邓小川
- 作品数：118 被引量：135H指数：5
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>
- 一种用于瞬态极端应力的SiC MOSFET结温监测系统及方法
- 本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及一种用于瞬态极端应力的SiC MOSFET结温监测系统及方法。基于器件关断过程中热敏参数关断延时t<Sub>doff</Sub>，本发明提出了一种适用于瞬态极端应力(雪崩应力、短...
- 李轩吴一帆赵汉青许士康邓小川张波
- 槽栅型碳化硅MOSFET器件及制备方法
- 本发明提供一种槽栅型碳化硅MOSFET器件及其制备方法，通过在碳化硅槽栅型MOSFET器件的栅槽底部竖直方向上引入多个不同掺杂浓度的P型屏蔽区域，当在功率器件的漏极施加反向偏压后，多个竖直方向分布的P型屏蔽区域可以使耗尽...
- 邓小川万殊燕柏松李轩高蜀峰张波
- 文献传递
- PSJ高压器件的优化设计被引量：4
- 2006年
- 基于Semi SJ(superjunction)结构,提出了SJ的比例可以从0～1渐变的PSJ(partialsuperjunction)高压器件的概念.通过对PSJ比导通电阻的分析,得到了PSJ高压器件比导通电阻优化设计的理论公式.计算了不同击穿电压的比导通电阻,并与二维器件模拟结果和实验结果相比较.讨论了BAL(bottomassistlayer)部分穿通因素η、p型区深度归一化参数r、p型区深宽比A以及PSJ漂移区掺杂浓度是否统一对PSJ高压器件比导通电阻的影响.其理论结果和器件模拟结果相吻合,为设计与优化PSJ高压器件提供了理论依据.PSJ结构特别适于制造工艺水平不高、很难实现大的p型区深宽比的情况,为现有工艺实现高压低导通电阻器件提供了一种新的思路.
- 陈万军张波李肇基邓小川
- 关键词：PARTIALJUNCTIONRESURF击穿电压比导通电阻
- 4H-SiC MESFET表面陷阱效应研究被引量：1
- 2007年
- 借助ISE TCAD,对4H-SiC MESFET进行二维数值模拟,研究分析了表面陷阱对直流和瞬态特性的影响。数值模拟表明,在直流特性上,由于表面陷阱电荷引入附加耗尽层,器件饱和电流下降,输出电阻增加,夹断电压向右偏移,跨导降低;在瞬态特性上,表面陷阱电荷的缓慢变化引起了栅延迟的出现。能级靠近价带、密度较高时,表面陷阱效应越明显。
- 陈壮梁罗小蓉邓小川周春华黄何张波李肇基
- 关键词：MESFET直流特性
- 射频LDMOS器件
- 本发明提供一种射频LDMOS器件，包含：P+衬底、P型外延层，衬底金属，P型外延层内部的P+sinker区、P阱、N-漂移区、N+区、多晶硅，N-漂移区的上方以及多晶硅的右侧上方设有法拉第罩，法拉第罩和漂移区之间有一层l...
- 邓小川梁坤元甘志刘冬冬张波
- 文献传递
- 一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法
- 本发明提供一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法，器件包含源极欧姆接触区、漏极欧姆接触区、碳化硅N+衬底、碳化硅N‑漂移区、Pbase区、N+源区、P+源区、栅沟槽区，本发明在碳化硅沟槽MOSFET器件内部集成二极...
- 邓小川高蜀峰柏松杨丽萍李轩张波
- 文献传递
- 三维槽栅金属半导体场效应晶体管
- 本发明提出一种三维槽栅金属半导体场效应晶体管结构，即在源漏区之间有源层中开出一个或多个沟槽，栅电极连续地覆盖于沟槽中。沟槽形状可根据实际需要改变，可以是方形、V形、梯形以及阶梯形等结构。与传统MESFET结构相比，三维槽...
- 张波张金平邓小川陈壮梁叶毅罗小蓉李肇基
- 文献传递
- 低导通压降二极管器件及制备方法
- 本发明提供一种低导通压降二极管器件及其制备方法，包括：铝离子注入形成P型基区；铝离子注入形成P+源区；氮离子注入形成N+源区；刻蚀沟槽；栅氧化层热生长并氮化退火；多晶硅栅淀积与刻蚀；阳极金属淀积；阴极金属淀积，短接阳极金...
- 李轩陈致宇徐晓杰叶俊杰邓小川张波
- 集成二极管的沟槽栅碳化硅MOSFET器件及制造方法
- 本发明提供了一种集成二极管的沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制造方法，器件结构包括：N+衬底、N型漂移区、P‑well区、横向N+源区、纵向倒L型N+源区、N型沟道层、P‑base区、栅介质、多晶硅栅、源极、漏极。本发明...
- 邓小川丁嘉伟杨瑞李旭李轩张波
- 氮化镓功率半导体器件技术被引量：12
- 2010年
- 作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,在民用和军事领域具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步,特别是大直径硅(Si)基GaN外延技术的逐步成熟并商用化,GaN功率半导体技术有望成为高性能低成本功率技术解决方案,从而受到国际著名半导体厂商和研究单位的关注。总结了GaN功率半导体器件的最新研究,并对GaN功率器件发展所涉及的器件击穿机理与耐压优化、器件物理与模型、电流崩塌效应、工艺技术以及材料发展等问题进行了分析与概述。
- 张波陈万军邓小川汪志刚李肇基
- 关键词：氮化镓功率器件击穿电压比导通电阻
