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杜欣荣

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇TSV
  • 2篇清洗方法
  • 2篇清洗液
  • 2篇去离子
  • 2篇去离子水
  • 2篇盲孔
  • 2篇晶圆
  • 2篇刻蚀
  • 2篇SOI衬底
  • 2篇衬底
  • 1篇单步
  • 1篇埋氧层
  • 1篇可靠性
  • 1篇刻蚀技术
  • 1篇夹层结构
  • 1篇高可靠
  • 1篇高可靠性
  • 1篇硅

机构

  • 4篇中国航天科技...

作者

  • 4篇孙有民
  • 4篇单光宝
  • 4篇杜欣荣
  • 2篇李翔
  • 2篇刘松
  • 2篇张巍
  • 2篇贺欣

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法
本发明提供了一种基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法，不破坏SOI衬底固有硅-二氧化硅-硅夹层结构，直接进行SOI衬底的立体集成，形成的立体集成器件每一层都具有埋氧层；采用三步刻蚀技术替代目前的传统SOI？TSV工艺方...
单光宝刘松孙有民杜欣荣张巍
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基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法
本发明提供了一种基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法，不破坏SOI衬底固有硅-二氧化硅-硅夹层结构，直接进行SOI衬底的立体集成，形成的立体集成器件每一层都具有埋氧层；采用三步刻蚀技术替代目前的传统SOI TSV工艺方...
单光宝刘松孙有民杜欣荣张巍
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一种晶圆表面大深宽比TSV盲孔的清洗方法
本发明公开了一种晶圆表面大深宽比TSV盲孔的清洗方法，取若干晶圆放入超声擦片机中，利用去离子水冲洗的同时进行超声擦片；超声擦片结束后直接将晶圆从超声擦片机中取出，然后将晶圆放入纯IPA清洗液中清洗；将上述清洗过的晶圆取出...
贺欣单光宝孙有民杜欣荣李翔
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一种晶圆表面大深宽比TSV盲孔的清洗方法
本发明公开了一种晶圆表面大深宽比TSV盲孔的清洗方法，取若干晶圆放入超声擦片机中，利用去离子水冲洗的同时进行超声擦片；超声擦片结束后直接将晶圆从超声擦片机中取出，然后将晶圆放入纯IPA清洗液中清洗；将上述清洗过的晶圆取出...
贺欣单光宝孙有民杜欣荣李翔
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