您的位置： 专家智库 > >

练小正

作品数：50 被引量：15H指数：3
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金天津市科技计划更多>>
相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 31篇专利
  • 11篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 1篇标准

领域

  • 11篇理学
  • 9篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 35篇单晶
  • 18篇晶体
  • 11篇氧化镓
  • 11篇坩埚
  • 10篇单晶生长
  • 8篇籽晶
  • 8篇晶片
  • 7篇单晶炉
  • 7篇锑化镓
  • 7篇晶体生长
  • 6篇大尺寸
  • 5篇单晶片
  • 5篇导模法
  • 5篇放肩
  • 5篇铱
  • 4篇单晶材料
  • 4篇熔体
  • 4篇提纯
  • 4篇GASB单晶
  • 3篇电学性能

机构

  • 39篇中国电子科技...
  • 11篇中国电子科技...
  • 1篇深圳大学

作者

  • 50篇练小正
  • 9篇程红娟
  • 6篇张颖武
  • 6篇徐世海
  • 5篇高飞
  • 5篇李晖
  • 4篇徐永宽
  • 4篇王磊
  • 4篇齐海涛
  • 2篇王健
  • 2篇董彦辉
  • 2篇王健
  • 1篇杨丹丹
  • 1篇齐海涛
  • 1篇李强
  • 1篇张政
  • 1篇陈阳
  • 1篇张志鹏
  • 1篇李璐杰
  • 1篇金雷

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 3篇微纳电子技术
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇河南科技
  • 1篇压电与声光
  • 1篇天津科技大学...

年份

  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 13篇2018
  • 11篇2017
  • 8篇2016
  • 11篇2015
  • 2篇2014
共 50 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
锑化镓晶体生长除杂装置
本实用新型公开了一种锑化镓晶体生长除杂装置。该除杂装置包括除杂连接件和除杂坩埚两部分，并通过除杂连接件与由籽晶拉线、籽晶杆和籽晶构成的Cz单晶炉籽晶装置连接；除杂连接件和除杂坩埚均设为圆柱形，除杂连接件的上端设有与籽晶杆...
郭文斌徐永宽李璐杰张颖武霍晓青司华青张志鹏练小正程红娟
一种采用提拉法生长氧化镓晶体的固液界面控制方法
本发明公开了一种采用提拉法生长氧化镓晶体的固液界面控制方法，是在单晶炉体中设有作为第二热源的辅助加热器，且通过固定架连接于提拉装置上，在引晶、放肩初始阶段，将辅助加热器位置升至单晶炉体顶部，在放肩、等径生长阶段，将辅助加...
李璐杰练小正于凯霍晓青张颖武程红娟徐永宽赖占平张政
文献传递
一种用于PVT法制备半导体单晶材料的原位掺杂方法
本发明涉及一种用于PVT法制备半导体单晶材料的原位掺杂方法，步骤如下：1）采用两温区PVT晶体生长炉，将原料、掺杂物进行工艺处理后混合一起放入原料区、衬底放入衬底位置；2）调置PVT晶体生长炉一温区、二温区温度，其温度范...
张颖武程红娟练小正张志鹏李璐杰司华青徐永宽
文献传递
一种大尺寸高红外透过率CdS单晶生长方法
本发明公开了一种大尺寸高红外透过率CdS单晶生长方法。首先提纯CdS原料：将称取的原料放入安瓿瓶中，在安瓿瓶口装上蓝宝石生长衬底和导热棒，将生长区置于石英支撑管上，再一起装入石英保温外管中，然后整体放入提纯炉中进行提纯；...
霍晓青司华青郭文斌张颖武程红娟徐永宽张志鹏于凯练小正
文献传递
大尺寸CdSe单晶的PVT法生长
硒化镉(CdSe)是一种性能优异的长波红外用非线性光学晶体材料。如何获得大尺寸CdSe晶体材料是该材料制备的难点之一。本文采用有籽晶的物理气相传输(PVT)法进行CdSe单晶生长,结合PVT法晶体生长动力学理论对CdSe...
张颖武程红娟练小正司华青李璐杰
关键词：CDSE大尺寸
一种锑化镓单晶生长的平面结晶界面控制结构及使用方法
本发明涉及一种锑化镓单晶生长的平面结晶界面控制结构及使用方法。该结构包括石英安瓿瓶、石英坩埚、石墨锭、石墨塞和金属Ga锭，石英坩埚为籽晶井端开口的石英坩埚，石墨塞为T型圆柱石墨塞，石墨塞置于籽晶井端口，金属Ga锭置于石英...
李璐杰陈馨张颖武练小正司华青
文献传递
有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置
本实用新型公开了一种有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置。该装置包括构成单晶炉内多个热场部件，多个热场部件水平且同中心安装；热场中心内嵌有发热体和铱坩埚，由圆形感应线圈进行加热，发热体与铱坩埚分离，两者之间留有间隙；热场部件...
练小正徐永宽程红娟于凯张政张颖武霍晓青李璐杰张志鹏
文献传递
一种有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置
本发明公开了一种有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置。该装置包括构成单晶炉内多个热场部件，多个热场部件水平且同中心安装；热场中心内嵌有发热体和铱坩埚，由圆形感应线圈进行加热，发热体与铱坩埚分离，两者之间留有间隙；热场部件包括...
徐永宽练小正于凯霍晓青张颖武张政程红娟李璐杰张志鹏
文献传递
一种导模法大尺寸氧化镓单晶生长装置的热场结构
本发明涉及一种导模法大尺寸氧化镓单晶生长装置的热场结构，由上保温结构、铱反射屏、铱坩埚盖、铱发热体、铱坩埚、铱模具、感应加热线圈、下保温结构、热电偶、氧化锆垫片组成，铱坩埚内中心处嵌有铱模具，铱模具横截面限定了生长的晶体...
练小正张胜男程红娟徐永宽齐海涛张颖武
文献传递
一种用于氧化镓晶体的防解理加工方法
本发明设计了一种用于氧化镓晶体的防解理加工方法，将一片2英寸氧化镓切割单晶片粘贴在陶瓷盘中心上，使用2000#树脂金刚石砂轮，打开冷却液，冷却液体积配比是纯水：双氧水，启动金刚石砂轮转速，再启动工件转速，当工件到达结束位...
李晖高飞徐世海练小正徐永宽王磊张弛王添依张海磊
文献传递
全选 清除 导出
共5页<12345>
聚类工具0