高飞
- 作品数：52 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
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- 相关领域：电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术理学更多>>
- 一种氧化镓单晶生长放肩角度的控制方法及控制装置
- 本发明涉及一种氧化镓单晶生长放肩角度的控制方法，控制方法通过控制装置完成，采用称重装置所获得的一个采样周期的晶体质量的增量、拉速等数据来计算该采样周期内的放肩角度，属于采样周期内的局部放肩角度调整；另外通过图像采集装置获...
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- 文献传递
- 一种小尺寸软脆晶体材料晶片的研磨方法
- 本发明涉及一种小尺寸软脆晶体材料晶片的研磨方法，将载盘放置到加热台上预热；将至少3片支撑晶片间隔的粘贴到载盘的边缘；将载盘放置到加热台上预热，将数片待加工晶片的A面间隔的粘贴到至少3片所述支撑晶片之间的载盘上；采用研磨液...
- 高飞边子夫王英明王健霍晓青李晖李宝珠
- 一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法
- 本发明公开了一种氧化镓晶片防解理的边缘磨削方法。该方法是在不直接接触晶片的情况下将易解理的晶片边缘进行磨削，对氧化镓晶片磨削之前采用承载氧化镓晶片，且与氧化镓晶片粘接为一体的保护基板，用于防止氧化镓晶片在边缘磨削过程中出...
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- 利于导模法3-4英寸β相氧化镓单晶生长等径方法
- 一种利于导模法3‑4英寸β相氧化镓单晶生长等径方法，坩埚和模具清洗晾干；放进处理炉抽真空、加热、保温后取出；将模具固定在坩埚中，放入Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>原料后放入单晶生长炉，抽真空、充C...
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- 一种晶片缺陷的快速标记方法
- 本发明公开了一种晶片缺陷的快速标记方法。本方法将晶片粘贴板表面均匀划分若干个区域，每个区域均匀设有若干个方格，每个方格之间设有相互垂直的沟槽，每个方格表面均设有数字编号作为用于记录晶片表面缺陷的标记。本发明设计的晶片粘贴...
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- 人工智能赋能网络攻击的安全威胁及应对策略被引量：1
- 2022年
- 人工智能技术是当前社会发展中应用的重要技术,对当前社会的发展有非常重要的作用,在当前社会发展的各个领域都有重要应用。而在人工智能赋能同时也造成了一定的网络攻击,影响到了网络安全。所以,在当前人工智能技术的研究过程中,应该注重对人工智能赋能网络攻击的防御措施建设,构建网络安全体系,实现对人工智能赋能网络安全。
- 高飞闫征
- 关键词：人工智能
- 一种用于锑化镓单晶片的抛光方法
- 本发明公开了一种用于锑化镓单晶片的抛光方法。粗抛光采用氧化铈抛光垫，抛光液中含有粒径为W1的氧化铝磨料，压力100~200 g/cm<Sup>2</Sup>，转速10~40转/分钟，流量10‑50 mL/min；中抛光采...
- 高飞李晖徐世海张颖武练小正张弛王磊徐永宽程红娟
- 文献传递
- 一种利用合成树脂锡盘的碳化硅单晶片化学机械抛光方法
- 本发明涉及一种利用合成树脂锡盘的碳化硅单晶片化学机械抛光方法。碳化硅单晶片的化学机械抛光采用合成树脂锡盘，根据碳化硅单晶片的厚度和抛光去除量，确定采用合成树脂锡盘刻槽的宽度和深度，采用带修面研磨机对合成树脂锡盘进行修面和...
- 高飞徐永宽李晖徐世海程红娟洪颖
- 文献传递
- 一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法
- 本发明公开了一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法。该方法将生长得到的碳化硅晶锭进行平面磨、滚圆加工；对滚圆后的晶锭进行定向，确定基准轴方向为<11‑20>方向；沿<11‑20>方向加工非对称V型槽；晶锭...
- 窦瑛徐永宽洪颖杨丹丹高飞
- 文献传递
- GaN单晶片的表面加工工艺研究被引量：3
- 2018年
- 对硬脆材料氮化镓(GaN)单晶的机械研磨和化学机械抛光(CMP)加工工艺进行了研究。在机械研磨工艺中,研究了不同材料的研磨盘和不同粒径的磨料对GaN研磨时间的影响。实验结果表明,采用树脂铜盘和树脂锡盘将机械研磨时间缩短至1.5h,加工后的晶片表面最大划痕深度约为2.743nm,表面粗糙度为0.924nm。在GaNCMP单因素实验中,分析了工艺参数(如pH值、压力、转速)对GaN单晶片Ga面抛光速率的影响。实验结果表明,Ga面在酸性条件下的抛光速率较高,Ga面抛光速率随着压力和转速的增大而增加。确定了GaN单晶片表面加工的最佳工艺参数,当抛光液pH值为3,抛光压力为6×10^4Pa,抛光盘转速为100r/min时,Ga面抛光速率达到240nm/h,表面粗糙度可达到0.0719nm。
- 李晖高飞徐世海张嵩徐永宽程红娟
- 关键词：机械研磨抛光速率
