张颖武
- 作品数：15 被引量：15H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 一种新型的硅片研磨后清洗液被引量：1
- 2020年
- 基于硅片研磨后清洗工艺的方法和原理,通过分析硅片在加工过程中污染物的种类和硅片表面的吸附性质,配制出由氢氧化钾、烷基苯磺酸盐、聚氧乙烯烷基醚为原材料构成的清洗剂。分析了清洗剂原材料溶于水后的吸附状态,确定三种原材料的质量比为10∶2∶2。为减小清洗后硅片的表面粗糙度和表面划痕损伤,确定了最佳的硅片清洗温度为65℃,清洗剂原材料溶于水后配制的清洗液的pH值为10.5,清洗时间为180 s。新型清洗液与传统硅片清洗液的对比实验表明,采用新的清洗液可明显降低硅片表面粗糙度,改善硅片表面划痕处的腐蚀损伤。
- 李明智韩焕鹏常耀辉张颖武莫宇刘峰
- 关键词：表面活性剂烷基苯磺酸盐粗糙度润湿角
- LEC法GaSb晶体生长数值模拟研究被引量：1
- 2016年
- 采用有限元模拟软件对液封直拉(LEC)法生长锑化镓晶体过程进行计算机建模。模拟分析了晶体旋转、坩埚旋转及隔热屏等因素对GaSb固-液界面形貌的影响。结果表明,晶体旋转与坩埚旋转分别具有促使凸向熔体的固-液界面曲率减小及增大的作用,且同等转速条件下,坩埚旋转对固-液界面形貌影响更大。此外,减小放肩角度、去除炉体上部的隔热屏等措施,均具有使凸向熔体的固-液界面曲率降低的作用。而使用液封剂使凸向熔体的固-液界面曲率增大。坩埚在加热器中存在某一位置,使熔体内部轴向梯度最大。炉膛内氩气流速最剧烈部位为保温罩与拉晶杆间的区域,Ar气对流导致上炉膛温度提高,并降低熔体表面温度约8℃。
- 李璐杰程红娟张颖武于凯
- 关键词：固-液界面隔热屏
- 硒化镉晶体生长及性能表征被引量：3
- 2016年
- 硒化镉(CdSe)是一种性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。采用气相法生长出CdSe晶体材料,结合晶体生长动力学研究了CdSe单晶生长速率,并对其晶体结构和光学性能进行了表征。Raman测试表明生长的CdSe晶体为纤锌矿结构,属于极性材料。XRD测试表明单晶生长面为(001)面,衍射峰的半高宽较小。光学性能测试表明,CdSe材料在近红外波段内具有较好的光学透过特性。
- 张颖武李晖程红娟
- 镓硼共掺对6英寸VGF法锗单晶电阻率均匀性的影响
- 2024年
- 由于杂质分凝效应,镓掺杂垂直梯度凝固(VGF)法锗单晶的电阻率分布不均匀,理论上利用镓和硼分凝系数的差异,镓硼共掺工艺可以提升锗单晶电阻率均匀性。采用镓硼共掺工艺制备了6英寸(1英寸≈2.54 cm)VGF法锗单晶,对比分析了掺杂工艺对锗单晶电阻率均匀性的影响。当镓和硼杂质浓度分别为5.13×10^(18)cm^(-3)和0.67×10^(18)cm^(-3)时,在等径0~40 mm范围内轴向电阻率不均匀性为4.92%,等径0 mm和40 mm处径向电阻率不均匀性分别为1.63%和0.45%,与镓杂质浓度为5.13×10^(18)cm^(-3)的镓掺杂工艺相比,锗单晶头部的电阻率均匀性明显提升。当硼杂质浓度提高到1.89×10^(18)cm^(-3)时,镓硼共掺锗单晶头部电阻率均匀性变差。结果表明,适量硼掺杂的镓硼共掺工艺可以提升锗单晶头部电阻率均匀性。
- 张颖武边义午陈晨周春锋王云彪兰天平
- 关键词：锗单晶
- K元素对CdS晶体光学及电学性能的影响
- 2015年
