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赵学峰
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9
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杭州士兰集成电路有限公司
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相关领域:
电子电信
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合作作者
杨彦涛
杭州士兰集成电路有限公司
肖金平
杭州士兰集成电路有限公司
李立文
杭州士兰集成电路有限公司
崔小锋
杭州士兰集成电路有限公司
李志栓
杭州士兰集成电路有限公司
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作者
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赵学峰
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杨彦涛
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半导体结构
本实用新型揭示了一种半导体结构。本实用新型提供的半导体结构,包括:前端结构,所述前端结构具有前端标记;位于所述前端结构上的介质层;位于所述介质层中的通孔,所述通孔暴露出所述前端标记。由此对厚介质层露出前端标记,实现正常光...
赵学峰
李立文
宋金伟
李志栓
刘琛
崔小锋
文献传递
一种碳化硅VDMOS器件及其制备方法
公开了一种碳化硅VDMOS器件及其制备方法,包括:衬底,具有第一掺杂类型;外延层,具有第一掺杂类型,位于所述衬底上;体区,具有第二掺杂类型,位于所述外延层中,所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型相反;源区,具有第一掺杂类型...
郭欣
闻永祥
吴晶
赵学峰
肖金平
郭广兴
杨彦涛
一种碳化硅VDMOS器件及其制备方法
公开了一种碳化硅VDMOS器件及其制备方法,包括:衬底,具有第一掺杂类型;外延层,具有第一掺杂类型,位于所述衬底上;体区,具有第二掺杂类型,位于所述外延层中,所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型相反;源区,具有第一掺杂类型...
郭欣
闻永祥
吴晶
赵学峰
肖金平
郭广兴
杨彦涛
阶梯结构的制造方法
本发明揭示了一种阶梯结构的制造方法。本发明提供的一种阶梯结构的制造方法,包括提供一前端结构;刻蚀所述前端结构形成两个台阶;在所述两个台阶上形成遮蔽层;在所述遮蔽层上形成光刻胶层,并在光刻胶层中形成位于一个台阶上方的开口;...
赵学峰
李立文
李志栓
汤光洪
文献传递
半导体器件及其制造方法
公开了一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件包括:碳化硅衬底,具有第一掺杂类型;位于碳化硅衬底上的外延层,具有第一掺杂类型;位于外延层中的掺杂柱区,具有第二掺杂类型,第一掺杂类型和第二掺杂类型相反;其中,掺杂柱区通过沿...
郭欣
吴晶
赵学峰
肖金平
郭广兴
丁伯继
江永兵
半导体器件及其制造方法
公开了一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件包括:碳化硅衬底,所述碳化硅衬底具有第一掺杂类型;位于碳化硅衬底上的外延层,所述外延层具有第一掺杂类型;位于所述外延层中的掺杂柱区,所述掺杂柱区具有第二掺杂类型,所述第一掺杂...
郭欣
吴晶
赵学峰
肖金平
杨彦涛
郭广兴
江永兵
阶梯结构的制造方法
本发明揭示了一种阶梯结构的制造方法。本发明提供的一种阶梯结构的制造方法,包括提供一前端结构;刻蚀所述前端结构形成两个台阶;在所述两个台阶上形成遮蔽层;在所述遮蔽层上形成光刻胶层,并在光刻胶层中形成位于一个台阶上方的开口;...
赵学峰
李立文
李志栓
汤光洪
一种半导体器件及其制作方法
本发明提供一种半导体器件及其制作方法,包括:提供一半导体衬底,并在所述半导体衬底上形成一研磨停止层;刻蚀所述研磨停止层和部分厚度的半导体衬底,同时形成标记窗口和掺杂区沟槽;进行外延生长工艺形成外延层,所述外延层覆盖所述研...
杨彦涛
江宇雷
赵金波
袁家贵
崔小锋
赵学峰
文献传递
一种半导体器件及其制作方法
本发明提供一种半导体器件及其制作方法,包括:提供一半导体衬底,并在所述半导体衬底上形成一研磨停止层;刻蚀所述研磨停止层和部分厚度的半导体衬底,同时形成标记窗口和掺杂区沟槽;进行外延生长工艺形成外延层,所述外延层覆盖所述研...
杨彦涛
江宇雷
赵金波
袁家贵
崔小锋
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