栓汤光洪
一种半导体器件及其制作方法
本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括：提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成一研磨停止层；刻蚀所述研磨停止层和部分厚度的半导体衬底，同时形成标记窗口和掺杂区沟槽；进行外延生长工艺形成外延层，所述外延层覆盖所述研...
杨彦涛江宇雷赵金波袁家贵崔小锋赵学峰
文献传递
一种半导体器件及其制作方法
本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括：提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成一研磨停止层；刻蚀所述研磨停止层和部分厚度的半导体衬底，同时形成标记窗口和掺杂区沟槽；进行外延生长工艺形成外延层，所述外延层覆盖所述研...
杨彦涛江宇雷赵金波袁家贵崔小锋赵学峰
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