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文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇TSV
  • 2篇对准标记
  • 2篇子层
  • 2篇阻挡层
  • 2篇晶圆
  • 2篇刻蚀
  • 2篇互连
  • 2篇互连线
  • 2篇胶层
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻分辨率
  • 2篇硅晶
  • 2篇硅晶圆
  • 2篇RDL
  • 2篇SOI衬底
  • 2篇衬底
  • 1篇单步
  • 1篇电镀
  • 1篇埋氧层
  • 1篇盲孔

机构

  • 6篇中国航天科技...

作者

  • 6篇刘松
  • 6篇单光宝
  • 6篇张巍
  • 4篇孙有民
  • 4篇袁海
  • 2篇杜欣荣

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法
本发明提供了一种基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法,不破坏SOI衬底固有硅-二氧化硅-硅夹层结构,直接进行SOI衬底的立体集成,形成的立体集成器件每一层都具有埋氧层;采用三步刻蚀技术替代目前的传统SOI?TSV工艺方...
单光宝刘松孙有民杜欣荣张巍
文献传递
基于TSV立体集成工艺的十字环形对准标记
本发明提供了一种基于TSV立体集成工艺的十字环形对准标记,与硅晶圆表面开有TSV通孔的平面上开有环形盲孔,所述环形盲孔的外边和内边均为十字形结构且两个十字形结构同轴,环形盲孔的宽度小于TSV通孔直径W4;所述环形盲孔由外...
单光宝刘松孙有民袁海张巍
基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法
本发明提供了一种基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法,不破坏SOI衬底固有硅-二氧化硅-硅夹层结构,直接进行SOI衬底的立体集成,形成的立体集成器件每一层都具有埋氧层;采用三步刻蚀技术替代目前的传统SOI TSV工艺方...
单光宝刘松孙有民杜欣荣张巍
文献传递
一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺
本发明一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺,包括如下步骤,首先在TSV盲孔电镀晶圆的绝缘层表面依次溅射Ti粘附层和Cu种子层;接着采用两次涂胶和两次烘焙的方式制备厚胶膜,一次低速涂覆厚层光刻胶,二次高速涂覆薄层...
张巍单光宝袁海刘松
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一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺
本发明一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺,包括如下步骤,首先在TSV盲孔电镀晶圆的绝缘层表面依次溅射Ti粘附层和Cu种子层;接着采用两次涂胶和两次烘焙的方式制备厚胶膜,一次低速涂覆厚层光刻胶,二次高速涂覆薄层...
张巍单光宝袁海刘松
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基于TSV立体集成工艺的十字环形对准标记
本发明提供了一种基于TSV立体集成工艺的十字环形对准标记,与硅晶圆表面开有TSV通孔的平面上开有环形盲孔,所述环形盲孔的外边和内边均为十字形结构且两个十字形结构同轴,环形盲孔的宽度小于TSV通孔直径W4;所述环形盲孔由外...
单光宝刘松孙有民袁海张巍
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共1页<1>
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