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王英民

作品数:78 被引量:53H指数:5
供职机构:中国电子科技集团公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划山西省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学化学工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 61篇专利
  • 17篇期刊文章

领域

  • 15篇电子电信
  • 12篇理学
  • 10篇化学工程
  • 5篇自动化与计算...
  • 4篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 1篇矿业工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 25篇单晶
  • 22篇籽晶
  • 18篇氧化镓
  • 17篇单晶生长
  • 15篇氮化
  • 14篇氮化铝
  • 12篇坩埚
  • 10篇晶片
  • 9篇碳化硅
  • 8篇晶体
  • 8篇衬底
  • 7篇导模法
  • 7篇金刚石
  • 7篇刚石
  • 7篇高温
  • 6篇粘接
  • 6篇放肩
  • 6篇高温炉
  • 5篇低阻
  • 5篇碳化钽

机构

  • 61篇中国电子科技...
  • 17篇中国电子科技...
  • 4篇西安理工大学
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 78篇王英民
  • 19篇王健
  • 18篇张丽
  • 18篇高飞
  • 12篇徐伟
  • 12篇李晖
  • 12篇郝建民
  • 11篇毛开礼
  • 11篇李斌
  • 8篇王磊
  • 6篇李贺
  • 5篇王利忠
  • 4篇赵高扬
  • 3篇侯晓蕊
  • 3篇徐世海
  • 3篇何超
  • 3篇马康夫
  • 3篇魏汝省
  • 2篇姜志艳
  • 2篇田牧

传媒

  • 12篇电子工艺技术
  • 2篇电子工业专用...
  • 1篇功能材料
  • 1篇工业设计
  • 1篇超硬材料工程

年份

  • 26篇2024
  • 19篇2023
  • 16篇2022
  • 5篇2017
  • 6篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
78 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
金刚石多线切割材料去除率对SiC晶片翘曲度的影响被引量:3
2016年
文章分析了SiC硬脆材料加工方法,建立了金刚石多线切割SiC晶体的材料去除率模型,并基于Matlab计算已知条件下的材料去除率随时间变化的规律,根据材料去除率模型进行切割试验,得出材料去除率对SiC晶片翘曲度的影响,采用TROPEL FM-100平坦度测试仪分析SiC切割片表面形貌。
徐伟王英民何超
关键词:材料去除率翘曲度
高真空下合成生长单晶用高纯碳化硅粉料被引量:6
2017年
采用自蔓延法合成单晶生长用高纯SiC粉料,特别地,将β-SiC合成过程放在高真空下进行,随后利用所合成的碳化硅粉料进行了碳化硅单晶生长。利用XRD、Raman光谱、SIMS(二次离子质谱仪)和非接触式电阻率测试仪等测试手段对合成粉料的物相、晶型以及碳化硅单晶的纯度和电阻率等参数进行了表征。研究发现,将β-SiC合成过程放在高真空下进行,有助于高纯SiC粉料纯度的提升,特别是N浓度的降低。此外,高真空条件下合成的高纯碳化硅粉料有利于高纯半绝缘碳化硅单晶生长。
李斌马康夫王英民魏汝省毛开礼徐伟
关键词:高真空碳化硅粉料
一种导模法生长大尺寸氧化镓晶体的方法及生长模具
本发明涉及一种导模法生长大尺寸氧化镓晶体的方法及生长模具,将模具放置在坩埚中,模具两侧四个支撑板抵住坩埚内壁,坩埚中装入氧化镓原料,然后整体放置在加热器的中,将籽晶放置在籽晶杆中,籽晶杆提拉方向为[010];抽真空,充保...
王英民霍晓青王健张胜男李宝珠郝建民程红娟周金杰
一种晶片粘接方法及粘片装置
本发明涉及一种晶片粘接方法及粘片装置,属于半导体材料的加工领域,用粘接剂将模板粘贴到载盘上;将粘接剂依次涂覆到载盘上的数个晶片孔中;数个晶片的A面朝下,依次放置到每个晶片孔中粘接剂上;在载盘上方覆盖一层纸,将压头与底座装...
高飞张弛王英民霍晓青李晖李宝珠
用于导模法大尺寸氧化镓单晶等径生长的方法及热场结构
一种用于导模法大尺寸氧化镓单晶等径生长的方法及热场结构,有孪晶氧化镓晶体制备,将籽晶杆提拉方向与[010]方向平行,生长有孪晶氧化镓晶体;对有孪晶的晶体的单晶区域进行定向切割,得到第一次等径生长的籽晶;第一次等径生长,将...
张胜男霍晓青王英民王健于凯周金杰张弛李宝珠郝建民
温度对碳化硅粉料合成的影响被引量:4
2012年
采用高温合成方法生成了高纯碳化硅(SiC)粉。采用高纯碳(C)粉和硅(Si)粉直接反应,不需外加添加剂,通过控制外部加热使Si和C持续反应。实验结果表明,在相同反应时间条件下,不同加热温度对生成的SiC粉料的粒度和纯度有很大影响。当反应温度从1 920℃升高到1 966℃时,生成的SiC粉粒度由12.548μm增加到29.259μm。当温度继续升高,SiC粉的粒度逐渐减小。温度高于2 000℃时,SiC粉的粒度趋于约20μm。同时,X射线衍射图分析表明,温度高于2 000℃时,生成的SiC粉料中C比例会明显增加。
田牧徐伟王英民侯晓蕊毛开礼
关键词:碳化硅温度粒度
一种基于结构复合衬底异质外延生长金刚石的方法
本发明涉及一种基于结构复合衬底异质外延生长金刚石的方法,在氧化物单晶衬底上外延生长Ir薄膜;在单晶衬底的背面和侧面生长Ag薄膜;将结构性衬底在MPCVD中进行偏压增强形核;关掉MPCVD外接直流偏压电源,在形核后的衬底上...
房诗舒兰飞飞王英民程红娟刘莎莎李佳起
一种导模法生长β相氧化镓单晶的原料处理方法
本发明公开了一种导模法生长β相氧化镓单晶的原料处理方法。步骤是:1、称取Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>多晶粉料放入装有带缝模具的坩埚中;2、将坩埚放入生长炉中并安装籽晶;3、抽真空后充入CO<Su...
霍晓青张胜男王英民王健王新月周传新张弛秦广阔
一种用于宽禁带半导体器件的碳化硅单晶衬底制备方法
本发明涉及一种用于宽禁带半导体器件的碳化硅单晶衬底制备方法。该方法是在石墨坩埚外部设有双加热筒结构,两个加热筒产生不同的热量,以实现对碳化硅晶体和源粉的分别控温,形成用于晶体扩径生长的热场;在石墨坩埚内部,碳化硅籽晶粘接...
孟大磊王英民赖占平薛豪王增华庞越
一种二维铋氧硒薄膜材料合成装置及合成方法
一种二维铋氧硒薄膜材料合成装置及合成方法,反应原料硒化铋放入第一坩埚内,反应原料氧化铋放入第二坩埚内,将解理后的云母衬底或片状氧化物衬底放入第三坩埚内,并送入合成容器内;将合成容器放入炉体内,降低炉体内的真空度,通入惰性...
李佳起王英民程红娟兰飞飞刘莎莎房诗舒张颖
共8页<12345678>
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