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张巍
作品数:
6
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供职机构:
中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
单光宝
中国航天科技集团公司第九研究院...
刘松
中国航天科技集团公司第九研究院...
袁海
中国航天科技集团公司第九研究院...
孙有民
中国航天科技集团公司第九研究院...
杜欣荣
中国航天科技集团公司第九研究院...
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1篇
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机构
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中国航天科技...
作者
6篇
刘松
6篇
单光宝
6篇
张巍
4篇
孙有民
4篇
袁海
2篇
杜欣荣
年份
1篇
2017
2篇
2016
1篇
2015
2篇
2014
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基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法
本发明提供了一种基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法,不破坏SOI衬底固有硅-二氧化硅-硅夹层结构,直接进行SOI衬底的立体集成,形成的立体集成器件每一层都具有埋氧层;采用三步刻蚀技术替代目前的传统SOI?TSV工艺方...
单光宝
刘松
孙有民
杜欣荣
张巍
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基于TSV立体集成工艺的十字环形对准标记
本发明提供了一种基于TSV立体集成工艺的十字环形对准标记,与硅晶圆表面开有TSV通孔的平面上开有环形盲孔,所述环形盲孔的外边和内边均为十字形结构且两个十字形结构同轴,环形盲孔的宽度小于TSV通孔直径W4;所述环形盲孔由外...
单光宝
刘松
孙有民
袁海
张巍
基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法
本发明提供了一种基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法,不破坏SOI衬底固有硅-二氧化硅-硅夹层结构,直接进行SOI衬底的立体集成,形成的立体集成器件每一层都具有埋氧层;采用三步刻蚀技术替代目前的传统SOI TSV工艺方...
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刘松
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一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺
本发明一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺,包括如下步骤,首先在TSV盲孔电镀晶圆的绝缘层表面依次溅射Ti粘附层和Cu种子层;接着采用两次涂胶和两次烘焙的方式制备厚胶膜,一次低速涂覆厚层光刻胶,二次高速涂覆薄层...
张巍
单光宝
袁海
刘松
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一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺
本发明一种制备TSV立体集成RDL电镀掩膜的厚胶工艺,包括如下步骤,首先在TSV盲孔电镀晶圆的绝缘层表面依次溅射Ti粘附层和Cu种子层;接着采用两次涂胶和两次烘焙的方式制备厚胶膜,一次低速涂覆厚层光刻胶,二次高速涂覆薄层...
张巍
单光宝
袁海
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基于TSV立体集成工艺的十字环形对准标记
本发明提供了一种基于TSV立体集成工艺的十字环形对准标记,与硅晶圆表面开有TSV通孔的平面上开有环形盲孔,所述环形盲孔的外边和内边均为十字形结构且两个十字形结构同轴,环形盲孔的宽度小于TSV通孔直径W4;所述环形盲孔由外...
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