- 采用物理气相输运（PVT）法生长了直径为50 mm的K掺杂Cd S晶体,对掺杂和未掺杂的Cd S晶片进行显微观察、二次离子质谱（SIMS）成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺杂对Cd S晶体光学及电学性能的影响。生长时用KCl进行掺杂。显微观察显示,掺杂KCl后Cd S晶体的微观形貌没有明显变化;SIMS成分测试表明,晶体中引入的杂质主要是K元素,而Cl元素未掺入晶体中。红外光谱透过率发现掺杂K元素的Cd S晶体相比于未掺杂晶体,不仅在波长为2.5~10μm内红外透过率显著下降,而且在波长为10μm以上时红外透过率甚至低于15%。另外,K元素掺杂Cd S晶体电学性能也发生变化,晶体迁移率也由未掺杂的318 cm2/（V·s）下降为146 cm2/（V·s）。
- 练小正齐海涛张颖武司华青程红娟徐永宽
- 关键词：硫化镉单晶
- LEC-GaSb单晶生长技术研究被引量：1
- 2016年
- 采用液封直拉(LEC)法进行了生长GaSb单晶的实验研究,对比了等摩尔比的(LiCl+KCl)和氧化硼(B2O3)两种液封剂作用下的生长控制效果。通过模拟了解了保温罩是如何改善系统温场的梯度,进而分析了温场对成晶的影响。对晶体单晶区域的测试结果给出了晶体内部的位错分布特点,X线衍射(XRD)的测试结果显示该区域的晶体质量较好。
- 于凯李璐杰程红娟张颖武
- 关键词：GASB晶体温场
- 镉气氛退火对CdS单晶材料性能的影响
- 2016年
- 硫化镉(CdS)是一种光电性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接跃迁、宽带隙化合物半导体材料。将本征高阻的CdS单晶材料在镉气氛中高温退火,并对退火后的CdS材料进行电学、光学特性表征。测试结果表明,镉气氛退火可使本征高阻的CdS单晶转变为低阻CdS材料,从而实现对CdS材料电学特性调控。
- 李强张颖武司华青练小正程红娟
- 关键词：单晶电学
- 石英坩埚对大直径直拉硅单晶生长的影响被引量：3
- 2021年
- 大直径的单晶硅生长需要更多的时间和资源,提高单晶成晶率非常重要,石英坩埚是影响单晶产量和质量的主要因素。研究了两种不同内涂层的石英坩埚,一种是内层为高纯合成石英砂的坩埚(SQC),另一种是内层涂抹了碱土金属钡的离子溶液的天然石英砂的坩埚(NQC)。使用两种石英坩埚长时间生长大直径(350 mm)单晶后,通过金相显微镜对两种石英坩埚表面形态进行了观察,并使用粗糙度测试仪对其粗糙度进行了测试,同时使用ICP-MS测试了生长出的晶体的金属浓度。结果表明,使用NQC有较多杂质颗粒进入到硅熔体中,对单晶的无位错生长和单晶质量造成了影响,而使用SQC可减少杂质颗粒进入到硅熔体。
- 莫宇张颖武韩焕鹏赵堃李明佳
- 关键词：直拉硅单晶粗糙度
- PVT法生长大尺寸CdS单晶
- 2015年
- 硫化镉(Cd S)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。以硫化镉(Cd S)晶片作为籽晶,采用有籽晶的物理气相传输(PVT)法生长出大尺寸Cd S单晶,并对其电学、光学等性能进行了表征。结果表明,PVT法是一种理想的大尺寸Cd S单晶生长方法。
- 张颖武
- 关键词：CD大尺寸单晶
- 硒化镉晶片的化学机械抛光被引量：2
- 2017年
- 硒化镉(CdSe)的表面加工质量对CdSe基器件的性能至关重要。化学机械抛光(CMP)是一种获得高质量晶体加工表面的常用方法。为改善CdSe晶片的表面加工质量,以SiO_2水溶胶配制抛光液,研究了抛光液磨料质量分数、抛光液pH值、氧化剂NaClO的质量分数、抛光盘转速和抛光时间等因素对CdSe晶片抛光去除速率和表面质量的影响,优化了CdSe的CMP工艺参数。结果表明,在优化工艺条件下,CdSe的平均去除速率为320 nm/min,晶片的抛光表面无明显划痕和塌边现象。原子力显微镜(AFM)测量结果表明,抛光后的CdSe晶片表面粗糙度为0.542 nm,可以满足器件制备要求。
- 高彦昭杨瑞霞张颖武王健徐世海程红娟
- 关键词：去除速率
