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李晖

作品数：59 被引量：7H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
发文基金：天津市科技计划更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺理学医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 53篇专利
  • 3篇标准
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 6篇金属学及工艺
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 34篇晶片
  • 22篇单晶
  • 18篇单晶片
  • 15篇抛光
  • 15篇晶体
  • 11篇粘接
  • 11篇化学机械抛光
  • 11篇机械抛光
  • 10篇氮化
  • 7篇氧化镓
  • 7篇CDS
  • 6篇氮化铝
  • 6篇半导体
  • 6篇半导体材料
  • 5篇抛光液
  • 5篇磨料
  • 5篇解理
  • 5篇金刚石
  • 5篇刚石
  • 5篇衬底

机构

  • 59篇中国电子科技...

作者

  • 59篇李晖
  • 40篇高飞
  • 24篇徐世海
  • 21篇王磊
  • 12篇王英民
  • 11篇王健
  • 9篇张丽
  • 7篇洪颖
  • 5篇练小正
  • 3篇李响
  • 3篇宋扬
  • 3篇王淳
  • 3篇齐海涛
  • 1篇曹亮
  • 1篇冯玢
  • 1篇陈阳
  • 1篇李燕
  • 1篇朱磊
  • 1篇郝建民
  • 1篇王利杰

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇2013中国...

年份

  • 8篇2024
  • 7篇2023
  • 5篇2022
  • 5篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 10篇2018
  • 5篇2017
  • 4篇2016
  • 5篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2012
共 59 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种晶片粘接方法及粘片装置
本发明涉及一种晶片粘接方法及粘片装置，属于半导体材料的加工领域，用粘接剂将模板粘贴到载盘上；将粘接剂依次涂覆到载盘上的数个晶片孔中；数个晶片的A面朝下，依次放置到每个晶片孔中粘接剂上；在载盘上方覆盖一层纸，将压头与底座装...
高飞张弛王英民霍晓青李晖李宝珠
一种用于具有极性的异形晶片的极性面判定方法
本发明公开了一种用于具有极性的异形晶片的极性面判定方法。将若干晶片垂直摆放在承载装置上，放置在容器内腐蚀，腐蚀后观察晶片被腐蚀区域的形貌进行极性面判定，最后进行定位边切割，以定位边的切割位置作为判定极性面的标识；定位边切...
杨丹丹程红娟张弛徐永宽李晖张颖武窦瑛徐世海
文献传递
一种可自剥离的氮化物半导体材料生长方法
本发明公开了一种可自剥离的氮化物半导体材料生长方法，所述方法包括：步骤1，在氮化物生长衬底上涂覆混合有球形微粒物的胶体；步骤2，对涂覆得到的胶体层进行去球形微粒物处理，得到具有微形孔及微柱状的生长表层；步骤3，在所述生长...
杨丹丹徐永宽张嵩程红娟李晖
文献传递
一种采用电火花切割技术快速切割CdS单晶体的方法
本发明设计一种用于CdS单晶体的切割方法，属于半导体材料的加工领域。步骤如下，用平面磨床将CdS晶锭的生长面磨平；用X射线衍射仪对磨平的端面进行定向；对CdS晶锭进行滚圆，然后进行主参考面和副参考面制作；用真空吸附台将C...
高飞李晖张弛徐世海王磊王添依张海磊张颖武司华青
文献传递
一种氮化铝晶体单线切割粘接装置以及切割工艺
本发明提供了一种氮化铝晶体单线切割粘接装置以及切割工艺，所述粘结装置包括两组对称设置的基座，两组基座之间形成氮化铝晶体放置空间，所述基座包括支撑部和底座，所述支撑部的内表面为斜面，所述底座的上表面为水平面，所述支撑部的内...
张博楠李晖张弛高鹏程
一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法
本发明涉及一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法，选择晶片Ⅰ和晶片Ⅱ；测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点和边缘三点，做好标记为；将晶片I和晶片II的A面贴合，将贴合好的晶片进行滚圆处理成为一个同心圆；开启...
高飞张弛王英民李晖王健霍晓青李宝珠程红娟
抛光液及应用该抛光液对CdS晶片抛光的抛光方法
本发明公开了一种用于化学机械抛光的抛光液，包括用于粗抛的抛光液和用于精抛的抛光液；其中：所述粗抛的抛光液包括：纳米磨料5~10wt%，氧化剂为1.5~3wt%，表面活性剂0.01wt%，pH调节剂，余量为去离子水，粒度为...
李晖徐永宽程红娟
文献传递
一种氧化镓晶体切割方法及夹具
一种氧化镓晶体切割方法及夹具，调整螺栓，将旋转连接杆2指针设置在指定刻度；测量晶体的尺寸，标记出需要切割的位置；根据晶体尺寸调节固定四个固定爪的位置；将晶体的（001）主面或晶体的（100）主面向上固定在四个固定爪的横板...
张弛王英民李晖王磊高飞高鹏程霍晓青王淳
用于CdS晶片的抛光方法
本发明公开了一种用于CdS晶片的抛光方法，包括：将CdS晶片在聚氨酯抛光垫上进行粗磨，然后再进行精磨，其中，粗磨和精磨采用的磨料5~30wt%，磨削液0.1~0.50wt%，助磨液0.1~0.50wt%，研磨液流量为1~...
李晖徐永宽程红娟
文献传递
一种用于硒化镉晶体的化学机械抛光方法
本发明公开了一种用于抛光硒化镉晶体的化学机械抛光方法。该方法分为两步，通过采用配制的粗抛光液、精抛光液先后进行粗抛光和精抛光，控制抛光液流速、抛光压力、抛光转速和抛光时间，以解决晶体表面划痕、凹坑等表面损伤问题，实现短周...
高彦昭王健赖占平徐世海李晖程红娟边子夫
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