练小正
- 作品数：45 被引量：15H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市科技计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 锑化镓晶体生长除杂装置
- 本实用新型公开了一种锑化镓晶体生长除杂装置。该除杂装置包括除杂连接件和除杂坩埚两部分，并通过除杂连接件与由籽晶拉线、籽晶杆和籽晶构成的Cz单晶炉籽晶装置连接；除杂连接件和除杂坩埚均设为圆柱形，除杂连接件的上端设有与籽晶杆...
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- 一种采用提拉法生长氧化镓晶体的固液界面控制方法
- 本发明公开了一种采用提拉法生长氧化镓晶体的固液界面控制方法，是在单晶炉体中设有作为第二热源的辅助加热器，且通过固定架连接于提拉装置上，在引晶、放肩初始阶段，将辅助加热器位置升至单晶炉体顶部，在放肩、等径生长阶段，将辅助加...
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- 一种用于PVT法制备半导体单晶材料的原位掺杂方法
- 本发明涉及一种用于PVT法制备半导体单晶材料的原位掺杂方法，步骤如下：1）采用两温区PVT晶体生长炉，将原料、掺杂物进行工艺处理后混合一起放入原料区、衬底放入衬底位置；2）调置PVT晶体生长炉一温区、二温区温度，其温度范...
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- 一种大尺寸高红外透过率CdS单晶生长方法
- 本发明公开了一种大尺寸高红外透过率CdS单晶生长方法。首先提纯CdS原料：将称取的原料放入安瓿瓶中，在安瓿瓶口装上蓝宝石生长衬底和导热棒，将生长区置于石英支撑管上，再一起装入石英保温外管中，然后整体放入提纯炉中进行提纯；...
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- 一种锑化镓单晶生长的平面结晶界面控制结构及使用方法
- 本发明涉及一种锑化镓单晶生长的平面结晶界面控制结构及使用方法。该结构包括石英安瓿瓶、石英坩埚、石墨锭、石墨塞和金属Ga锭，石英坩埚为籽晶井端开口的石英坩埚，石墨塞为T型圆柱石墨塞，石墨塞置于籽晶井端口，金属Ga锭置于石英...
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- 有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置
- 本实用新型公开了一种有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置。该装置包括构成单晶炉内多个热场部件，多个热场部件水平且同中心安装；热场中心内嵌有发热体和铱坩埚，由圆形感应线圈进行加热，发热体与铱坩埚分离，两者之间留有间隙；热场部件...
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- 一种有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置
- 本发明公开了一种有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置。该装置包括构成单晶炉内多个热场部件，多个热场部件水平且同中心安装；热场中心内嵌有发热体和铱坩埚，由圆形感应线圈进行加热，发热体与铱坩埚分离，两者之间留有间隙；热场部件包括...
- 徐永宽练小正于凯霍晓青张颖武张政程红娟李璐杰张志鹏
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- 一种导模法大尺寸氧化镓单晶生长装置的热场结构
- 本发明涉及一种导模法大尺寸氧化镓单晶生长装置的热场结构，由上保温结构、铱反射屏、铱坩埚盖、铱发热体、铱坩埚、铱模具、感应加热线圈、下保温结构、热电偶、氧化锆垫片组成，铱坩埚内中心处嵌有铱模具，铱模具横截面限定了生长的晶体...
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- 一种用于氧化镓晶体的防解理加工方法
- 本发明设计了一种用于氧化镓晶体的防解理加工方法，将一片2英寸氧化镓切割单晶片粘贴在陶瓷盘中心上，使用2000#树脂金刚石砂轮，打开冷却液，冷却液体积配比是纯水：双氧水，启动金刚石砂轮转速，再启动工件转速，当工件到达结束位...
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- 导模法生长大尺寸高质量β-Ga2O3单晶被引量：5
- 2018年
- 以高纯Ga2O3为原料,使用自主设计的单晶生长炉,采用导模（EFG）法生长了2英寸（1英寸=2.54 cm）未掺杂的高质量β-Ga2O3单晶。研究了保护气氛对抑制Ga2O3原料高温分解速率的影响,对制备的β-Ga2O3单晶的晶体质量、位错和光学性能进行了测试和表征。结果表明,CO2保护气氛能够极大地抑制Ga2O3材料的高温分解,当CO2生长气压为1.5×105Pa时,Ga2O3的平均分解速率低于1 g/h。（100）面β-Ga2O3单晶的X射线衍射（XRD）摇摆曲线测试结果表明,其半高宽低至29 arcsec,表明晶体具有较高的质量;对晶体（100）面进行了位错腐蚀,结果显示其位错密度较低,约为4.9×10^4cm^-2;傅里叶变换红外光谱仪测试结果显示,β-Ga2O3单晶在紫外、可见光透过率达到80%以上。
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- 关键词：宽带隙半导体晶体生长透过率
