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甘志
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电子科技大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
萧寒
电子科技大学
邓小川
电子科技大学
张波
电子科技大学
申华军
电子科技大学
张晓菲
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甘志
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张波
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萧寒
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申华军
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1篇
2018
2篇
2017
1篇
2016
6篇
2015
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一种堆叠SCR‑LDMOS的高压ESD保护电路
本发明提供了一种堆叠SCR‑LDMOS的高压ESD保护电路,属于电子技术领域。包括1个NLDMOS、1个电阻232和N个SCR‑LDMOS堆叠单元,所述SCR‑LDMOS堆叠单元包括一个SCR‑LDMOS器件和一个触发电...
乔明
马金荣
张晓菲
甘志
张波
文献传递
一种碳化硅器件的栅槽制作方法
本发明涉及半导体制造工艺,特别涉及一种碳化硅UMOS器件的栅槽制作方法。本发明的碳化硅器件的栅槽制作方法,主要是:根据栅槽区域窗口对碳化硅外延片上的介质层进行刻蚀,在刻蚀中保留碳化硅上表面部分介质层,然后采用腐蚀工艺对该...
邓小川
萧寒
户金豹
申华军
李妍月
唐亚超
甘志
梁坤元
张波
一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法
本发明属于半导体技术,具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法。本发明所述碳化硅VDMOS器件包括:碳化硅N型重掺杂衬底,碳化硅N型重掺杂衬底上方的碳化硅N<Sup>-</Sup>外延层,位于碳化硅N<Sup>...
邓小川
萧寒
唐亚超
李妍月
梁坤元
甘志
张波
文献传递
一种4H-SiC UMOSFET栅槽的制作方法
本发明属于半导体功率器件技术领域。为了克服现有方法制作的SiC UMOSFET器件栅槽侧壁陡直性低、底部具有子沟槽及表面粗糙度高的缺点,提供一种4H-SiC UMOSFET栅槽的制作方法。该方法包括:首先在位于半导体衬底...
邓小川
李妍月
户金豹
申华军
萧寒
唐亚超
梁坤元
甘志
文献传递
一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法
本发明属于半导体技术,具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法。本发明所述碳化硅VDMOS器件包括:碳化硅N型重掺杂衬底,碳化硅N型重掺杂衬底上方的第一碳化硅N<Sup>-</Sup>外延层,第一碳化硅N<Su...
邓小川
萧寒
李妍月
唐亚超
甘志
梁坤元
张波
文献传递
一种堆叠SCR-LDMOS的高压ESD保护电路
本发明提供了一种堆叠SCR-LDMOS的高压ESD保护电路,属于电子技术领域。包括1个NLDMOS、1个电阻232和N个SCR-LDMOS堆叠单元,所述SCR-LDMOS堆叠单元包括一个SCR-LDMOS器件和一个触发电...
乔明
马金荣
张晓菲
甘志
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一种4H‑SiC UMOSFET栅槽的制作方法
本发明属于半导体功率器件技术领域。为了克服现有方法制作的SiC UMOSFET器件栅槽侧壁陡直性低、底部具有子沟槽及表面粗糙度高的缺点,提供一种4H‑SiC UMOSFET栅槽的制作方法。该方法包括:首先在位于半导体衬底...
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大功率射频LDMOS器件设计优化与建模
LDMOS(Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor)器件以其各方面的优势已经基本取代双极型器件成为射频领域的主流技术,由于RF LDMOS器件巨大的市场前景和重...
甘志
关键词:
LDMOS器件
一种碳化硅器件的栅槽制作方法
本发明涉及半导体制造工艺,特别涉及一种碳化硅UMOS器件的栅槽制作方法。本发明的碳化硅器件的栅槽制作方法,主要是:根据栅槽区域窗口对碳化硅外延片上的介质层进行刻蚀,在刻蚀中保留碳化硅上表面部分介质层,然后采用腐蚀工艺对该...
邓小川
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一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法
本发明属于半导体技术,具体的说是涉及一种碳化硅VDMOS器件及其制作方法。本发明所述碳化硅VDMOS器件包括:碳化硅N型重掺杂衬底,碳化硅N型重掺杂衬底上方的碳化硅N<Sup>-</Sup>外延层,位于碳化硅N<Sup>...
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