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李轩

作品数：57 被引量：6H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 55篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 29篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 27篇MOSFET...
  • 21篇碳化硅
  • 18篇导通
  • 17篇槽栅
  • 13篇损耗
  • 10篇氧化层
  • 10篇开启电压
  • 9篇肖特基
  • 9篇接触区
  • 8篇导通损耗
  • 8篇电极
  • 8篇可靠性
  • 8篇高可靠
  • 8篇高可靠性
  • 8篇饱和电流
  • 7篇多晶
  • 7篇多晶硅
  • 7篇栅介质
  • 7篇栅氧化
  • 7篇栅氧化层

机构

  • 57篇电子科技大学
  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 57篇李轩
  • 56篇张波
  • 56篇邓小川
  • 13篇李旭
  • 5篇杨瑞
  • 4篇吴昊
  • 4篇杨丽萍
  • 4篇吴一帆
  • 3篇陈立
  • 2篇陈茜茜
  • 2篇文译
  • 2篇黄伟
  • 2篇李立均
  • 1篇王向东
  • 1篇柏松
  • 1篇吴海波

传媒

  • 1篇电子科技大学...

年份

  • 9篇2024
  • 10篇2023
  • 16篇2022
  • 4篇2021
  • 5篇2020
  • 9篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2013
共 57 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
碳化硅MOSFET器件及其制作方法
本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其制作方法，器件包括漏极金属、N+衬底、N‑漂移区；N‑漂移区的内部设有凹槽，制作方法包括步骤：在外延片上刻蚀出凹槽，该凹槽和光刻对准标记同时形成；N‑外延上淀积多晶硅并刻蚀形成离子...
邓小川陈茜茜李立均李轩张波
文献传递
评估超结电荷平衡的介质超结MIS结构及测试方法
本发明公开了一种评估超结电荷平衡的介质超结MIS结构及测试方法，包括衬底背面铝薄膜、硅N+型衬底、超结N区、超结P区、绝缘层介质、氧化硅薄膜、金属薄膜，包括步骤：(1)在N+硅衬底片上制备介质超结结构，然后在超结结构表面...
李轩王常旺赵汉青李凌峰邓小川张波
一种碳化硅表面的处理方法
本发明提供一种碳化硅表面的处理方法，在碳化硅衬底表面生长氧化层；通过等离子体对含有所述氧化层的碳化硅衬底进行钝化；采用退火炉对所述钝化后的碳化硅衬底按照设定真空度进行真空退火；本发明通过氧族气体中的氧等离子体消除氧化层及...
吴昊邓小川成志杰李旭李轩张波
低功耗高可靠性半包沟槽栅MOSFET器件及制备方法
本发明提供一种低功耗高可靠性半包沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法，包括：N型衬底、N型外延层、第一P‑body区、第一P+接触区、第一N+接触区、第二P‑body区、第二P+接触区、第二N+接触区、栅介质、沟槽栅...
李轩吴阳阳吴一帆赵汉青邓小川张波
一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法
本发明提供一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备方法，器件包含源极欧姆接触区、漏极欧姆接触区、碳化硅N+衬底、碳化硅N‑漂移区、Pbase区、N+源区、P+源区、栅沟槽区，本发明在碳化硅沟槽MOSFET器件内部集成二极...
邓小川高蜀峰柏松杨丽萍李轩张波
文献传递
低导通压降二极管器件及制备方法
本发明提供一种低导通压降二极管器件及其制备方法，包括：铝离子注入形成P型基区；铝离子注入形成P+源区；氮离子注入形成N+源区；刻蚀沟槽；栅氧化层热生长并氮化退火；多晶硅栅淀积与刻蚀；阳极金属淀积；阴极金属淀积，短接阳极金...
李轩陈致宇徐晓杰叶俊杰邓小川张波
集成二极管的沟槽栅碳化硅MOSFET器件及制造方法
本发明提供了一种集成二极管的沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制造方法，器件结构包括：N+衬底、N型漂移区、P‑well区、横向N+源区、纵向倒L型N+源区、N型沟道层、P‑base区、栅介质、多晶硅栅、源极、漏极。本发明...
邓小川丁嘉伟杨瑞李旭李轩张波
集成PMOS的碳化硅MOSFET器件及制备方法
本发明提供一种集成PMOS的碳化硅MOSFET器件及制备方法，通过在两个栅极沟槽中间引入常开型PMOS，实现P+屏蔽层状态自适应调节：正向导通时，常开型PMOS被外加正向栅极电压全耗尽形成空穴势垒，P+屏蔽层浮空以降低J...
李轩陈立李凌峰娄谦杨瑞邓小川张波
具有雪崩电荷渡越缓冲层的碳化硅MOSFET器件及制备方法
本发明提供一种具有雪崩电荷渡越缓冲层的碳化硅MOSFET器件及其制作方法，制作方法包括：N‑外延层注入铝离子同时形成P型雪崩电荷渡越缓冲层和P型基区，注入深度通过SiO<Sub>2</Sub>掩膜厚度来调控；铝离子注入形...
李轩叶俊杰吴阳阳王常旺邓小川张波
文献传递
集成反向SBD的高可靠性碳化硅MOSFET器件及制备方法
本发明提供一种集成反向SBD的高可靠性碳化硅MOSFET及制备方法，包括：N型衬底、N型外延层、P+shield区、肖特基接触金属、源电极、栅介质、多晶硅栅、P‑body区、P+接触区、N+接触区、漏极；本发明提出的碳化...
李轩吴阳阳李凌峰赵汉青邓小川张波
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